等离子蚀刻仪

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等离子蚀刻仪相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 中国博友纳米集团有限公司成立于2010年, 是一家集研发,设计,生产,销售及提供全面的售后服务为一体的高新技术环保纳米等离子喷涂设备、材料、技术公司。公司总部在湖南省,在北京顺义、江苏常州、浙江东阳、福建泉州、广东东莞建有分公司,印度和越南的分公司在2019年正式开张,公司已在中国贵州省黔东南州筹建10万平米以上研发生产和营销中心售后服务总基地及后续准备在贵州上市,海外其它国家的销售及技术服务分公司也在筹划中。我们的市场覆盖全球范围内的工艺品,塑料、塑胶、五金、玻璃、木材、陶瓷、家具,灯饰,汽车,装饰,电子电器等等各行各业领域任何需要喷涂效果的产品, 投入小,回报大,高新的技术和全面的技术支持和售后服务让我们的市场和业绩一直超高速的在增长。
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  • 浙江全世科技有限公司是中控科技集团的成员企业。中控科技集团始创于1993年,是中国领先的自动化与信息化技术解决方案供应商,业务涉及工业自动化、智慧城市、机器人、重大装备、新能源与节能环保等领域。集团在全球拥有上万家客户遍及国内30个省市、自治区,以及亚洲、欧洲、非洲、南美洲等地。“中控”与“SUPCON”已成为业内国际知名品牌。中控集团出色完成多项国家“863”和科技攻关重大研究课题,主持制定了EPA现场总线国际标准,参与制定多项国家标准。多次获得国家级科技进步奖。浙江全世科技有限公司,是一家专业从事高端仪器研发、生产、销售的高科技企业。业务领域涉及工业过程分析仪器、环境监测仪器、实验室分析仪器、实验室设备、实验室自动化及信息化产品等。 全世科技产品品牌为SCTRACE,其中SC为中控(SUPCON)的缩写,TRACE为全世科技英文名Tracetech的缩写。 全世科技与浙江大学、吉林大学、电子科技大学等建立长期合作。公司已经入选杭州市“青蓝计划”,并已经通过ISO9001质量管理体系认证。全世科技作为主要承担单位参与了科技部重大科学仪器专项“千瓦级微波等离子体炬光谱仪的开发与应用”项目。全世科技拥有卓越的技术实力。核心团队由原浙江中控技术股份有限公司研发中心核心成员及浙江大学分析仪器研究中心专家学者联合构成。团队拥有教授和教授级高工3名,高级工程师及同等级职称5名,入选杭州市“131”人才计划3名,入选浙江省青年科学家培养计划1名,博士及博士后4名,硕士及硕士以上学历占团队总数的40%以上。 公司主要产品有:●微波等离子体原子发射光谱仪●水质多元素在线监测系统(基于微波等离子体原子发射光谱技术)●智能多组分标准液配制平台(液体工作站,用于标准溶液配制)●在线粘度计(振动式、旋转式) ●微波功率源(千瓦级高稳定微波源)
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等离子蚀刻仪相关的仪器

  • RIE等离子蚀刻系统 400-860-5168转5919
    1. 产品概述:SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子体蚀刻系统,结合了RIE平行板电设计的优点和直接负载的成本效益设计。2. 主要功能与优势: 成本效益该系统将平行板等离子体源设计与直接负载相结合.3. 可升性根据其模块化设计,SENTECH Etchlab 200 RIE系统可升为终点检测、更大的泵送装置、真空负载锁和额外的气体管线。4. SENTECH控制软件该系统配备了用户友好的强大软件,具有图形用户界面、参数窗口、配方编辑器、数据记录、用户管理。5. 灵活性和模块化SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统可以配置为处理与晶圆直接加载兼容的材料,包括但不限于硅和硅化合物、化合物半导体、电介质以及聚合物和金属。SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统由先进的硬件和SIA操作软件控制,具有客户端-服务器架构。一个经过充分验证的可靠可编程逻辑控制器(PLC)用于所有组件的实时控制。 SENTECH Etchlab 200 RIE等离子蚀刻系统代表了一系列直接加载等离子体蚀刻系统,结合了RIE平行板电设计的优点和直接负载的成本效益设计。
