氮化铟

仪器信息网氮化铟专题为您提供2024年最新氮化铟价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括氮化铟参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的氮化铟您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合氮化铟相关的耗材配件、试剂标物,还有氮化铟相关的最新资讯、资料,以及氮化铟相关的解决方案。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

氮化铟相关的资料

氮化铟相关的论坛

  • 【分享】重氮化反应

    概述 芳香族伯胺和亚硝酸作用生成重氮盐的反应标为重氮化,芳伯胺常称重氮组分,亚硝酸为重氮化剂,因为亚硝酸不稳定,通常使用亚硝酸钠和盐酸或硫酸使反应时生成的亚硝酸立即与芳伯胺反应,避免亚硝酸的分解,重氮化反应后生成重氮盐。 重氮化反应可用反应式表示为: Ar-NH2 + 2HX + NaNO2--—Ar-N2X + NaX + 2H20重氮化反应进行时要考虑下列三个因素:一、酸的用量 从反应式可知酸的理论用量为2mol,在反应中无机酸的作用是,首先使芳胺溶解,其次与亚硝酸销生成亚硝酸,最后生成重氮盐。重氮盐一般是容易分解的,只有在过量的酸液中才比较稳定,所以重氮化时实际上用酸量过量很多,常达3mol,反应完毕时介质应呈强酸性(pH值为3),对刚果红试纸呈蓝色.重氮过程中经常检查介质的pH值是十分必要的。 反应时若酸用量不足,生成的重氮盐容易和未反应的芳胺偶合,生成重氮氨基化合物: Ar-N2Cl + ArNH2——Ar-N=N—NHAr + HCl 这是一种自我偶合反应,是不可逆的, 一旦重氮氨基物生成,即使补加酸液也无法使重氮氨基物转变为重氮盐,因此使重氮盐的质量变坏,产率降低。在酸量不足的情况下,重氮盐容易分解,温度越高,分解越快。二、亚硝酸的用量 重氮化反应进行时自始至终必须保持亚硝酸稍过量,否则也会引起自我偶合反应。重氮化反应速度是由加入亚硝酸钠溶液加速度来控制的,必须保持一定的加料速度,过慢则来不及作用的芳胺会和重氮盐作用生成自我偶合反应。亚硝酸钠溶液常配成30%的浓度使用.因为在这种浓度下即使在-15℃也不会结冰。 反应时检定亚硝酸过量的方法是用碘化钾淀粉试纸试验,一滴过量亚硝酸液的存在可使碘化钾淀粉试纸变蓝色。由于空气在酸性条件下也可位碘化钾淀粉试纸氧化变色,所以试验的时间以0.5-2s内显色为准。 亚硝酸过量对下一步偶合反应不利,所以过量的亚硝酸常加入尿素或氨基磺酸以消耗过量亚硝酸。 亚硝酸过量时,也可以加入少量原料芳伯胺,使和过量的亚础酸作用而除去。三、反应温度 重氯化反应一般在0-5℃进行,这是因为大部分重氮盐在低温下较稳定,在较高温度下重氮盐分解速度加快的结果。另外亚硝酸在较高温度下也容易分解。重氮化反应温度常取决于重氮盐的稳定性,对-氨基苯磺酸重氮盐稳定性高,重氮化温度可在10-15℃进行;1-氨基萘-4-磺酸重氮盐稳定性更高,重氮化温度可在35℃进行。重氮化反应一般在较低温度下进行这一原则不是绝对的,在间歇反应锅中重氮反应时间长,保持较低的反应温度是正确的,但在管道中进行重氮化时,反应中生成的重氮盐会很快转化,因此重氮化反应可在较高温度下进行。

  • 了解氮化硅性质!

