二维生长设备

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二维生长设备相关的厂商

  • 艾博纳微纳米科技（江苏）有限责任公司
    艾博纳微纳米科技（江苏）有限公司致力于科研器材的研发与生产，以国际顶尖科研单位力量为支点，凝聚社会力量共同谋求推动全“人类科学发展与进步”。艾博纳微纳米科技（江苏）有限公司创立于中国江苏，用户群体分布于世界各国以及国内大陆大部分地区。公司主营业务有物理科研器材、二维材料转移装置维材料微纳加工设备、微纳米光学系统包括远场以及近场全波段光学显微系统研发、微纳加工及表征业务、测试服务、高端国产原子力显微镜、耗材（包含氮化硼国产高质量生长等各种晶体、硅片、超干净蓝膜胶带等)、其他二维材料制备相关设备如等离子处理仪、显像设备等。所有经由我司售卖的产品均享受售后保障，用户可放心购买。
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  • 南京牧科纳米科技有限公司
    南京牧科纳米科技有限公司目前主要由10位具有海外留学经历和国内顶尖研究课题组多年研究经验的博士团队组成。牧科是国内唯一一家专门从事二维材料单晶CVD合成和二维半导体纳米片溶液及冷干粉末合成的（类石墨烯类材料）合成与研发的专业技术咨询和服务的纳米科技公司。公司现有产品主要包括：（1）各类人工合成二元、三元和四元二维单晶材料；单层机械剥离二元、三元和四元二维单晶材料，及定制类相关拓扑绝缘二维材料；（2）CVD法生长各类单层类石墨烯二维半导体材料MoS2,WS2,MoSe2,WSe2以合金CVD定制, CVD-BN薄膜定制,定做横向，纵向结构二维异质节（3） CVD生长二六族(Zn,Cd)+(S,Se,Te)， 三五族(Ga,In)+(Sb,As,P) 纳米线以及异质节结构；（4）石墨烯单晶系列100um-2mm，5mm,1cm 大六边形单晶 (5)氧化石墨烯溶液、氧化石墨烯干粉，石墨烯干粉，石墨烯溶液，热还原石墨烯干粉，碳纳米管阵列衬底。（6）CdSe, CdSe/ZnS, CdSe/Cds,ZnSe-ZnS量子点/近红外PbS量子点/InP-ZnS量子点/水溶性发光量子点/上转换发光纳米粒子/LED用量子点 全光谱量子点溶液，（7）有机无机杂化钙钛矿单晶。尺寸可根据需要定制。（8）基团修饰氧化铁、四氧化三铁、三氧化二铁、聚苯乙烯磁性粒子、金纳米棒、三角纳米笼、银纳米颗粒生物制剂（8）实验用SIO2/SI，掺杂硅，本征硅衬底，镀金衬底，M面，C面，R面蓝宝石衬底，MgO、Zno、GGG晶体，TiO2等单晶衬底,激光切割等服务等亦可提供最先进相关测试服务（AFM，SEM，TEM ，XPS，Raman,BET,XRD，常温及变温PL，紫外-可见-近红外吸收/反射/透射光谱等常规测试服务）。如需获得更多的了解，欢迎您咨询QQ：2984216964 025-66171690 18052095282，或者A直接访问我们的公司网址是：http：www.mukenano.com
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  • 上海微升通信设备有限公司
    上海微升通信是一家从事专业无线通信设备的研发、生产、销售和服务，并提供整体解决方案及承接相关通讯工程的高科技公司。公司自成立以来坚持科技为先导，创新为动力，吸引了大批优异技术人才。公司以诚信、务实、共赢为经营理念，积极营造创新、团结、有序的现代企业文化氛围，使公司成为技术先进、管理科学、装备优良、服务优良的高科技企业，并赢得了客户的广泛支持和一致好评。公司的产品与解决方案广泛应用于智能交通、隧道管理、政府公共安全部门、公用事业以及各行业的应急通信、指挥调度、日常工作通信等专网建设领域。本公司具有上海市无线电管理局颁发的《销售无线电发射设备规范企业》证书和无线电固定台（站）通信网络技术设计资质证，在隧道无线通信系统、室内移动通信系统、室内对讲机通信系统和室内小型无线局域网系统、室内移动通信屏蔽系统（全频断）、地下空间无限覆盖系统工程等领域有丰富的经验。近年来，公司承接了上海浦东机场边防检查站，上海虹桥机场边防检查站，上海仙霞路地道通信工程，长沙营盘路隧道150M、FM广播无线通信工程，长沙南湖路隧道无线通信工程，广州洲头咀隧道等多个项目工程。
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  • 二维组合平移台 400-628-5299
    技术指标◆调整维数:XY二维◆行程: Tx,Ty:25mm 组合用产品TSM25R-1A平移台 二个特点：采用交叉滚柱轴承，高承载，负载最小10Kg,稳定性好，且间隙小。
