碘化亚铜

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  • 亚铁氰化钾 和 碘化亚铜 的问题

    1.亚铁氰化钾 国标中:鉴别方法 本品应呈亚铁氰化物反应和钠、钾盐反应。  亚铁氰化物反应 取1%的试液10mL,加2.5%三氯化铁溶液1mL,生成暗蓝色沉淀,过滤。取滤液中和后浓缩至1/3,加高氯酸(1:10)溶液2滴,即产生白色沉淀。不溶于氢氧化钠溶液或氨水,溶于硫酸溶液。(1).....取滤液中和.....是中和滤液中的什么?用什么来中和?(2).....2滴,即产生白色沉淀.....所产生的白色沉淀是什么??2.碘化亚铜 本来这东西不溶于水,取样品(分析纯)少量与少量固体硝酸银混合,加水,有黑色沉淀,溶液部分变绿色,原以为是鉴别碘离子的反应,看现象估计银离子和亚铜离子反应了。。。。求一个碘化亚铜的鉴别反应谢谢~~!

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  • GB/T 27562 氯化亚铜

    采用GB/T 27562(见附件)方法对氯化亚铜含量进行分析检验,主含量超百(100.3%)正常吗?重铬酸钾溶液没问题,六水合氯化铁没问题。产生超百还有可能是什么原因?

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  • 研究|具有超低热导率的宽直接带隙半导体单层碘化亚铜(CuI)
    01背景介绍自石墨烯被发现以来,二维(two-dimensional, 2D)材料因其奇妙的特性吸引了大量的研究兴趣。特别是二维形式的材料由于更大的面体积比可以更有效的性能调节,通常表现出比块体材料更好的性能。迄今为止,已有许多具有优异性能的二维材料被报道和研究,如硅烯、磷烯、MoS2等,它们在电子、光电子、催化、热电等方面显示出应用潜力。在微电子革命中,宽带隙半导体占有关键地位。例如,2014年诺贝尔物理学奖材料氮化镓(GaN)已被广泛应用于大功率电子设备和蓝光LED中。此外,氧化锌(ZnO)也是一种广泛应用于透明电子领域的n型半导体,其直接宽频带隙可达3.4 eV。在透明电子的潜在应用中,n型半导体的有效质量通常较小,而p型半导体的有效质量通常较大。然而,人们发现立方纤锌矿(γ-CuI)中的块状碘化铜是一种有效质量小的p型半导体,具有较高的载流子迁移率,在与n型半导体耦合的应用中很有用。例如,γ-CuI由于其较大的Seebeck系数,在热电中具有潜在的应用。二维材料与块体材料相比,一般具有额外的突出性能,因此预期单层CuI可能比γ-CuI具有更好的性能。作为一种非层状I-VII族化合物,CuI存在α、β和γ三个不同的相。温度的变化会导致CuI的相变,即在温度超过643 K时,从立方的γ-相转变为六方的β-相,在温度超过673 K时,β-相进一步转变为立方的α-相。因此,不同的条件下,CuI的结构是很丰富的。超薄的二维γ-CuI纳米片已于2018年在实验上成功合成 [npj 2D Mater. Appl., 2018, 2, 1–7.]。然而,合成的CuI纳米片是非层状γ-CuI的膜状结构,由于尺寸的限制,单层CuI的结构可能与γ-CuI薄膜中的单层结构不同。因此,需要对单层CuI的结构和稳定性进行全面研究。在这项研究中,我们预测了单层CuI的稳定结构,并系统地开展电子、光学和热性质的研究。与γ-CuI相比,单层CuI中发现直接带隙较大,可实现超高的光传输。此外,预测了单层CuI的超低热导率,比大多数半导体低1 ~ 2个数量级。直接宽频带隙和超低热导率的单层CuI使其在透明和可穿戴电子产品方面有潜在应用。02成果掠影近日,湖南大学的徐金园(第一作者)、陈艾伶(第二作者)、余林凤(第三作者)、魏东海(第四作者)、秦光照(通讯作者),和郑州大学的秦真真、田骐琨(第五作者)、湘潭大学的王慧敏开展合作研究,基于第一性原理计算,预测了p型宽带隙半导体γ-CuI(碘化亚铜)的单层对应物的稳定结构,并结合声子玻尔兹曼方程研究了其传热特性。单层CuI的热导率仅为0.116 W m-1K-1,甚至能与空气的热导率(0.023 W m-1K-1)相当,大大低于γ-CuI (0.997 W m-1K-1)和其他典型半导体。