    化学式Si3N4,,是一种重要的结构陶瓷材料。它是一种超硬物质,本身具有润滑性,并且耐磨损,为原子晶体;高温时抗氧化。化学式Si3N4。白色粉状晶体;熔点1900℃,密度3.44克/厘米3(20℃);有两种变体:α型为六方密堆积结构;β型为似晶石结构。氮化硅有杂质或过量硅时呈灰色。   氮化硅与水几乎不发生作用;在浓强酸溶液中缓慢水解生成铵盐和二氧化硅;易溶于氢氟酸,与稀酸不起作用。浓强碱溶液能缓慢腐蚀氮化硅,熔融的强碱能很快使氮化硅转变为硅酸盐和氨。氮化硅在 600℃以上能使过渡金属氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮。

氮化铟相关的方案

氮化铟相关的资讯

  • 闻泰科技650V氮化镓(GaN)技术已通过车规级测试
    闻泰科技11月3日在投资者互动平台表示,安世半导体在行业推出领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET),目标市场包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源,特别是在插电式混合动力汽车或纯电动汽车中,氮化镓技术是其使用的牵引逆变器的首选技术。目前公司的650V氮化镓(GaN)技术,已经通过车规级测试。碳化硅(SiC)产品目前已经交付了第一批晶圆和样品。2021年上半年,公司半导体业务研发投入3.93亿元(全年规划9.4亿元),进一步加强了在中高压Mosfet、化合物半导体产品SiC和GaN产品、以及模拟类产品的研发投入。在化合物半导体产品方面,目前氮化镓已推出硅基氮化镓功率器件(GaN FET),已通过AEQC认证测试并实现量产,碳化硅技术研发也进展顺利,碳化硅二极管产品已经出样。
  • 大连化物所开发出金属辅助氮化合成宽光谱捕光催化材料新方法
    近日,大连化物所太阳能研究部太阳能制储氢材料与催化研究组(DNL1621组)章福祥研究员团队开发了一种低功函金属粉末(Mg、Al、Zr等)辅助氮化的合成新方法,实现了在低温、短时间内高效氮化合成基于d0区金属元素(Ta、Zr、Ti等)的窄带隙金属氮氧化物半导体材料。基于该合成路线,团队有效降低了大部分金属氮氧化物的缺陷密度,并提升了相应材料的光催化性能;此外,采用该氮化路线实现了对SrTiO3和Y2Zr2O7等材料的高浓度氮掺杂,大幅减小其带隙,拓展了氮氧化物半导体光催化材料的开发边界。宽光谱捕光催化材料设计合成是实现太阳能高效光—化学转化基础,其吸收带边越宽则太阳能转化理论效率越高。大连化物所太阳能研究部长期致力于具有较宽可见光利用的新光催化材料开发,先后设计合成了氮氧化物(Adv. Mater.,2019;Adv. Mater.,2021;J. Energy Chem.,2021等)、含氧酸盐(Adv. Energy Mater.,2018)、金属有机框架类(Adv. Mater.,2018;Sci. China Chem.,2020;J. Am. Chem. Soc.,2022)和金属氮卤化物半导体材料(Angew. Chem.,2023;J.Mater. Chem. A,2023)等20余例不同类型、具有我国自主知识产权的新材料,在光催化分解水制氢方面展现了良好潜力。   