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： ASM25R-XY
    价格： 面议
  • 二维组合平移台 400-628-5299
    ASM13-XY-1(1A)二维组合平移台技术指标◆调整维数；XY两维◆行程: Tx,Ty：13mm组合用产品：TSM13-1（1A）精密平移台 两个
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 卓立汉光/ZOLIX
    型号： ASM13-XY-1(1A)
    价格： 面议
  • 天瑞仪器 智能二维液相质谱联用仪 TDM3000-MS 400-892-9759
    TDM3000-MS是天瑞仪器自主研发的二维液相质谱联用仪,各项性能指标均达到国家检定规程要求。仪器采用液相色谱法的分析方法,通过二维液相色谱分离出待检测物,质谱法检测其含量进而算出被检测物含量。TDM3000-MS在临床上用于对来源于人体血液样本中的有机小分子可以进行定性或定量检测,包括诊断指示物(内源性物质:氨基酸、维生素、激素)和治疗监控化合物(外源性物质:治疗/毒性药物)。TDM3000-MS二维液相质谱联用仪是专门针对TDM特殊医用领域设计的产品,突破了临床应用中量值溯源与标准化缺乏的瓶颈,解决了传统液质联用产品自动化低、仪器复杂、投资较大等问题。只需要简单的样品前处理,可处理样品多达150个/天。样品放入自动进样器通过萃取柱和阀切换的技术,可以自动化地除去样品里的蛋白,盐,磷脂等干扰物质,其中萃取柱可以连续使用,寿命长达2000次,解决了TDM检测前处理自动化程度低,耗时长,消耗大的问题。去掉了磷脂的干扰,质谱ESI源的基质效应大大减轻,回收率接近100%。性能特点：1、自动萃取简单快捷只需简单蛋白沉淀后,即可自动完成在线萃取,去除血清中磷脂,蛋白,盐等成分,操作检测简单快捷(5-10min)2、质谱离子源稳定性高色谱柱,质谱离子源稳定性高,基质效应低,可使用外标法定量,血清中药物回收率高,无需同位素内标3、同时检测多个药物成分使用一个方法可以利用质谱的特异性,同时检测多个药物成分,效率高,对于低紫外吸收样品无需衍生,检测浓度范围可以覆盖1ppb到10ppm4、重复检测运行稳定可靠第三代色谱技术、技术领先、重复检测运行稳定可靠,系统采用精密丝杆传动技术,性能更好、稳定可靠耐用,自动进样器可以制冷控温5、重复检测精度高检测准确度高,检测精度高,重复检测精度高6、检测灵敏度高与传统二维液相紫外检测器相比,检测灵敏度高，进样量低(2ul到100uL),不易产生溶剂效应,基质效应低7、专属性强 不易干扰与FPIA法和EMIT法相比专属性强,不易受代谢物，结构类似物干扰8、临床药品药检方法多机载配套的临床药品药检方法多软件优势：软件可与医院信息系统(HIS)对接,极大节省了人工操作,杜绝了人工统计引起的报告整理失误的可能性 软件含权限管理、审计追踪功能,满足检测要求,满足医药行业要求 使用的方法文件能对色谱仪的分析参数、谱图数据、分析报告进行长久存储与统一管理 全中文操作菜单,直观方便的人性化操作界面 工作站具有多形式的谱图比较功能,有利于色谱研究 控制方式:具有电脑反控功能,符合GLP要求 工作方式:前后台实现数据采集、计算、整理、储存和打印 软件能对系统进行全反控操作控制、自动数据采集、谱图处理等 使用了具有完全自主知识产权的液相色谱仪控制与数据采样系统软件。可针对用户的实际情况,能更加满足其具体要求。
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    厂商： 江苏天瑞仪器股份有限公司
    品牌： 天瑞仪器/skyray instrument
    型号： TDM3000-MS
    价格： 面议
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  • 牛津仪器携手艾恩德霍芬大学开发二维材料低温生长设备
    p 　　牛津仪器公司原子层沉积技术(ALD)和2D材料专家与艾恩德霍芬理工大学合作开发了用于纳米器件的二维过渡金属硫化物(2D TMDS)原子层沉积(ALD) 系统——FlexAL-2D ALD系统。 /p p 　　FlexAL-2D ALD系统可在与CMOS兼容的温度下生长2D材料，并可在大面积(200mm晶圆)上对厚度进行精确的数字控制。该系统的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生长、基础平面或边缘平面取向的可调形态控制，以创建先进的2D器件结构。 /p p 　　据该公司介绍，FlexAL-2D ALD系统可提供较宽的参数空间，使2D TMDS的生长温度比CVD炉中更低。 /p p 　　埃因霍温理工大学研究人员在今年七月的ALD会议上，首先介绍了使用ALD在450℃和低温条件下生长二维MoS2材料的情况。他们展示了如何在CMOS兼容的SiO2 / Si衬底上采用等离子体增强型ALD技术合成二维MoS2膜。这些二维MoS2膜具有可调形态(平面和垂直立体纳米级结构)。虽然3D鳍结构是诸如水分解等催化应用的理想结构，但2D平面形态在纳米电子学中具有潜在的应用。 /p p 　　牛津仪器等离子技术公司的ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到高兴：“艾恩德霍芬理工大学Bol博士及等离子体和材料处理(PMP)研究组在正在将ALD研究推向新的应用领域。2D材料是一个热门话题，利用ALD允许其在较低温度下生长，并且利用ALD沉积和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力与许多可能性。” /p p 　　Ageeth Bol说：“研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。对于CVD工艺，通常需要超过800℃，这对于半导体的应用来说通常是致命的，因为高温会增加原子的扩散，这使得它们更难以到达正确的位置。我们希望有一个在较低温度下生产高品质材料的工艺。这对于我正在处理的二维异质层是特别重要的，因为在更低的温度下，层之间的原子扩散将减少。” /p
    时间： 2017-07-24
    作者： weidy
  • 半导体情报，科学家揭示二维材料外延生长的挑战与前景！
    【科学背景】二维（2D）材料家族在过去二十年显著扩展，包括近2000种理论预测和数百种实验室可接近的物种。这一演变与材料制备技术的进步密切相关。传统的机械剥离从体块晶体中开创性地发现和分离了石墨烯，提供了高质量材料，但在大规模生产中面临挑战。溶液基剥离等替代方法虽然提供了2D材料的可伸缩性，但可能引入缺陷、杂质和化学修饰。与此相比，外延生长技术通过在各种基底上组装原子或分子成为2D材料，无需晶格匹配要求，并能精确控制成分和晶质，展示了制造大面积高质量单晶薄膜的潜力。二维材料外延的概念可以追溯到20世纪60年代，当时John May在高温金属基底上的烃类中发现了未指定的低能电子衍射图案，并将其归因为‘单层石墨’的生长。1984年，Koma等人提出了“范德瓦尔斯（vdW）外延”这一术语，用于在剥离的MoS2表面上制造亚纳米NbSe2薄膜。然而，这些初探一直局限于表面物理学领域，未能引起广泛关注。随着2004年石墨烯的发现和分离，这一领域经历了转变，激发了一系列探索和特征性2D vdW材料及其同质结构外延生长的突破性‘浪潮’。第一波浪由2009年在铜箔上合成单层石墨烯开启，随后十年揭示了外延机制，推动了单晶薄膜的工业化生产。接连而来的浪潮归因于二维六角硼氮化物（hBN）和过渡金属二硫化物（TMDCs）的外延，最近实现了英寸大小的单晶。此外，人工多层系统中的扭转电子学和moire光子学推动了另一波，用于直接生长具有控制堆叠和扭转角度的垂直同质结构。北京大学刘开辉团队最新论文表示，新兴二维材料外延的前景广阔，可能涵盖单元素物种（如黑磷、硼烯和碲烯）以及各种化合物如硫化物、硼化物、碳化物等。每一波浪都带来独特的挑战，但普遍的外延原则在这些进展中是潜在且必要的。随着科学家们不断提出新的技术和策略，如何有效应对这些挑战并推动新材料的应用和工业化成为了当前研究的关键焦点。【科学亮点】（1）在二维材料研究领域，实验揭示了机械剥离技术从体块晶体中分离出石墨烯，并且成功实现了高质量材料的获得。（2）替代的溶液基剥离方法被引入以扩展2D材料的可伸缩性，但引入了潜在的缺陷和杂质，同时也进行了化学修饰。然而，外延生长技术通过在各种基底上组装原子或分子成2D材料，无需晶格匹配要求，为制造大面积、高质量的单晶薄膜提供了精确的成分和晶质控制。（3）二维材料外延的历史可以追溯到1960年代，当时John May首次在高温金属基底上观察到未指定的低能电子衍射图案，推动了“单层石墨”生长的初步探索。（4）1984年，Koma等人提出了“范德瓦尔斯（vdW）外延”概念，用于在MoS2表面上制造亚纳米NbSe2薄膜。这些探索初期局限于表面物理学界，未引起广泛关注。（5）随着2004年石墨烯的发现和分离，二维材料外延领域经历了转变，激发了一系列在探索和外延生长典型2D vdW材料及其同质结构方面的突破性‘浪潮’。（6）外延技术的进步推动了二维六角硼氮化物（hBN）和过渡金属二硫化物（TMDCs）的生长，最近实现了英寸大小的单晶，展示了制造大面积、高质量单晶薄膜的潜力。【科学图文】图1：二维2D 范德华 van der Waals，vDW材料及其同质结构外延生长的代表性进展。