此外,单层CuI具有3.57 eV的超宽直接带隙,比γ-CuI (2.95-3.1 eV)更大,具有更好的光学性能,在纳米/光电子领域有广阔的应用前景。单层CuI在电子、光学和热输运性能方面具有多功能优势,本研究报道的单层CuI极低的热导率和宽直接带隙将在透明电子和可穿戴电子领域有潜在的应用前景。研究成果以“The record low thermal conductivity of monolayer Cuprous Iodide (CuI) with direct wide bandgap”为题发表于《Nanoscale》期刊。03图文导读图1. 声子色散证实了CuI单层结构的稳定性。单层CuI(记为ML-CuI)几种可能的结构:(a)类石墨烯结构,(b)稳定的四原子层结构,(c)夹层结构。(d)稳定的γ相快体结构(记为γ-CuI)。(e-h)声子色散曲线对应于(a-d)所示的结构。给出了部分状态密度(pDOS)。通过测试二维材料的所有可能的结构模式,发现除了如图1(b)所示的弯曲夹层结构外,单层CuI都存在虚频。平面六边形蜂窝结构中的单层CuI,类似于石墨烯和三明治夹层结构,如图1(a,c)所示作为对比示例,其中声子色散中的虚频揭示了其结构的不稳定性[图1(e,f)]。因此,通过考察单层CuI在不同二维结构模式下的稳定性,成功发现单层CuI具有两个弯曲子层的稳定结构,表现出与硅烯相似的特征。优化后的单层CuI晶格常数为a꞊b꞊4.18 Å,与实验结果(4.19 Å)吻合较好。而在空间群为F3m的闪锌矿结构中,得到的优化晶格常数a=b=c=6.08 Å与文献的结果(5.99-6.03 Å)吻合较好。此外,LDA泛函优化得到的单层CuI和γ-CuI的晶格常数分别为4.01和5.87 Å,为此后续计算都基于更准确的PBE泛函。通过观察晶格振动的投影态密度,发现Cu和I原子在不同频率下的贡献几乎相等。此外,光学声子分支之间存在带隙[图1(g)],这可能导致先前报道的光学声子模式散射减弱。相反,在γ-CuI中不存在声子频率带隙[图1(h)]。图2. 热导率及相关参数的收敛性测试。(a)原子间相互作用随原子距离的变化。(b)热导率对截断距离的收敛性。彩色椭圆标记收敛值。(c)热导率相对于Q点的收敛性。(d)单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的函数关系。在稳定结构的基础上,比较研究了单层CuI和γ-CuI的热输运性质。基于原子间相互作用的分析验证了热导率的收敛性[图2(a)]。如图2(b)所示,热导率随着截止距离的增加而降低,其中出现了几个阶段。热导率的下降是由于更多的原子间相互作用和更多的声子-声子散射。注意,当截止距离大于6 Å时,热导率仍呈下降趋势,说明CuI单层中长程相互作用的影响显著。这种长程的相互作用通常存在于具有共振键的材料中,如磷烯和PbTe。通过收敛性测试,预测单层CuI在300 K时的热导率为0.116 W m-1K-1[图2(c)],这是接近空气热导率的极低值。单层CuI的超低热导率远远低于大多数已知的半导体。此外,计算得到的γ-CuI的热导率为0.997 W m-1K-1,与Yang等的实验结果~0.55 W m-1K-1基本吻合,值得注意的是Yang等人的实验结果测量了多晶态γ-CuI。此外,单层CuI和γ-CuI的热导率随温度的变化完全符合1/T递减关系[图2(d)]。考虑到温度对热输运的影响,今后研究声子水动力效应对单层CuI热输运特性的影响,特别是在低温条件下,可能是很有意义的。图3. 单层CuI和γ-CuI在300 K的热输运特性。(a)群速度,(b)相空间,(c)声子弛豫时间,(d) Grüneisen参数,(e)尺寸相关热导率的模态分析。(f)平面外方向(ZA)、横向(TA)和纵向(LA)声子和光学声子分支对热导率的贡献百分比。超低导热率的潜在机制可能与重原子Cu和I有关,也可能与单层CuI的屈曲结构有关。声子群速度[图3(a)]和弛豫时间[图3(c)]都较小,而散射相空间[图3(b)]较大。总的来说,单层CuI (1.6055)的Grüneisen参数的绝对总值显著大于γ-CuI (0.4828)。即使在低频下Grüneisen参数没有显著差异[图3(d)],单层CuI和γ-CuI的声子散射相空间却相差近一个数量级,如图3(b)所示。因此,低频声子弛豫时间的显著差异[图3(c)]在于不同的散射相空间。