在团队前期氮氧化物设计合成基础上,为解决传统氮化路线氮化动力学慢、氮化产物缺陷密度高等问题,本工作以低功函金属粉末为辅助氮化剂,将金属粉与金属氧化物前驱体进行简单的机械混合,利用氮化过程中金属粉末向金属氧化物的供电子效应,有效促进了金属—氧键的活化,并降低氮原子取代的能垒,从而大幅提升氮化动力学;该创新路线不仅实现了系列金属氮氧化物在低温、短时间内的高效合成,部分抑制了氮氧化物中缺陷的生成,显著提升了金属氮氧化物基光催化剂水分解性能,而且合成了多个以往传统氮化合成路线无法制备的新材料。该低功函金属辅助增强外源阴离子植入策略有望拓展至含硫、含碳等混合阴离子或非氧阴离子半导体的设计合成和开发。   上述工作以“Metallic powder promotes nitridation kinetics for facile synthesis of (oxy)nitride photocatalysts”为题,于近日发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。该工作的共同第一作者为我所DNL1621组毕业生鲍云锋博士、博士研究生邹海、博士后杜仕文,以上工作得到了国家科技部、国家自然科学基金等项目资助。
  • 长光华芯联合中科院苏州纳米所共建“氮化镓激光器联合实验室”
    11月29日,苏州半导体激光创新研究院与中科院苏州纳米所“氮化镓激光器联合实验室”在苏州长光华芯正式揭牌成立。苏州半导体激光创新研究院负责人、长光华芯董事长闵大勇,与中科院苏州纳米所党委书记邓强、技术转移中心主任冀晓燕等参加揭牌仪式并交流座谈。氮化镓是第三代半导体中具有代表性的材料体系,氮化镓蓝绿光激光器未来在激光显示、有色金属加工等诸多领域都有巨大的应用优势以及不可替代的作用。“基于氮化镓的蓝绿光激光器,是第三代半导体光电器件中最具技术难度和产业高度的关键产品。”闵大勇介绍说,长光华芯正处于上市后的快速发展阶段,建设“氮化镓激光器联合实验室”是研究院围绕核心的半导体激光器领域所做的一个重要的横向业务扩展,将长光华芯核心的半导体激光器从短波红外和近红外领域拓展到可见光领域。中科院苏州纳米所党委书记邓强表示,要发展半导体及光电子,既需要研发能力,也需要区域聚集。“长光华芯拥有良好的科研平台,对市场需求也有敏锐的嗅觉,是科研项目产业化的典型。希望通过建立联合实验室,双方强化前端的技术科研能力、后端技术、工艺、质量水平,通过市场需求引导定向技术研究,突破前端技术,提升产品水平,促进市场牵引和成果转化,打造最强的创新联合体。”苏州高新区管委会副主任、虎丘区副区长吴旭翔表示,当前,苏州高新区正全力建设世界级光子创新中心,打造千亿级光子产业创新集群。此次上市企业与研究所联手,共同攻克前沿技术难题,将有力推动“东纳米”和“西光子”在高端创新资源的强强联合,打造“太湖光子中心”建设范例。据悉,“氮化镓激光器联合实验室”将以氮化镓激光器的前沿物理基础和技术研究为牵引,整合纳米所学科力量,攻坚克难,共同凝练并合作开展相关方向的导向性研究,率先填补国内在氮化镓的蓝绿光激光器等第三代半导体光电器件领域的空白,全力构建中国激光产业链的完整性、领先性。

