一、产品描述MFLPECVD408-12是一款PECVD系统的管式炉系统。由真空管式炉、射频电源、供气系统、真空系统组成。 最高温度可以达到1200度,采用30段程序温控仪表,K型热电偶,炉膛为高纯氧化铝陶瓷纤维,此设备可用于生长纳米线或用CVD方法制备各种薄膜。二、产品特点1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。二、技术参数设备型号MFLPECVD408-12管式炉控温范围室温-1200℃工作温度≤1100℃加热区长度400mm石英管直径 80mm,长 1400mm (管径可选 50, 60 ,100)控温精度<1000 ±0.1℃ ; ≥1000±1℃恒温波动±1℃(测试点为1000℃)升温速度推荐1000度以下≤10℃/min,最快升温速度≤30℃/min降温速度700℃以上≤10℃/min炉表温度炉体表面温度小于室温+10(测量点为1000℃)测温元件K型热电偶控温模式模糊PID控制和自整定调节,智能化30段可编程控制,具有超温和断偶报警功能电压功率220V 3KW供气系统气路通道4路气路流量控制质子流量控制器(七星流量计)控制精度±1.5%F.S重复精度±0.2%F.S流量范围1-500 SCCM机械压力表一块机械压力表在面板,和混气灌连接量程:-0.1~0.15 Mpa真空系统方案一(低真空:机械泵)电源220V极限真空度5X10-1 Pa抽气速率2升/每秒真空挡板阀 KF25型号VRD-8电机功率0.4KW真空系统方案二(高真空:机械泵+分子泵机组)型号GZK-16-600 电源AC100-240 50/60HZ 功率1KW 重量25KG 极限压强1.0*10-4Pa进、排气接口KF40冷水机最大流量10L/MIN真空计复合真空计真空控制精度± 1%真空计测量范围1.0x10 - 1.0x10-5pa 电源(等离子体发生器)功率输出范围 0-500W功率稳定度≤±5W工作频率射频:13.56MHZ±0.005%匹配方式自动冷却方式风冷噪声 50dB安全工作环境RT±5-40℃使用保障开门断电 超温报警 漏电保护 过温保护管式炉一台出厂清单真空系统一套供气系统一套射频电源一套高温手套卡斯顿一双炉勾一把气管一根设备说明书一份仪表说明书一份保修卡一份选购品移动炉架不锈钢触摸屏智能仪表50段编程,可实现与计算机连接。通过专用的计算机控制系统来完成与单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。注:管径可选:50/60/80/100/120/150/200/300 mm , 温区可以做双温区,三温区等多温区, 请联系客服
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