此外,单层CuI的声子平均自由程(MFP)低于γ-CuI,如图3(e)所示。因此,在单层CuI中产生了超低的热导率,这将有利于电源在可穿戴设备或物联网的应用,具有良好的热电性能。此外,详细分析发现,光学声子模式在单层CuI[图3(f)]中的较大贡献是由于相应频率处相空间相对较小,这是由图1(g)所示的光学声子分支之间的带隙造成的。图4. 单层CuI的电子结构。(a)单层CuI和(h)γ-CuI的电子能带结构,其中电子局部化函数(ELF)以插图形式表示。(b-d)单层CuI和(i)γ-CuI的轨道投影态密度(pDOS)。(e)透射系数,(f)吸收系数,(g)反射系数。在验证了CuI单层结构稳定的情况后,进一步研究其电子结构,如图4(a)所示。利用PBE泛函,预测了单层CuI的直接带隙,导带最小值(CBM)和价带最大值(VBM)都位于Gamma点。PBE预测其带隙为2.07 eV。我们利用HSE06进行了高精度计算,得到带隙为3.57 eV。如图4 (h)所示,单层CuI的带隙(3.57 eV)大于体γ-CuI的带隙(2.95 eV),这与Mustonen, K.等报道的3.17 eV非常吻合,使单层CuI成为一种很有前景的直接宽频带隙半导体。此外,VBM主要由Cu-d轨道贡献,如图4(b-d)的pDOS所示。能带结构、pDOS和ELF揭示的电子特性的不同行为是单层CuI和γ-CuI不同热输运性质的原因。电子结构对光学性质也有重要影响。如图4(e-g)所示,在0 - 7ev的能量范围内,单层CuI的吸收系数[图4(f)]和折射系数[图4(g)]不断增大,说明单层CuI在该区域的吸收和折射能力增强。相应的,随着透射系数的减小,单层CuI的光子传输能力[图4(e)]也变弱。当光子能量大于7 eV时,CuI的吸收和折射系数开始显著减弱,最终在8 eV的能量阈值处达到一个平台。值得注意的是,与声子的吸收和传输能力相比,单层CuI对光子的反射效率较低,最高不超过2%。对于光子吸收,单层CuI的工作区域在5.0 - 7.5 eV的能量范围内,而可见光的光子能量在1.62 - 3.11 eV之间。显然,CuI的主要吸收光是紫外光,高达20%。
  • 水相中氧化亚铜-锐钛矿异质结上太阳光驱动的5-羟甲基糠醛催化选择氧化
    1.文章信息标题:Sunlight-drivenphotocatalyticoxidationof5-hydroxymethylfurfuraloveracuprousoxide-anataseheterostructureinaqueousphase中文标题:水相中氧化亚铜-锐钛矿异质结上太阳光驱动的5-羟甲基糠醛催化选择氧化页码:AppliedCatalysisB:Environmental320(2023)122006DOI:https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2022.1220062.文章链接https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2022.1220063.期刊信息期刊名:AppliedCatalysisB:EnvironmentalISSN:0926-33732021年影响因子:24.319分区信息:中科院一区Top涉及研究方向:化学4.作者信息第一作者是:云南大学张奇钊;通讯作者:云南大学方文浩。5.光源型号:CEL-HXF300-T3文章简介将5-羟甲基糠醛(HMF)选择氧化为2,5-二甲酰基呋喃(DFF)是糠醛类生物质平台分子转化利用的重要途径之一。DFF是合成糠基生物聚合物、药物中间体、杀菌剂以及荧光剂等的重要单体。传统的热催化氧化技术通常依赖于苛刻的温度和氧压,容易诱发安全和环境隐患。因此,迫切需要开发在温和条件下高效转化HMF为DFF的环境友好型催化体系。于是,光催化氧化技术,因为具有光生空穴和氧气存在下产生的活性氧物种可以在温和条件下驱动该反应的进行而成为科学家们研究的热点。然而现有的金属氧化物光催化剂的制备大部分较为复杂或者以有机试剂(即乙腈、三氟化苯等)作为反应溶剂导致较高的制备成本和环境污染。因此,非常需要低成本、易于制备和易于调节的氧化物催化剂。此外,使用水代替有机溶剂作为反应介质更环保,但对于金属氧化物催化剂来说可能具有很大的挑战性。