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  • TRYMAX 等离子除胶机型号:NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择,目前已有上百台设备安装在世界各地,被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态,该状态中存在下列物质:处于高速运动状态的电子;处于激活状态的中性原子、分子、原子团(自由基);离子化的原子、分子;未反应的分子、原子等,但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面,通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体,通过等离子体轰击被清洗产品表面,从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道:Light Etching;Descum strip;PR Ashing;离子注入后,光刻后,镀膜前等工艺过程; 后道/先进封装/3D IC:Descum Bumping;MEMS;Plasma Treatment;Wafer Cleaning等。Trymax 先进等离子灰化和蚀刻 NEO300A/NEO200A系列平台 NEO300A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它是一个全自动的单室系统,可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块,并与直径达300mm的基板兼容。占地面积小的NEO300A配置有单个装载端口。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸 - 桥梁工具能力200-300mm - 单个SMIF装载端口-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块:• 下游微波(2.45 GHz)• 射频偏压(13.56MHz)• 双源(微波,射频偏压)• DCP(RF偏置,直接耦合等离子) - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制,Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工(PR,PI,BCB,PBO) NEO200A系列平台是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进灰化和蚀刻产品的最新成员。 它是一个全自动的单室系统,可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块,并与直径达200mm的基板兼容。占地面积小的NEO200A配置有双盒式磁带。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 双盒式平台-3轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块:• 下游微波(2.45 GHz)• 射频偏压(13.56MHz)• 双源(微波,射频偏压)• DCP(RF偏置,直接耦合等离子) - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 100wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制,Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工(PR,PI,BCB,PBO)Trymax Semiconductor Equipment的NEO200系列先进等离子灰化/蚀刻系统是最新的光刻胶和蚀刻设备,以惊人的价格提供卓越的性能。专为最大200 mm基板应用而设计。 它配备了一个灵活的装载站,可配置用于处理最大200 mm的所有不同尺寸的基板。 NEO200系列集成了研究和设备制造商紧凑设计的所有要求,可实现最低的拥有成本。 • 特征 - 最大200 mm晶圆尺寸/基板尺寸 - 用于半自动晶圆传输的单个装载平台。-4个不同的处理模块:• 下游微波(2.45 GHz)• 射频偏压(13.56MHz)• 双源(微波,射频偏压)• DCP(RF偏置,直接耦合等离子) - 优异的均匀性和可重复性 - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制,Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工(PR,PI,BCB,PBO)
