金光红

p 　　 strong 仪器信息网讯 /strong 2016年11月29日，山东梦金园珠宝首饰有限公司“挑战纯度极限——最纯的黄金首饰”(99.9999%)吉尼斯世界纪录官方挑战在北京国贸大酒店举行。 /p p style=" text-align: center " /p p style=" text-align: center " img title=" IMG_20161129_150258.jpg" style=" float: none " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201612/insimg/dcca16e3-ed66-41bc-b631-8cce0895f244.jpg" / /p p style=" text-align: center " img title=" IMG_20161129_160059.jpg" style=" float: none " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201612/insimg/7fbf2a30-14e2-4eae-bb20-3f498e15afaa.jpg" / /p p 　　梦金园是目前中国内地最具规模与实力的大型黄金珠宝企业之一。这可能是小编参加的、与分析仪器以及分析测试领域“不太搭边”的一个活动了。其实不然，据了解，梦金园是一家非常重视科技研发，也积极参与标准制定的企业。他们主持、参与起草的标准中也有分析方法的标准，如YS/T 1074-2015《无焊料贵金属饰品化学分析方法 镁钛铬锰铁镍铜锌砷钌铑钯银镉锡锑铱铂铅铋元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法》、T/SDAS4-2016《高纯金化学分析方法 杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》。 /p p 　　不过，这次引起编者兴趣的是另外一件事。就在今年6月，梦金园研发的“金光谱与化学标准样品”成果获得了中国珠宝玉石首饰行业协会科技技术奖一等奖、获得中国黄金协会科学技术奖三等奖。金光谱与化学标样适用于金及金饰品的检测，满足仪器配套和生产的需要，满足《金条》GB/T26021-2010、《金锭》GB/T4134-2015、《金粒》YS/T855-2012等产品标准检测的需要，填补了国内外空白。 /p p style=" text-align: center " img width=" 600" height=" 169" title=" 样品.jpg" style=" width: 600px height: 169px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201612/insimg/b162916b-a8f0-462b-b7e2-63d7c9599bab.jpg" border=" 0" vspace=" 0" hspace=" 0" / /p p style=" text-align: center " img width=" 400" height=" 548" title=" 图像 (187).jpg" style=" width: 400px height: 548px " src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201612/insimg/20d43e39-6c13-4dc5-9625-50d27d1741ea.jpg" border=" 0" vspace=" 0" hspace=" 0" / /p p 　　众所周知，标准物质不仅是化学分析量值传递的基础，而且也是检测分析过程进行质量管理的重要工具。而据专家介绍，目前国内外金光谱与化学标准样品比较缺乏，并且市场上已有的金标准样品中掺杂元素数最多也只有10个，已经不能满足金及金饰品检测的需求。为了满足企业自身以及行业发展的需要，满足多元素分析的需求，2014年，梦金园与一些科研机构合作立项标准样品的研发工作。据介绍，梦金园“金光谱与化学标准样品”研发工作的难点在于掺杂了多达21种杂质元素，并且要求元素掺杂均匀，定值准确。在梦金园以及相关单位的专家共同努力下，历经两年的时间，今年6月，“金光谱与化学标准样品”终于获得批准，样品编号：GSB 04-3312-2016。 /p p 　　据专家介绍，“金光谱与化学标准样品”主要作用包括： /p p 　　一、作为校准物质用于仪器的定度。化学分析仪器一般都是按相对测量方法设计的，在使用前或使用时必须用标准物质进行制备“标准曲线”。如金光谱标样主要用于直读光谱仪、X-荧光光谱仪等仪器的校准 黄金生产冶炼厂、造币厂、黄金饰品企业等都迫切需要 而一套金光谱标样包括5个点，重量500-600克，定价在120多万。 /p p 　　二、作为已知物质，用以评价测量方法。当测量工作用不同的方法或不同的仪器进行时，已知物质可以有助于对新方法和新仪器所测出的结果进行可靠程度的判断。如金化学标准样品可用于对不同仪器所制定的检测方法，如ICP-AES法、ICP-MS法、MP-AES法等进行可靠性评定。 /p p 　　三、作为控制物质，与待测物质同时进行分析。当标准样品得到的分析结果与证书给出的量值在规定限度内一致时，证明待测物质的分析结果是可信的。 /p p 　　四、可用于实验室之间的比对，以及能力验证、分析技术人员考核等。 /p p 　　国家《计量法》规定分析仪器日常使用中要定期检定和经常进行校准，以保证仪器性能合格、运行正常和测试结果准确。“金光谱与化学标准样品”为直读光谱仪器的校准提供了“砝码”，它的出现结束了国内外贵金属光谱测试仪器无标准样品的尴尬局面，填补了国内外该类标准样品的空白。 /p p & nbsp /p