图2：单畴的成核控制。图3：多域定向控制。图4：均匀多层膜的制备。图5: 转角同质结构的制造。【科学结论】在过去的十年中，二维范德瓦尔斯（vdW）材料外延生长取得了显著进展，从平面单晶单层发展到垂直多层结构。一些典型材料的制备已经达到了先进阶段，例如工业规模生产石墨烯单晶薄膜，英寸尺寸的hBN单晶单层合成，以及TMDC半导体达到标准300毫米晶片大小，与主流硅技术对接134。此外，具有平行堆叠或精确扭转角度控制的同质结构多层外延也有了一定的阶段性进展。我们在本综述中总结了这些案例背后的策略，并相信它们可以进一步扩展到其他外延技术或二维系统中。复杂vdW化合物如金属氧化物或氢氧化物的单晶外延生长，目前正处于探索阶段，遵循这些已建立的策略。在器件应用场景中，二维结构理想情况下应在材料制备过程中启动和形成。对绝缘晶片上的二维薄膜进行直接生长或晶片规模的转移技术是将二维场效应晶体管纳入未来大规模集成器件至关重要的。需要制定经济实惠的热预算解决方案，以适应材料生长和随后器件制造与后端线路工艺的兼容性。下一步是建立从材料设计到封装和器件集成的工业链桥梁。最终，一旦二维材料的生长准备水平和生产复制性达到硅晶片的水平，它们从研究（实验室）到设计和制造（工厂）的转变将指日可待。原文详情：Liu, C., Liu, T., Zhang, Z. et al. Understanding epitaxial growth of two-dimensional materials and their homostructures. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01704-3
    时间： 2024-08-19
    作者： 仪器 Go
  • 二维半导体C位突破 江南大学解决TMDS外延生长难题
    p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 大面积高质量单晶的生长一直是现代电子技术得以高速发展的基石。为了突破硅基电子学摩尔定律的限制，当前电子学研究的热点和重点，即类石墨烯二维半导体如过渡金属硫族化合物（TMDs）等，目前面临着如何精确控制原子层级的二维晶体的外延逐层生长这个难题。单层高质量TMDs的生长和光电应用经常见诸主流期刊，但双层乃至多层高质量单晶TMDs的生长仍是一个巨大的挑战。目前用于基础研究和光电应用的双层及多层TMDs多来自于机械剥离法以及后处理方法（如激光刻蚀、等离子体刻蚀和热退火等），普遍存在产率低、层数和尺寸可控性差等问题。虽有少数工作采用化学气相沉积（CVD）法制备出双层及多层TMDs，但仍存在晶体质量差、尺寸和层数不可控等问题。根据生长动力学理论，双层单晶的生长至少需要两个不同温度的生长阶段来促使单层的垂直高阶堆垛，但是在传统CVD升温阶段过程中，对前驱反应气体的控制不良通常会导致形成不可控和不需要的成核中心，进而显著降低所制备晶体的质量和可控性。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 为了解决该问题，江南大学电子工程系教授、全国纳米技术标准化技术委员会低维纳米结构与性能工作组SAC/TC279/WG9委员肖少庆课题组（低维半导体材料与器件实验室）提出了一种具有普适性的氢气辅助反向气流化学气相外延法，实现了多种TMDs及其合金高质量双层单晶的大范围可控生长。相关成果以“Transition metal dichalcogenides bilayer single crystals by reverse-flow chemical vapor epitaxy”为题于2019年2月5日在线发表在《自然?通讯》上（Nat. Comm. 2019, 10, 598）。该方法通过在升温阶段引入氢气反向气流并控制生长温度梯度，不仅有利于减少外延生长时不需要、不可控的成核中心，而且有利于源自第一单层成核中心的第二单层的均质外延。这种方法的效率远超机械剥离法和传统的CVD方法，并在三层及多层单晶的逐层可控制备方面展现出巨大的潜力。另外，通过控制第二层的生长温度可以得到不同堆垛的双层TMDs单晶如AA堆垛和AB堆垛的二硫化钼（MoS2），实验结果发现AA堆垛的双层MoS2具有比单层更高的场效应管迁移率；通过采用多种源粉首次合成了MoWSSe四元合金双层单晶，实验结果表明其场效应晶体管表现出明显的双极性特征。