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  • 用途:表面清洗活化表面蚀刻Tetra 8 RIE 产品特点:适用于8”以下样品的处理等离子蚀刻机,可实现快速且一致的样品表面刻蚀全局的工艺气体通过气浴进气实现了均匀的气体分布电极水冷确保了样品的温度不会偏高工业Windows控制系统,多段程序控制功能,实现一键蚀刻功能适合于研究院、高校、研发中心等使用,也可小批量生产
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等离子蚀刻仪相关的资讯

  • 精确跟踪芯片蚀刻过程,用高分辨率光谱仪监测等离子体
    在半导体行业,晶圆是用光刻技术制造和操作的。蚀刻是这一过程的主要部分,在这一过程中,材料可以被分层到一个非常具体的厚度。当这些层在晶圆表面被蚀刻时,等离子体监测被用来跟踪晶圆层的蚀刻,并确定等离子体何时完全蚀刻了一个特定的层并到达下一个层。通过监测等离子体在蚀刻过程中产生的发射线,可以精确跟踪蚀刻过程。这种终点检测对于使用基于等离子体的蚀刻工艺的半导体材料生产至关重要。等离子体是一种被激发的、类似气体的状态,其中一部分原子已经被激发或电离,形成自由电子和离子。当被激发的中性原子的电子返回到基态时,等离子体中存在的原子就会发射特有波长的辐射光,其光谱图可用来确定等离子体的组成。等离子体是用一系列高能方法使原子电离而形成的,包括热、高能激光、微波、电和无线电频率。实时等离子体监测以改进工艺等离子体有一系列的应用,包括元素分析、薄膜沉积、等离子体蚀刻和表面清洁。通过对等离子体样品的发射光谱进行监测,可以为样品提供详细的元素分析,并能够确定控制基于等离子体的过程所需的关键等离子体参数。发射线的波长被用来识别等离子体中存在的元素,发射线的强度被用来实时量化粒子和电子密度,以便进行工艺控制。像气体混合物、等离子体温度和粒子密度等参数都是控制等离子体过程的关键。通过在等离子体室中引入各种气体或粒子来改变这些参数,会改变等离子体的特性,从而影响等离子体与衬底的相互作用。实时监测和控制等离子体的能力可以改进工艺和产品。一个基于Ocean Insight HR系列高分辨率光谱仪的模块化光谱装置用于监测等离子体室引入不同气体后,氩气等离子体发射的变化。测量是在一个封闭的反应室中进行的,光谱仪连接光纤和余弦校正器,通过室中的一个小窗口观察。这些测量证明了模块化光谱仪从等离子体室中实时获取等离子体发射光谱的可行性。从这些发射光谱中确定的等离子体特征可用于监测和控制基于等离子体的过程。等离子体监测可以通过灵活的模块化设置完成,使用高分辨率光谱仪,如Ocean Insight的HR或Maya2000 Pro系列(后者是检测UV气体的一个很好的选择)。对于模块化设置,HR光谱仪可以与抗曝光纤相结合,以获得在等离子体中形成的定性发射数据。从等离子体室中形成的等离子体中获取定性发射数据。如果需要定量测量,用户可以增加一个光谱库来比较数据,并快速识别未知的发射线、峰和波段。监测真空室中形成的等离子体时,一个重要的考虑因素是与采样室的接口。仪器部件可以被引入到真空室中,或者被设置成通过视窗来观察等离子体。真空通管为承受真空室中的恶劣条件而设计的定制光纤将部件耦合到等离子体室中。对于通过视口监测等离子体,可能需要一个采样附件,如余弦校正器或准直透镜,这取决于要测量的等离子体场的大小。在没有取样附件的情况下,从光纤到等离子体的距离将决定成像的区域。使用准直透镜可以获得更局部的收集区域,或者使用余弦校正器可以在180度的视野内收集光线。测量条件HR系列高分辨率光谱仪被用来测量当其他气体被引入等离子体室时氩等离子体的发射变化。光谱仪、光纤和余弦校正器通过室外的一个小窗口收集发射光谱,对封闭反应室中的等离子体进行光谱数据采集(图1)。图1:一个模块化的光谱仪设置可以被配置为真空室中的等离子体测量。一个HR2000+高分辨率光谱仪(~1.1nm FWHM光学分辨率)被配置为测量200-1100nm的发射(光栅HC-1,SLIT-25),使用抗曝光纤(QP400-1-SR-BX光纤)与一个余弦校正器(CC-3-UV)耦合。选择CC-3-UV余弦校正器采样附件来获取等离子体室的数据,以解决等离子体强度的差异和测量窗口的不均匀问题。