氮化铟相关的仪器

  • 氮化学发光检测器Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD) 是氮选择性检测器,对氮化合物呈等摩尔线性响应。检测原理是:采用不锈钢燃烧器使含氮化合物在高温下燃烧生成氮氧化物 (NO)。光电倍增管检测到由 NO 和臭氧发生连续化学发光反应而产生的光。因为反应的专属性,分析复杂样品基质也几乎没有干扰。● 用于气相色谱 (GC) 的氮特异性检测器● 皮克级检出限● 没有烃的淬灭● 对有机氮化物呈等摩尔线性响应● 对氨、肼、氰化氢和 NOX 有响应● 重新设计的燃烧头和检测器,NCD 也具有亚硝胺特定配置选项● 安捷伦还提供 8355 硫化学发光检测器 (SCD)
    留言咨询
  • Gatan Mono CL4高分辨成像与光谱分析阴极发光成像系统 品牌: GATAN名称型号:MonoCL4新一代阴极发光系统制造商: GATAN公司经销商:欧波同有限公司 产品综合介绍:产品功能介绍MonoCL4是Gatan公司生产的世界领先的阴极发光(CL)系统中的最新一代。MonoCL成为高分辨阴极发光成像及光谱分析的代名词己经超过15年,已成功安装在成百上千的扫描电镜、透射电镜和电子探针上。MonoCL4在性能和功能上的最新进展使其继续站在CL领域的最前沿。Gatan阴极荧光谱仪MonoCL4是目前用于扫描电镜中,深入研究光电子学、半导体材料学以及地质勘探学材料发光成像方面最先进的仪器设备。品牌介绍美国Gatan公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。Gatan公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商,其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学,能源科学等领域, 客户范围涵盖全球的科研院所,高校,各类检测机构及大型工业企业实验室,并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商,是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业,总部位于香港,分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、Gatan扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴,公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念,与蔡司,Gatan品牌强强联合,正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品主要技术特点:MonoCL4的设计使用直接耦合腔式单色器与高效率探测器。该设计的最大优势在于使阴极发光的采集效率达到最大化。这种方式的光损失最低,并在很宽的光谱范围内获得最大的灵敏度,从而使MonoCL4拥有无与伦比的灵敏度。因而可实现:低注入量,获得高空间分辨率,避免非平衡状态的产生及最小化光诱导假象;窄带宽操作,获得高光谱分辨率及单色成像;缩短采集时间,提高使用效率;为更多的样品提供CL应用.甚至可应用在某些束流有限的SEM;为产生阴极发光体积元有限的样品提供CL分析。比如薄膜、纳米线、纳米颗粒和TEM样品等。 产品主要技术参数:采集镜1、可伸缩、可拆卸、金刚石加工的抛物面形CL采集镜,标准伸缩距离为75mm2、具有LED采集镜位置指示器。*3、采集镜厚度为8.75 mm光谱仪4、直接耦合腔式单色器与高效率探测器,与腔式单色仪直接光学耦合,达到阴极发光的采集效率达到最大化。5、高效消色差光学。6、马达驱动的反射镜,用于切换全色模式与单色模式。7、配备分光器:1200 l/mm 500nm闪耀波长的光栅,可对任一波长进行单光成像并可结合全光光谱图8、千分尺狭缝,用于控制光谱分辨率和带通。9、直列4位置过滤架,包括可移动的RGB过滤片。10、内置ITSL光谱校正灯。11、对应于每个探测器与衍射光栅组合的系统响应曲线(350nm到探测器的极限)。12、自动控制全光分光调节装置,可得全光影像,单光影像及谱图探测器13、内置前置放大器的PMT探测器,波长范围185nm~ 850nm控制器14、PA4控制器,用于控制单色仪和探测器。15、手动远程控制器,用于成像控制和PMT高压的数字读出。软件:*16、配置 Digital Micrograph软件,用于系统控制,数据记录、存档、展示与输出。MonoCL4软件插件,用于控制单色器、探测器和光谱的串行采集。启动仪器时将自动运行光谱校准程序,以及多个高斯曲线拟合的脉冲计数光谱程序。电脑:17、带Windows系统的计算机与22英寸的宽屏显示器。