彩色显影剂

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彩色显影剂相关的资料

彩色显影剂相关的论坛

  • 显影剂测试

    哪位测试过彩色显影剂或者显影剂及其氧化物?难度很大吗?

彩色显影剂相关的方案

彩色显影剂相关的资讯

  • 芯源微:前道涂胶显影机可与ASML等光刻机联机应用
    近日,芯源微披露投资者关系活动记录表指出,公司前道涂胶显影机与国际光刻机联机的技术问题已经攻克并通过验证,可以与包括ASML、佳能等国际品牌以及国内的上海微电子(SMEE)的光刻机联机应用。芯源微表示,涂胶显影机在Iline、KrF、向ArF等技术升级的过程中,主要技术难点在于涂胶显影机结构复杂,运行部件多。研发升级在技术上有很大的跨度,主要体现在颗粒污染物的控制方面,例如烘烤精 度、多腔体的一致性及均匀性、不同光刻胶的涂胶显影工艺精 细化控制,以及设备整体颗粒污染物控制等。据悉,当前,全球半导体设备市场的主要份额基本被国外厂商占据,如美国应用材料、荷兰阿斯麦、美国泛林集团、日本东京电子、美国科天等,为了突破这一卡脖子技术,近年来,国产半导体企业亦在奋力追赶,希望尽早实现国产替代。资料显示,芯源微成立于2002年,是由中科院沈阳自动化研究所发起创建的国家高新技术企业,专业从事半导体生产设备的研发、生产、销售与服务。图片来源:芯源微公告芯源微产品广泛应用于半导体生产、高端封装、MEMS、LED、OLED、3D-IC TSV、PV等领域,产品包括光刻工序涂胶显影设备和单片式湿法设备,可用于8/12英寸单晶圆处理及6英寸及以下单晶圆处理。目前,芯源微的主要客户包括中芯国际、华力微电子、长江存储、台积电、华为、上海积塔、株洲中车、青岛芯恩、长电科技、通富微电、华天科技、晶方科技、华灿光电、乾照光电、澳洋顺昌等半导体知名厂商。作为芯源微的标杆产品,光刻工序涂胶显影设备成功打破国外厂商垄断并填补国内空白,其中,在集成电路前道晶圆加工环节,作为国产化设备已逐步得到验证,实现小批量替代;在集成电路制造后道先进封装、化合物、MEMS、LED 芯片制造等环节,作为国内厂商主流机型已广泛应用在国内知名大厂,成功实现进口替代。新华社此前报道,芯源微产品在匀胶显影技术领域居国内第一,达到国际先进水平。芯源微在记录表指出,公司现有的厂区已经是满负荷运转,同时新厂房也在建设当中,按照计划将于2021年4季度投入使用,届时对公司产能提升会起到非常大的作用。
  • 沈阳芯源KrF涂胶显影机台入驻士兰集科暨双方达成战略合作关系
    2022年6月10日,沈阳芯源12寸KrF涂胶显影设备顺利入驻厦门士兰集科。作为士兰集科引入的首台国产高产能KrF涂胶显影机台,沈阳芯源产品获得了客户的高度重视和充分认可,士兰集科总经理黄军华、副总经理李文深、相关技术和商务代表,沈阳芯源公司董事长兼总裁宗润福、前道设计总监程虎、市场总监王星园以及现场服务代表出席了搬入仪式。此次沈阳芯源公司12寸高产能KrF涂胶显影量产机台的顺利交付,将会为士兰集科提供更加高端的光刻工艺解决方案及服务,为士兰集科后续高端产品稳定量产、产线升级扩产提供更为安全的供应链保障。同时,士兰集科作为中国大陆12寸晶圆特种工艺产线的领导者,也为集成电路高端设备国产化替代提供了优秀的平台和机遇。搬入仪式完成后,双方进行了深入友好的商务交流,沈阳芯源与士兰集科签署了战略合作协议。本次战略合作的达成,既是对过往双方成功合作的肯定,也是对未来深入合作的无限期许,双方也将继续携手前行,协同发展,同“芯”聚力,共创辉煌!
  • 紫外光度法测定环境空气臭氧等六项环保标准发布
    关于发布《环境空气 臭氧的测定 紫外光度法》等六项国家环境保护标准的公告   为贯彻《中华人民共和国环境保护法》,保护环境,保障人体健康,现批准《环境空气 臭氧的测定 紫外光度法》等六项标准为国家环境保护标准,并予发布。   标准名称、编号如下:   一、环境空气 臭氧的测定 紫外光度法(HJ 590-2010);   二、水质 五氯酚的测定 气相色谱法(HJ 591-2010);   三、水质 硝基苯类化合物的测定 气相色谱法(HJ 592-2010);   四、水质 单质磷的测定 磷钼蓝分光光度法(暂行)(HJ 593-2010);   五、水质 显影剂及其氧化物总量的测定 碘-淀粉分光光度法(暂行)(HJ 594-2010) ;   六、水质 彩色显影剂总量的测定 169成色剂分光光度法(暂行)(HJ 595-2010)。   以上标准自2011年1月1日起实施,由中国环境科学出版社出版,标准内容可在环境保护部网站(bz.mep.gov.cn)查询。   自以上标准实施之日起,由原国家环境保护局批准、发布的下述三项国家环境保护标准废止,标准名称、编号如下:   一、环境空气 臭氧的测定 紫外分光光度法 (GB/T 15438-1995)   二、水质 五氯酚的测定 气相色谱法(GB 8972-88)   三、工业废水 总硝基化合物的测定 气相色谱法(GB 4919-85)。   特此公告。   二○一○年十月二十一日