因为作为副产物的水往往会阻碍正向反应,并且水也可能加剧金属浸出。基于上述研究背景,云南大学化学科学与工程学院方文浩教授课题组通过化学还原沉淀法制备了具有p-n异质结的(Cu2O)x‖TiO2光催化剂,实现了以H2O为反应溶剂,O2作为氧化剂,在无任何添加剂条件下高效利用太阳光催化氧化HMF制DFF。通过调变两种金属的比例和二氧化钛的晶相,深入研究了催化剂能带结构对反应机理的影响。研究发现Cu2O的含量决定HMF的转化率,而TiO2的晶相(即锐钛矿和金红石)影响DFF的选择性。通过清除剂实验研究揭示了空穴(h+)会将HMF深度氧化为CO2,而单线态氧(1O2)能够将HMF选择氧化为DFF。结合莫特肖特基曲线和价带谱数据可以推出半导体的能带结构,由此可得Cu2O的价带位置显然比HMF氧化为DFF的氧化电位更正,但比DFF的氧化电位更负。这表明Cu2O的价带上的光生空穴可以将HMF氧化成DFF,但不能进一步氧化DFF。相反,TiO2的价带位置比DFF的氧化电位更负,因此TiO2价带上的光生空穴能够进一步氧化DFF。p-n异质结的形成不仅抑制了TiO2上羟基自由基(•OH)的产生,而且还促进了O2在Cu2O上活化产生1O2。因此p-n异质结的形成增强了Cu2O的氧化还原能力同时增强了TiO2光利用效率。此外,通过光致发光谱,光电流响应以及电化学阻抗谱表征发现(Cu2O)0.16‖TiO2(A)具有最佳的光生电子和空穴的分离效率以及最佳的电荷迁移效率。与此相对应的,(Cu2O)0.16‖TiO2(A)催化剂在水相、35℃、10mLmin-1O2和模拟太阳光下的温和条件下(如图1所示),产生64.5mggcatal.-1h-1的DFF生成速率。这是目前文献报道的以水为反应介质金属氧化物光催化剂上取得的最佳结果。此外,该催化剂可直接在太阳光和空气下工作,且多次循环使用未见失活。该工作通过一系列的光电性质与形貌表征,深入揭示了异质结催化剂中两种半导体间的强相互作用。研究了在光催化反应过程中光生空穴与各个活性氧物种的作用。并通过能带结构解释了晶相与催化活性的构效关联问题。期望本研究建立的反应选择性和能带结构之间的关系可以应用于其他异质结光催化体系。
  • 赫施曼助力黄酒中总糖的测定
    黄酒是中华民族的传统酒,也是华夏瑰宝。随看人们生活质量的提高和健康意识的增强,人们对黄酒的类型、品质也有了更高的要求与追求。黄酒的总糖含量是区别不同类型黄酒的主要指标,根据其中的总糖含量,可将黄酒分为干黄酒、半干黄酒、半甜黄酒、甜黄酒。根据GB/T 13662-2018,总糖的测定有廉爱农法、亚铁氰化钾滴定法。1. 廉爱农法费林试剂与还原糖共沸,生成氧化亚铜沉淀。以次甲基蓝为指示液,用试样水解液滴定沸腾状态的费林溶液。达到终点时,稍微过量的还原糖将次甲基蓝还原成无色为终点,依据试样水解液的消耗体积,计算总糖含量。试样的测定:吸取试样2~10mL于500mL容量瓶中,加水50mL和盐酸溶液5mL,在68~70℃水浴中加15min。冷却后,加入甲基红指示液2滴,用氢氧化钠溶液中和至红色消失,加水定溶至500mL,摇匀,用滤纸过滤后,作为试样水解液备用。测定时,以试样水解液代替葡萄糖标准溶液,操作步骤同干型黄酒的总糖检测方法。2.亚铁氰化钾滴定法费林溶液与还原糖共沸,在碱性溶液中将铜离子还原成亚铜离子,并与溶液中的亚铁氰化钾络合而呈黄色,以次甲基蓝为指示,达到终点时,稍微过量的还原糖将次甲基蓝还原成无色为终点。根据试样水解液的消耗体积,计算总糖含量。试样的测定:(1)预滴定:准确吸取甲溶液【称取硫酸铜(CuSO45H2O)15.0g及次甲基蓝0.05g,加水溶解并定容至1000mL,摇匀】、乙溶液【称取酒石酸钾钠(C4H4KNaO64H2O)50g、氢氧化钠54g、亚铁氰化钾4g,加水溶解并定容至1000mL,摇匀】、试样水解液各5mL于100mL锥形瓶中,摇匀后置于电炉上加热至沸腾,用葡萄糖标准溶液滴定至终点,记录消耗葡萄糖标准溶液的体积;(2)滴定:准确吸取甲溶液、乙溶液、试样水解液各5mL于100mL锥形瓶中,加入比预滴定少1.00mL的葡糖标准溶液,摇匀后置于电炉上加热至沸腾,继续用葡萄糖标准溶液滴定至终点。记录消耗葡萄糖标准溶液的体积。接近终点时,滴入葡萄糖标准溶液的用量控制在0.5~1.0mL。滴定法一般使用的是玻璃滴定管,对试验人员的技术水平、实操经验和耐心的要求较高,有灌液慢、控速难,读数乱(不同人次、位置的凹液面读数可能出现偏差)三大痛点。赫施曼的光能滴定器可抽提加液、手转控制滴定速度,光能板供电无需电池;赫施曼的opus电子滴定器可通过触屏来进行灌液,可以正常滴定,也可以半滴滴定(每次出液约20uL),此外还有预滴定功能(可设定添加一定体积的滴定液,然后再继续进行常规滴定,数值累加)。这两种滴定器均为屏幕直接读数,可连接电脑输出数据,针对性解决了三大痛点,可提高工作效率、降低目视误差,无需大量实操经验,降低了培训成本和人员个体差异,所得数据也更加准确、稳定。