4.8、主流PC,Window 7 32位和22”纯平显示器产品主要应用领域:地质矿物学: 地层学, 断裂与成岩学, 锆石, 宝玉石陶瓷: 微观结构, 相组织, 烧结, 摩擦学研究新材料: 金刚石, 碳化硅光电材料:氮化物半导体薄膜,磷化锢和稀有掺杂材料应用举例地质学MonoCL4能够用来确定物源及成岩作用,提供一种简单的方法用来区别矿物,观察愈合裂纹、化学过增长和鉴定精细的振荡环带,因而CL在地质学中发挥着极其重要的作用。新材料MonoCL4的应用促进了导体材料和光电材料的理解和认识,这包括氮化物半导体薄膜、纳米结构和异质结及纳米结构氧化物(ZnO1 ZrO2和Y3Al5O12)、磷化锢和稀有掺杂材料。尽管硅是一种弱的发光体.但是MonoCL的高效收集效率、色散性能及探测能力使其成为硅基光伏材料和发光材料的一种重要的表征工具。医药工业MonoCL4可用来大量地筛选活性药物的成分,并提供光谱指纹图谱。在司法鉴定和食品科学中也具有重要的应用价值。生命科学结合荧光显微分析的优点和电子显微镜的高空间分辨能力,使CL能够作为发光标记使用。图A.石英晶体次生变化规律以及晶体内部织构图B. InGaN 多量子阱结构H:断裂与愈合的石英晶体,Dr R,Reed,Bureau of Economic Geology,University of Texas. J:GaN的平面图,显示出螺位错和杂质偏析
    留言咨询
  • 品牌: GATAN 名称型号:ChromaCL2阴极发光系统制造商: GATAN公司经销商:欧波同有限公司产品综合介绍:产品功能介绍在全球的矿物分析实验室里,实时彩色阴极发光成像发挥着重要的作用。从石油天然气勘探到地质年代学再到矿物生长的研究各种新老问题,ChromaCL2都有新的帮助。ChromaCL2是Gatan第二代实时彩色阴极发光成像系统。这是一款独特的产品。它具有高效的光学采集和色散能力,采用阵列光电倍增管得到高增益光探测能力。通过DigitalMicrograph软件实时地将光子脉冲信号混合成实时彩色阴极发光图像。彩色的CL图像能提示矿物的组成变化,包括相和痕量元素的分布,从而能够方便地观察化学印记和过生长、生长环带、内部愈合裂缝等等。并且,对于ChromaCL2来说,所有的这些,只需要电子束扫描一次即可全部揭示出来。品牌介绍美国GATAN公司成立于1964年并于70年代末进入中国市场。GATAN公司以其产品的高性能及技术的先进性在全球电镜界享有极高声誉。作为世界领先的设计和制造用于增强和拓展电子显微镜功能的附件厂商,其产品涵盖了从样品制备到成像、分析等所有步骤的需求。产品应用范围包括材料科学、生命科学、地球物理学、电子学,能源科学等领域, 客户范围涵盖全球的科研院所,高校,各类检测机构及大型工业企业实验室,并且在国际科学研究领域得到了广泛认同。经销商介绍欧波同有限公司是中国领先的微纳米技术服务供应商,是一家以外资企业作为投资背景的高新技术企业,总部位于香港,分别在北京、上海、辽宁、山东等地设有分公司和办事处。作为蔡司电子显微镜、GATAN扫描电子显微镜制样设备及附属分析设备在中国地区最重要的战略合作伙伴,公司秉承“打造国内最具影响力的仪器销售品牌”的经营理念,与蔡司,GATAN品牌强强联合,正在为数以万计的中国用户提供高品质的产品与国际尖端技术服务。产品主要技术特点:1、实时彩色成像—单次扫描可获取彩色CL图像,以快速清楚地诠释数据;2、所有波长并行探测—单次扫描即可获取彩色CL图像,以快速清楚地诠释数据;3、金刚石加工的收集镜—大固体角收集CL信号,提高效率和空间分辨率;4、固定的增益、集成的电子学系统—点击鼠标,即可轻松采集数据;5、可伸缩性—达到150mm的伸缩范围;6、固定的插入位置—简单设置即可达到最优化光学采集;7、增强的动态范围—像素强度可高达600,000计数/秒8、实时彩色和紫色成像—灵敏度扩展到紫光范围9、多视场拼接—用自动蒙太奇软件可获取大视场;10、集成的BSED—同时采集二次电子、背散射电子和阴极发光信号;11、消除磷光现象—含有盐酸盐样品的成像;12、电脑平台—Windows7,32-或64-位操作系统产品主要技术参数:1、腔式探测器,可伸缩、可拆卸、金刚石加工的抛物面型采集镜和光导管2、可调插入位置,可锁定回缩位置和定义插入位置。回缩距离为150mm。3、光栅光学系统将光色散到高增益阵列探测器4、可探测的光谱响应范围为~400-800nm5、集成的脉冲放大与甄别电子器件6、配有DigiScan II – 高级数字电子束控制系统。它包含4路TTL脉冲探测电子器件(其中3 路供ChromaCL使用)和2 路高位深模拟输入,用于同时检测SEM信号7、带有DigiScan和ChromaCL插件的DigitalMicrograph软件,用于实时彩色成像、后处理及图像数据的显示与保存8、主流PC,Window 7 32位和22”纯平显示器产品主要应用领域:地质科学矿物化学石油天然气开发光电材料:氮化物半导体薄膜,磷化锢和稀有掺杂材料 图1 页岩图2 单个锆石晶粒中的生长震荡条纹图3 混合起源的油藏石英,显示愈合裂纹和化学增生二次电子像 背散射电子像 ChromaCL2 图4 经过Gatan Ilion+制样后的页岩横截面图像,chromacl2揭示石英颗粒混合来源荧光粉 ChromaCL成像图5 商用高亮度LED
    留言咨询