其他采样选项包括准直透镜和真空透镜。结果图2显示了通过等离子体室窗口测量的氩等离子体的光谱。690-900纳米的强光谱线是中性氩(Ar I)的发射线,400-650纳米的低强度线是由单电离的氩原子(Ar II)产生的。图2所示的发射光谱是测量等离子体发射的丰富光谱数据的一个例子。这种光谱信息可用于确定一系列关键参数,以监测和控制半导体制造过程中基于等离子体的工艺。图2:通过真空室窗口测量氩气等离子体的发射。氢气是一种辅助气体,可以添加到氩气等离子体中以改变等离子体的特性。在图3中,随着氢气浓度的增加添加到氩气等离子体中的效果。氢气改变氩气等离子体特性的能力清楚地显示在700-900纳米之间的氩气线的强度下降,而氢气浓度的增加反映在350-450纳米之间的氢气线出现。这些光谱显示了实时测量等离子体发射的强度,以监测二次气体对等离子体特性的影响。观察到的光谱变化可用于确保向试验室添加最佳数量的二次气体,以达到预期的等离子体特性。图3:将氢气添加到氩等离子体中会改变其光谱特性。在图 4 和 5 中,显示了在将保护气添加到腔室之前和之后测量的等离子体的发射光谱。 保护气用于减少进样器和样品之间的接触,以减少由于样品沉积和残留引起的问题。 在图 4中,氩等离子体发射光谱显示在加入保护气之前,加入保护气后测得的发射光谱如图5所示。保护气的加入导致了氩气发射光谱的变化,从400纳米以下和~520纳米处的宽光谱线的消失可以看出。图4:加入保护气之前,在真空室中测量氩等离子体的发射。图5:加入保护气后,氩气发射特性在400纳米以下和~520纳米处有明显不同。结论紫外-可见-近红外光谱是测量等离子体发射的有力方法,以实现元素分析和基于等离子体过程的精确控制。这些数据说明了模块化光谱法对等离子体监测的能力。HR2000+高分辨率光谱仪和模块化光谱学方法在测量等离子体室条件改变时,通过等离子体室的窗口测量等离子体发射光谱,效果良好。还有其他的等离子体监测选项,包括Maya2000 Pro,它在紫外光下有很好的响应。另外,光谱仪和子系统可以被集成到其他设备中,并与机器学习工具相结合,以实现对等离子体室条件更复杂的控制。以上文章作者是海洋光学Yvette Mattley博士,爱蛙科技翻译整理。世界上第一台微型光谱仪的发明者海洋光学OceanInsight,30年来专注于光谱技术和设备的持续创新,在光谱仪这个细分市场精耕细作,打造了丰富而差异化的产品线,展现了光的多样性应用,坚持将紧凑、便携、高集成度以及高灵敏度、高分辨率、高速的不同设备带给客户。2019年,从Ocean Optics更名为Ocean Insight,也是海洋光学从光谱产品生产商转型为光谱解决方案提供商战略调整的开始。此后,海洋光学不仅继续丰富扩充光传感产品线,且增强支持和服务能力,为需要定制方案的客户提供量身定制的系统化解决方案和应用指导。作为海洋光学官方授权合作伙伴,爱蛙科技(iFrogTech)致力于与海洋光学携手共同帮助客户面对问题、探索未来课题,为打造量身定制的光谱解决方案而努力。如需了解更多详情或探讨创新应用,可拨打400-102-1226客服电话。关于海洋光学海洋光学作为世界领先的光学解决方案提供商,应用于半导体、照明及显示、工业控制、环境监测、生命科学生物、医药研究、教育等领域。其产品包括光谱仪、化学传感器、计量检测设备、光纤、透镜等。作为光纤光谱仪的发明者,如今海洋光学在全球已售出超过40万套的光纤光谱仪。关于爱蛙科技爱蛙科技(iFrogTech)是海洋光学官方授权合作伙伴,提供光谱分析仪器销售、租赁、维护,以及解决方案定制、软件开发在内的全链条一站式精准服务。
  • 改进晶圆制造工艺,探索蚀刻终点的全光谱等离子监测解决方案
    改进晶圆制造工艺,探索蚀刻终点的全光谱等离子监测解决方案满足当今技术创新的繁荣发展和复杂多变的产业环境,半导体代工厂需要定量、准确和高速的过程测量。海洋光学(Ocean Insight)与等离子蚀刻技术的领先创新者合作,探索适用于检测关键晶圆蚀刻终点的全光谱等离子监测解决方案。客户面临的挑战随着全球对半导体的需求迅速增长,该行业已做好投资于节约成本的工艺改进以及开发日益复杂的半导体设计和配方的准备。为了满足当今的技术繁荣并应对不断扩大的市场,半导体代工厂需要定量、准确和高速的过程测量。半导体和微机电系统 (MEMS) 正在达到设计极限,通过减小尺寸或提高速度来进一步改进几乎是不可能的。相反,制造商专注于晶圆质量、可重复性和整体良率,以及提高产能。目标是满足对智能电子产品不断增长的需求,同时保持生产成本和价格竞争力。我们的观点微弱等离子体或晶圆光谱的快速分析有助于完善蚀刻工艺参数,同时提高晶圆质量。