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201902/uepic/c3614f1c-bb9c-42e1-a4f1-30e9b1035a63.jpg" title=" 微信图片_20190214133337.jpg" alt=" 微信图片_20190214133337.jpg" / /p p br/ /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " strong 基于氢气辅助反向气流化学气相外延法的TMDs双层可控制备及其光电性能展示 /strong /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 这项研究为TMDs的大范围逐层可控制备提供了一种可靠和通用的思路，为研究层与层之间的范德华力相互作用提供了良好的平台，为实现过渡金属硫属化合物薄膜及其异质结的按需可控制备打下了坚实的基础，极大地提升了TMDs等二维半导体在实际电子和光电器件的应用潜力。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 该研究得到了江南大学自主科研计划-重点项目、国家自然科学基金和江苏省自然科学基金的资助。2014级博士生张秀梅为第一作者，课题组的南海燕老师为共同第一作者，课题组负责人肖少庆校聘教授和团队负责人顾晓峰教授为共同通讯作者，电学测试和理论计算方面分别得到了东南大学倪振华教授课题组和澳大利亚昆士兰科技大学Kostya Ostrikov教授等的支持。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 课题组论文全文链接： a href=" https://www.nature.com/articles/s41467-019-08468-8" target=" _self" style=" color: rgb(0, 176, 240) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 176, 240) " Transition metal dichalcogenides bilayer single crystals by reverse-flow chemical vapor epitaxy /span /a 。 /p p style=" text-align: right text-indent: 2em " 作者：肖少庆课题组 /p
    时间： 2019-02-14
    作者： liym
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  • 在线二维柱切换法同时测定饲料中维生素A、D和E的含量
    维生素是维持机体正常活动必不可少的物质，适量的各种维生素作为饲料添加剂能促进禽畜生长，增强禽畜体质，产生显著的经济效益。GBT17817-2010、17818-2010 和17812-2010 采用HPLC 法分别测定饲料中维生素A、D 和E 的含量，样品均需要经过皂化、乙醚萃取过程，通常Vitamin A 和Vitamin E 在样品中含量较高，受基质干扰较少，可直接进样分析；但Vitamin D 含量较低，易受基质干扰，需要经过制备液相色谱的净化，收集含有Vitamin D 的流出物后，再以RP 或NP-LC 进行分析，前处理过程极其繁琐。本实验拟采用在线二维中心切割方法，同时完成维生素ADE 的测定。
  • 在线二维柱切换法同时测定饲料中维生素A 的含量
    本文利用双梯度液相色谱（DGLC）建立了在线二维柱切换法同时测定饲料中脂溶性维生素A含量的方法，与常规方法比较，本法简便、快速，简化了样品前处理过程，提高样品分析效率，同时由图7 可以看出，采用二维色谱分离可以减少色谱峰的重叠，改善方法的专属性。
  • 二维液相色谱法同时检测乳制品中的维生素 ADE
    本实验采用中心切割方法，利用第一维色谱柱在分析 VA 和VE 的同时对 VD 进行净化，再将初步进化后的 VD 在线引入第二维色谱柱进行分离、测定，整个分析过程只需一次进样即可完成样品中 VA、VE 及微量 VD 的测定。该方法不仅可以节省大量的制备工作，而且稳定性良好.整个 HPLC 方法为中心切割的二维液相方法 (heart-cutting 2DLC)，包含三个阶段：第一阶段为进样/分析维生素 A，此时阀的位置为 1-2；第二阶段为净化/捕获维生素 D，阀在维生素 D 出峰前切换到位置 1-6；第三阶段第一维继续分析维生素 E，第二维则分离检测维生素 D，阀在第一维维生素 D出峰结束后切回位置 1-2，具体见下图 1。本方法第一维采用高效短柱（Zorbax RRHT Extend-C18，4.6 × 50 mm × 1.8 μ m）进行快速分析，第二维采用 PAH 专用柱（Zorbax Eclipse PAH，2.1 × 100 mm × 3.5 μ m）以提高 VD2 和 VD3的分离.