氮化铟相关的耗材

  • 氮化硅膜
    氮化硅膜主要用于纳米技术研究;支撑强度高,TEM与原子力电镜都可以使用。氮化硅膜极其稳定可以抵抗温度变化上升至1000摄氏度;但是,疏水性,如果需要亲水,建议用刻蚀法:等离子刻蚀,增加电荷。膜厚:100nm、50nm、30nm;孔:1mm×mm 膜粗糙度2nm。型号名称硅框架厚度(μm)窗口尺寸(mm)膜厚(nm)孔厚包装/个产地21505-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm50110美国21500-10氮化硅膜2000.5 x 0.550110美国21502-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm50110美国21525-10氮化硅膜2000.25 x 0.25mm200110美国21522-10氮化硅膜2001.0 x 1.0mm200110美国21524-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国21528-10氮化硅膜2000.1 x 1.5200210美国4112SN-BA氮化硅膜2001.0 x 1.0200110SPI4120SN-BA氮化硅膜2000.5 x 0.5200110SPI
  • 立方氮化硼锯片
    立方氮化硼锯片中立方结构的氮化硼晶体结构类似金刚石,其硬度略低于金刚石,为HV72000-98000兆帕,应用于高速切削或磨削,可提高产品质量、加工效率,同时缩短加工周期和降低加工成本。主要特点具有优于金刚石的热稳定性和对铁族金属的化学惰性,适于加工既硬又韧的材料,如高速钢、工具钢、模具钢、轴承钢、镍和钴基合金、冷硬铸铁等,且磨削钢材时,大多可获得高的磨削比和加工表面质量。 技术参数Φ101.6mm×Φ12.7mm×0.35mm、Φ127mm×Φ12.7mm×0.60mm、Φ152.4mm×Φ12.7mm×1.0mm、Φ203.2mm×Φ25.4mm×1.3mm
  • TEM/SEM用亲水性/疏水性氮化硅窗口
    TEM用亲水性/疏水性氮化硅窗口 有需求请联系上海昭沅仪器设备有限公司! 021-35359028/29技术参数: 亲水性: 低应力氮化硅薄膜上镀有5nm厚度的亲水涂层 疏水性: 低应力氮化硅薄膜上镀有5nm厚度的疏水涂层 表面能:表面表面能 (mJ/m2)标准偏差氮化硅薄膜46.14.3亲水涂层76.12.2疏水图层24.64.4表面粗糙度:表面表面粗糙度 (nm)标准偏差氮化硅薄膜Rq=0.65Ra=0.450.060.02亲水涂层Rq=0.57Ra=0.400.040.03疏水涂层Rq=0.66Ra=0.400.030.05Rq=表面粗糙度 Ra= 平均粗糙度氮化硅薄膜窗规格 窗口类型薄膜厚度窗口尺寸框架尺寸框架厚度50nm单窗口,500x500μmΦ3mm200μm200 nm单窗口,500x500μmΦ3mm200μm15 nm3x3,9窗口,窗口100x100μmΦ3mm200μm 详细资料请咨询:021-35359028/ admin@instsun.com

氮化铟相关的试剂

Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制