彩色显影剂相关的仪器

  • 实验型显影机 400-860-5168转5919
    v 全封闭式桌面显影机,主要用于半导体制造中晶片的显影工艺,设备配有一路显影和一路水、一路气吹功能,并且喷嘴位置可程控移动,实现自动显影和清洗作业v 支持wafer尺寸:碎片至200mm(可根据客户需求定制四管路或更大基片)v 单步工艺及多步工艺可选,内置100组可编辑程序v 转速分辨率:±1 RPMv 旋涂速度:20-3000rpm(空载)v 旋涂加速度:10-10,000rpm/sec(空载)工艺时间设定:0-3,000sec/step,时间设置精度: 0.1sec深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供--实验型显影机customized-2,--customized-2为进口实验型显影机。除了有实验型显影机的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多进口及国产实验型显影机,客服电话400-860-5168转5919,售前售后均可联系。
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  • 显影机DEVELOPER 400-860-5168转3827
    显影机DEVELOPER设计用于以下应用:显影、清洁和干燥应用于显影工艺的设备,适用的基板尺寸最大到8英寸的圆片 和最大到6英寸x6英寸的方片。新设计的三片式可拆卸工艺腔体可实现良好的工艺均匀 性和重复性,设备也可用于清洗和旋干工艺。 落地式柜体经专门设计,方便操作和维修。它是一款手动显影机,适用于实验室开展科学研究和技术开发。设备具有多选项(例如可编程流体输送臂)并且可以升级成自动化的系统达到更高的片到片工艺重复性。1. UNIXX D20 高级版(直径200mm)带有可移动飞溅环的独立系统,用于手动装载/卸载单个基材。2.UNIXX D30标准(Ø 300毫米)单机系统为用户提供在科学方面,以及具有高效、安全和清洁系统的研究。
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  • 适用用圆片尺寸: 2”、3”、4”6"、8”;以及5x5,10x10,25x25方片工艺工步:放置圆片(可辅助定中心) 启动 防溅罩到上位 真空吸片 防尘帽闭合 电机启动 吹氮气 低速滴胶 加速、高速匀胶 上刮边 下刮边电机停止 防尘帽开启 防溅帽到下位 去真空、卸片(工艺结束)以上各工步流程为自动执行,其中防尘帽、防溅帽、真空具有手动功能;主轴径向跳动≤0.02mm,轴向窜动≤0.04mm;主轴转速:200~7000转/分,误差±20转/分,连续可调;主轴加速度(空载):0~3×10³ rad/秒² ,连续可调;工艺工步时间:0~999.9秒,设定增量±0.1秒;滴胶量和速度可调 半导体芯片匀胶显影机是一种用于制造半导体器件的设备,主要用于芯片制造过程中的光刻工艺。以下是有关半导体芯片匀胶显影机的简要介绍及其应用:介绍:光刻工艺: 在半导体芯片制造中,光刻是一项关键工艺,用于将图案投影到芯片表面。匀胶显影机在这个过程中发挥重要作用。匀胶过程: 在光刻工艺中,一层光刻胶被涂覆在芯片表面。这个过程中,匀胶显影机负责将光刻胶均匀涂布在整个芯片表面,确保表面平滑,以便接受后续的光刻图案。显影过程: 显影机还负责在光刻胶上暴露出所需的图案。通过显影,光刻胶的特定区域会被去除,形成光刻图案,为后续的刻蚀或沉积步骤做准备。精准性要求: 由于芯片制造对精度的要求极高,匀胶显影机必须能够实现高度的精准性和可重复性,确保芯片上的图案与设计一致。应用:集成电路制造: 半导体芯片匀胶显影机主要应用于集成电路制造过程中,帮助定义电路图案和结构。微电子器件制造: 除了集成电路,匀胶显影机也用于制造各种微电子器件,如传感器、存储器件等。先进技术研究: 随着技术的不断发展,半导体芯片匀胶显影机在先进技术研究领域也发挥着关键作用,支持新型器件的制备。光刻工艺优化: 进行芯片生产时,匀胶显影机的性能和优化对光刻工艺的成功实施至关重要,影响着芯片的性能和质量。总体而言,半导体芯片匀胶显影机在现代半导体制造中扮演着至关重要的角色,是确保芯片制造成功的关键设备之一。
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彩色显影剂相关的耗材

  • 不锈钢显影槽
    不锈钢显影装置,每套有显影槽,定影槽,水洗槽和50片底片夹,有机玻璃显影架,冲洗电镜胶片专用。
  • 显影粉
    显影粉广泛用于电子显微镜实验室底片显影。 也可用于其它类型的科技摄影。对比 度高,操作洁净,快速显影。
  • 冠乾科技 纳米压印胶 正性光刻胶 负性光刻胶 显影液 去胶液
    Negative PhotoresistsPositive PhotoresistsResist RemoversResist DevelopersEdge Bead RemoversPlanarizing, Protective and Adhesive CoatingsSpin-On Glass CoatingsSpin-On Dopants曝光应用特性对生产量的影响i线曝光用粘度增强负胶系列在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。在湿刻和电镀应用时超强的粘附力;很容易用去胶液去除。 单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁单次旋涂即可获得200 μm胶厚厚胶同样可得到优越的分辨率150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间优异的感光度进而增加曝光通量更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡可将一种显影液同时应用于负胶和正胶不必使用增粘剂如HMDSg和h线曝光用粘度增强负胶系列

彩色显影剂相关的试剂

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