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  • 硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    [color=#333333]最近，合肥微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院曾杰教授研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料硒化铋Bi2Se3的结构设计、合成与生长机理研究方面取得重要进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引入螺旋位错首次实现了二维层状材料的螺旋生长，将材料由分立的层状转变成连续性的螺旋条带，从而获得了一种既不同于单层又有别于传统块体的新型纳米材料。该成果以“Screw-Dislocation-Driven Bidirectional Spiral Growth of Bi2Se3Nanoplates”为题发表在《德国应用化学》杂志上（Angew. Chem. Int. Ed. 2014,DOI：10.1002/anie.201403530）。[/color][color=#333333]据巨纳集团低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍，类石墨烯层状结构的硒化铋Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态，在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外，若在其中引入一个螺旋位错的线缺陷，还可能会产生一对拓扑保护的一维螺旋态，从而创造一条完美的导电通道。曾教授课题组基于特色的可控制备手段，从晶体生长的动力学理论出发，通过将反应体系维持在极低的过饱和条件下，使Bi2Se3在成核过程中产生螺旋位错的缺陷，从而诱导层状材料进行双向的螺旋生长，打破硒化铋Bi2Se3本征的晶体生长模式。此外，研究人员还通过对螺旋生长速度的控制，合成出不同发展程度的螺旋结构，从中阐明了二维层状材料的螺旋生长机理。这项研究为实现一维拓扑螺旋态提供了材料基础，有助于促进Bi2Se3在拓扑绝缘体、热电以及催化等方面的新发展。此外，探索螺旋生长的方式对于合成其他二维层状材料的螺旋结构，从而调制材料的物理性能也有重要的指导意义。转自[img=,500,263]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707051342_01_2047_3.jpg[/img]低维材料在线：[/color]http://www.91cailiao.cn/index.php/news/57.html

  • 硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    硒化铋Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长进展

    最近，合肥微尺度物质科学国家实验室和化学与材料科学学院曾杰教授研究组在拓扑绝缘体二维层状纳米材料硒化铋Bi2Se3的结构设计、合成与生长机理研究方面取得重要进展。研究人员对Bi2Se3晶体的成核及生长进行了动力学调控，通过引入螺旋位错首次实现了二维层状材料的螺旋生长，将材料由分立的层状转变成连续性的螺旋条带，从而获得了一种既不同于单层又有别于传统块体的新型纳米材料。该成果以“Screw-Dislocation-Driven Bidirectional Spiral Growth of Bi2Se3 Nanoplates”为题发表在《德国应用化学》杂志上（Angew. Chem. Int. Ed. 2014, DOI：10.1002/anie.201403530）。据巨纳集团低维材料在线91cailiao.cn的技术工程师Ronnie介绍，类石墨烯层状结构的硒化铋Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态，在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外，若在其中引入一个螺旋位错的线缺陷，还可能会产生一对拓扑保护的一维螺旋态，从而创造一条完美的导电通道。曾教授课题组基于特色的可控制备手段，从晶体生长的动力学理论出发，通过将反应体系维持在极低的过饱和条件下，使Bi2Se3在成核过程中产生螺旋位错的缺陷，从而诱导层状材料进行双向的螺旋生长，打破硒化铋Bi2Se3本征的晶体生长模式。此外，研究人员还通过对螺旋生长速度的控制，合成出不同发展程度的螺旋结构，从中阐明了二维层状材料的螺旋生长机理。这项研究为实现一维拓扑螺旋态提供了材料基础，有助于促进Bi2Se3在拓扑绝缘体、热电以及催化等方面的新发展。此外，探索螺旋生长的方式对于合成其他二维层状材料的螺旋结构，从而调制材料的物理性能也有重要的指导意义。[align=center][img=,500,263]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707071343_01_2047_3.jpg[/img][/align]