近些年金属回收和废物处理行业迅速发展，对于合金材料的检测需求日益增加，手持合金光谱分析仪作为一款便携的检测工具，成为该行业重要的检测利器。　　手持合金光谱分析仪具有以下特点：　　1. 手持合金光谱分析仪可以准确分析出样品中的各种元素成分。其高精度的检测能力，使得合金材料的检测更为准确可靠。　　2. 手持合金光谱分析仪操作简单，无需复杂的样品处理。并且其设计精巧，可以随时随地进行检测，大大提高检测效率。　　3. 手持合金分析仪可以对各种金属材料进行检测，手持合金光谱仪通常支持多种元素和多种合金的测试与分析，可用于分析金属材料、废旧金属回收、废物处理等多个领域。　　在金属回收领域中，手持合金光谱分析仪可以帮助回收企业快速鉴别金属材料的种类和成分，其次，通过检测回收材料中的有害元素含量，可以有效保护环境和人体健康。此外，手持金属光谱仪还能够辅助回收企业对金属材料进行分类和分级，提高资源利用率。　　在废物处理过程中，手持金属光谱仪可以对废物中的金属材料进行准确检测，以便进行有效的回收再利用。通过增加合金材料回收率，减少环境污染，实现资源循环利用，废物处理行业将得到更好的发展。　　在金属回收和废物处理中使用手持合金光谱仪，可以提高对废旧金属成分和质量的快速鉴别和分析，从而为品质控制、价值评估、资源回收等方面提供更准确、更及时的数据支持。　　赢州科技作为仪景通一级品牌代理商，拥有完整的售前售后服务体系，如有仪器购买或维修需求，可联系赢州科技为您提供原装零部件替换、维修。

世纪金光第二代1200V SiC MOSFET器件【CGE2M120080】 2022年9月26日，世纪金光推出新款SiC 功率器件——第二代1200V 80mΩ SiC MOSFET的器件CGE2M120080，该系列具有更低导通电阻，高开关速度，低开关损耗等特性，主要用于开关电源、电机驱动器、电动汽车OBC、充电桩、光伏逆变等领域。表1 CGE2M120080 SiC MOSFET器件主要规格参数新产品单位面积导通电阻RDS(on)相对于上一代产品下降了大约53%，栅总电荷量下降52%，使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(on)×Qgd）”降低了大约78%，有效提升开关速度，从而使开关损耗减小超过20%，整体性能表现居先进水平。此产品为世纪金光第二代MOSFET平台下首款产品，我们后续将继续扩展SiC MOSFET功率器件产品线，开发更多电压电流规格的产品，提升器件性能、降低开关损耗，提升设备效率，持续地为客户提供更优质的产品。产品特点显著改善导通电阻和RDS(on)*Qgd （FOM） 01图1 新一代产品导通电阻和FOM对比图 图2 RDS(on)-ID曲线图&栅总电荷曲线图 与第一代产品相比，通过沟道及JFET优化技术，单位面积导通电阻RDS(on)降低了大约53%，主要应用电流比导通电阻均达到3.5mΩcm2以下；RDS(on)*Qgd下降78%，约为1500 mΩnC；栅总电荷量下降52%，低至54.5nC，为实现更高速应用奠定基础。开关时间减小，速度提升02图3 新品开通/关断延迟时间对比图第一代和第二代SiC MOSFET开关曲线如上图。第二代产品开关时间减小，从而使开关损耗减小超过20%。温度稳定性提高，降低散热压力03图4导通电阻随温度变化曲线第二代SiC MOSFET器件，改进设计工艺，优化器件封装，在温度稳定性方面，尤其是高温状态下，器件参数变化更小。有效降低应用中热设计难度，减轻散热压力。体二极管导通压降下降，续流能力增强04图5 不同栅极电压下导通压降随电流变化曲线采用二极管增强结构设计，有效降低体二极管导通压降，较前一代导通压降下降超过1V。感性负载下提供更强的电流续流能力，有效降低能量损耗，提高系统能量利用率。应用领域开关电源（服务器电源、通信电源等）光伏逆变器电动汽车OBC开关电源（服务器电源、通信电源等）充电桩北京世纪金光半导体（以下简称“世纪金光”）是一家专注于碳化硅功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术公司，深耕第三代半导体产业15年。公司以“自主创新”为己任，专注于战略新兴半导体的研发与生产，经过多年的发展，已创新性的解决了高纯碳化硅粉料提纯技术、6英寸碳化硅单晶制备技术、高压低导通电阻碳化硅SBD、MOSFET结构及工艺设计技术等。目前已完成从碳化硅功能材料生长、功率元器件和模块制备、行业应用开发和解决方案提供等关键领域的全面布局。