碘化亚铜相关的仪器

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  • 安徽1901奥氏气体分析器1901具三管气体分析
    GAS ANALYSIS APPARATUS Orsat with three absorption pipettes一、概况及用途: 该仪器是用硼硅玻璃经灯工加工、刻度制成吸收瓶(三副或四副)、量管、水准瓶、梳形管、干燥管后与木架等配套组成,由于零件较多、工艺复杂故生产周期较长。它适用于工业上分析烟道气体中所含二氧化碳、 氧、 一氧化碳和不饱和烃等气体,也适用于环境保护对大气成份`的分析以及对粮食、蔬菜、水果等保管工作中对氧气的测定。二、造型及原理: 本仪器由下列零件组成。 气体量管:是量取气体体积之用,容量为 100ml,并附有水套管、量管的刻度为0一10ml无分度,40一50ml无分度、10一40m ]之间的最小分度为1阍、50、100m1之间的最小分度为0 .2m1,水套管是避免量管中的气体不受外界温度变化引起的测定误差,量管的下端与水准瓶连接,上管与梳形活塞相连。气体吸收瓶:又叫接触式或填充式吸收瓶,它是由两个河柱形玻璃管用U形管焊接相连而成,其中一只圆柱形玻璃管内装入细玻璃管(其中一只管内的细玻璃管内装有铜,,,它是用来增大气体与吸收液的接蚀面积增加吸收效果,三管分析器兴宥三副吸收瓶,四管气休分析器具有四副吸收瓶,每副吸收瓶附有直角弯管一支。 梳形活塞管是连接吸收瓶及气体量管作导气用,三管气、体分析器的形活塞管具有四个活塞,四管气体分朽器的梳形活塞管具有五个活塞,其中末端的一只三通活塞是用来通入气源或与外界隔绝及通大气用:水准瓶是一个无塞小口瓶,瓶下端有一小支管,是盛装封闭液用 , 容量为250m1 下端的小支管用胶管与量管相连接, 利用封闭液在 管内升 的抽送作用 , 进行进气或排气的操作。(J形;是与梳形活塞管的进气管连接,进气怍时起干燥和防尘作木箱及其它配件亻1安装仪器用。其原理 : 利用各种气体组分,能被适当的试剂选择地吸收性质《将混合气体逐一加以顺序吸收,用氢氧化钾吸收二氧化磷: 用焦性没食子酸吸收氧 , 用氯化亚铜溶液吸收一氧化碳 (,氯化亚铜氨溶液应注入带有铜丝的吸收瓶中),然后根据吸收前后气体体积的变化逐一依次地计出各种气体的组分。三、使用方法: (一) 注液:向量管的套管注满水,它是防止外界温度波动而引起测量误差之用。量管下端用管与水准瓶支管相连,在水准瓶内注入含有10%硫酸并滴入几滴甲基橙指示剂的封闭液。在吸收器0)注入33%氢氧化钾溶液,它是吸收二氧化碳用。在吸收器(2)注入连二亚硫酸钠的碱溶液以吸收氧用。在具铜丝吸收器(3)注入氯化亚铜的氨水溶液,以吸收一氧化碳。 (二) 安装:將仪器按图装好,将三通活塞转到与大气相通位置,升高水准瓶,使封闭液到达量管上部的标线,把空气自仪器中逐出,再将三通活塞转到使仪器与大气隔绝的能置,打开吸收器(1)活塞缓慢地降下水冲瓶,使吸收器(1)的液面升至活寨下的细管中部止,关闭吸收器(1)活塞,然后再按此方法,把吸收器(2)和(3)的液面也提到细管中部。 (三) 检查仪器的严密性:用上述方法使封闭液到达量管标线关闭三通活塞,使仪器与大气隔绝,把水准放到仪器的底板上 浩减压状态一如液面开始有时稍微有些下降但随后不再下降即表示仪器不漏气,否则要检查漏气的部位及时纠正。 (四) 气体取样:把灌有气样的“球胆"与仪器的三通活塞支管进口连接,使气样进入量管由于梳形管和支管还有空气存在,所以要用气样的气体把这部分空气冲掉,把气样吸入量管20一25m },然后再把这部分气体经梳形管和三路活塞排出仪器外面,重复2、3次后就能进行气样分析。