  • Matlab批量生成仪器设备标识二维码

    Matlab批量生成仪器设备标识二维码

    [align=center][size=24px]Matlab批量生成仪器设备标识二维码[/size][/align][align=left][size=16px] 实验室中，仪器设备一般贴上标识卡。但是，在有限的空间上不能写上过多的信息。二维码，充满在我们的生活中。比如:核酸检测中场地码、行程码、与核酸码都是二维码。但是，我们知道原理吗？我们却很少了解无时无刻都离不开的东西。[/size][/align][align=left][/align][size=16px][/size][align=left] 二维码，就是一堆的01(黑与白)数据。对于希望传递的信息，用约定的编码方式转为01阵列。根据01阵列生成二维码图像。扫一扫相当于解码。所以根据约定的编码方式，个人也可以制作二维码。如果你头脑记忆力超群，或者可以肉眼编码与解码。针对不同的解码方式，可以开发不同功能的二维码。比如微信的扫一扫、手机内置的扫一扫、支付宝的扫一扫不是完全一样的。[/align][align=left][/align][size=16px][/size][align=left] 个人如何制作二维码？一般使用在线的方法或者WPS与OFFICE软件。也有些企业自己制作专门的软件，生成二维码。我们一般用PYTHON语言或JAVA语言调用JAVA的ZXing工具包实现二维码的编码与解码。对于Matlab语言，网上的资料比较少。本文用Matlab实现。当然也是使用ZXing工具包。从网上下载的Matlab函数包比较难实现批量化。自己通过改造，初步实现此功能。[/align][align=left][/align][size=16px][/size][align=left]一、基本流程[/align][size=16px][/size][align=left]1.信息字符串的生成；[/align][size=16px][/size][align=left]2.qrcode_gen调用函数将信息编码为01的矩阵；[/align][align=left]3.imshow显示图像；[/align][size=16px][/size][align=left]4.为方便浏览二维码，text写上二维码题目；[/align][size=16px][/size][align=left]5.print打印二维码；[/align][size=16px][/size][align=left]6.根据实际情况，裁切二维码。裁掉边缘的空白；[/align][size=16px][/size][align=left]7.imwrite输出最后的二维码图片。[/align][size=16px][/size][align=left][size=16px]注意:qrcode_gen生成二维码矩阵的时候，可以设置一些参数。比如信息的编码方法。为了支持中文，一般设定为“UTF-8”。二维码的大小(Size)，需要设定为17+4N。本文使用77。[/size][size=16px]代码如下:[/size][/align][size=16px][img=,690,269]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/05/202205311126109688_9825_1909312_3.jpg!w690x269.jpg[/img][/size][align=left][/align][align=left]二、实际效果[/align][align=left][/align][align=left]1.读取已经收集好的仪器设备信息Excel表。串联信息。得到如下的二维码:[/align][align=left][/align][img=,451,471]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/05/202205311127121321_8499_1909312_3.jpg!w451x471.jpg[/img][align=left] 微信的扫一扫一般都不支持换行功能。所以这里的二维码都没有换行的功能。可能一些专门的二维码解码器才可以。如果是这样的话，需要在希望换行的地方增加换行符号。值得注意的是:读取Excel时候，得到的信息可能是数值型。所以这里代码用num2str转换为字符。[/align][align=left][/align][align=left]2.把得到的二维码插入到仪器设备的标识卡上。打印在空白的不干胶上。裁切后，可以贴在仪器设备上。[/align][img=,690,475]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/05/202205311128128271_7059_1909312_3.jpg!w690x475.jpg[/img][align=left]这是本人原创文章。可以阅读我的公众号文章 [url]https://mp.weixin.qq.com/s/mnj1Wc_2ltGZtNsEXU6FCA[/url][/align]

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