在量管中吸收气样,其量稍大于100毫升,升高水准瓶将气体压缩,精确量取100毫升气样,多余气体排到大气中去。任量乘气体时必须将水准瓶移近量管,使两者液面处于同一高度,这样可使量管中的压力与大气压力平衡。 (五)吸收:依次分析二氧化碳、,氧、一氧化碳。先打开吸收器(' 1)活塞慢慢升高水准瓶,使气样与氢氧化钾溶液吸收,.反复数次使吸收器液面回复到原来标线位置再用水准瓶移近量管量出被吸收后所剩下气体体积记下读数,往复操作一次,如果两次所量得的体积相差小于0.2毫升,则可认为恒定的,仍继续.把剩下的气样移入吸收器〈2)作氧的吸收,方法与二氧化碳相同,依次进行即可测出,二氧化碳、氧、 .氧化碳的含量剩下的气体即为氮气。四管分析器的使用方法与三管分析器相同,它的吸收顺序是一氧化碳、不饱和烃、氧、 .氧化碳从总体积中依次减剩下来的体积即为氮的含量。对不饱和烃的吸收可用溴水作吸收剂。必须注意:仪器各种零件都用胶管连接,应严密不漏气一玻璃管之间应尽量紧靠少留间隙I造成较大误差,在操作时速度不能过猛,以免吸收瓶中的吸收液冲入梳形管内造成相互“串液",如发生“串液"须将仪器拆下洗净,更换吸收液后再用,各组分的吸收次序不可改变,因焦性没食子酸也可吸收氧及二氧化碳、氯化亚铜溶液也可吸收氧和不饱和烃,如使用焦性没食了酸吸收液时必须在吸收液上加入一层石蜡油作隔离空气用。
  • 掺铊碘化铯
    优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体,可根据用户要求做成薄片的荧光屏,典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器,包括:棱镜型/球形或薄片型,并提供当面抛光,双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测,具有如下典型应用:荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择:*标准的成像屏:直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于:X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏:超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm,耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是:厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏,不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下: CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏:厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏:厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆,极易损坏,为此,我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏,或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件,根据不同的闪烁材料和应用,我们提供如下多种材料的导光元件: 有机玻璃(PMMA),近紫外的特殊有机玻璃,光学玻璃BK7, 石英玻璃,有机玻璃或石英玻璃光纤,蓝宝石,YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成,特别适合电子探测和成像,并配备多样的导光元件,非常方便测量。 闪烁探测器:提供多种类型的探测器用于电镜,这些探测器具有工作寿命长,荧光效率好等特点,提供的标准产品有: 标准探测器:SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器:带镜头的探测器,阵列探测器,阴极荧光探测器(CL)

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