基于光谱仪的等离子体测量与强大的软件相结合,可以说明等离子体、腔室和视口条件的变化状态,并对来自深蚀刻或薄设计特征的最微弱信号敏感。光谱有助于使终点检测更加精确,从而可以设计出更复杂的晶片形状和图案。由于制造商可以更准确地停止和启动生产过程,因此可以制造更小的特征,同时减少错误和减少晶圆上的不可用空间。另外,随着终点检测变得更加精确,可以使用更薄的不同材料层,即使它们产生微弱的、难以分辨的光谱特征和更紧密排列的峰值。解决方案海洋光学与半导体行业领先的设备供应商合作,共同推进终点检测技术。我们定制了光谱仪(Ocean SR2 和 Ocean HDX 是等离子监测应用的理想选择),以提供半导体制造所需的快速、高灵敏度、精确分辨率和多功能连接能力。借助海洋光学硬件和支持,设备供应商不断改进和完善其为半导体行业提供的蚀刻技术。其在等离子处理和先进封装解决方案方面的领先地位支持与无线设备、光子学、固态照明和 MEMS 设备相关的新兴技术。
  • 中智科仪逐光IsCMOS像增强相机拍摄激光诱导等离子体羽流
    1、应用背景   等离子体是区别于固体、液体和气体的第四种物质聚集状态。在高能环境下,原子的外层电子摆脱原子核的束缚成为自由电子,失去电子的原子变成带正电的离子,这个过程叫电离,这种电离气体就是等离子体,通常由带电离子、自由电子、基态/激发态分子原子和自由基等粒子组成。等离子体在自然界中广泛存在,如太阳、恒星、星际物质、闪电等都是等离子体。   激光诱导等离子体(Laser-Induced Plasma, LIP)是通过激光与物质相互作用产生的一种高温、高密度的等离子体状态物质。当高能量的激光脉冲照射到物体表面时,会使得物质迅速加热并部分或完全电离,形成等离子体。伴随形成的等离子体羽流的演化过程具有超高速、持续时间短(一般几百纳秒)、强自发光背景和小空间尺度的特点,这使得其观测变得具有挑战性。   本次实验采用中智科仪的逐光IsCMOS像增强相机(TRC411),拍摄了激光诱导等离子体羽流的形貌演化过程。基于逐光IsCMOS像增强相机的纳秒级快门门控、高精度的时序同步技术和变延迟序列推扫功能,记录了等离子体羽流的完整演化过程。 2、实验方案   实验设备:   中智科仪逐光IsCMOS像增强相机,型号:TRC411-S-HQB-F F2UV100大通量紫外镜头。   实验室所用激光器为镭宝Dawa-200灯泵浦电光调Q纳秒Nd:YAG激光器,波长1064nm,重复频率1-20Hz。采用激光器Q-out输出触发TRC411相机的方式,对相机Gate通道进行变延迟序列推扫,寻找相机与激光器的同步时刻。   实验流程:   1.实验材料被激发的等离子体羽发光在200nm-500nm左右,因此在镜头前端安装一个430nm的带通滤光片,屏蔽掉1064nm的激发激光和其他杂散光。需要注意观察成像画面中是否有强反射材料,比如样品台的光滑金属反光面或螺丝帽等,为了防止这些强烈反射面的反射光对相机造成损害,需要使用黑色电工胶带将它们遮挡或覆盖。   2. 激光器的Q-out触发输出接到示波器,测得同步输出的TTL信号电平为5V@1MΩ,频率与激光输出频率匹配,均为5Hz。TRC411相机可接受的最大外触发信号电平为5V,保守起见,在触发线末端加入了6dB衰减器,将激光器Q-out输出电平减半。   3. 由于等离子体的发光强度较大,无法确定所使用的滤光片的衰减倍率是否足够,因此首先将镜头光圈调至最小,设置增益为1800,Gate时间13ns(对应光学门宽3ns)。   软件参数设置如下表:   4. 对Gate通道进行变延迟序列扫描,最终找到Gate延时起止时刻在700ns至1100ns之间时,可以捕获到等离子体的发光信号。   软件参数设置界面: 3、实验结果   序列采集SEQ曲线:   根据曲线可以看到实验材料被激发的等离子体发光持续时间约为400ns。   高功率纳秒脉冲激光激发产生的完整等离子体羽形貌演变过程: 4、结论   中智科仪逐光IsCMOS像增强相机具有短至纳秒级的快门,超短的门控可以屏蔽背景噪声,提高信噪比。相机内置的高精度时序控制器可以确保相机与脉冲激光器的同步工作,在确定的延迟捕获等离子体信号。相机的变延迟序列扫描功能可以使相机快速拍摄不同延迟时刻的等离子体信号,获得完整的等离子体演化过程。诸多优势展示了TRC411相机在等离子体诊断方面的重要应用价值。   免责说明:中智科仪(北京)科技有限公司公众号发布的所有内容,包括文字和图片,主要基于授权内容或网络公开资料整理,仅供参考。所有内容的版权归原作者所有。若有内容侵犯了您的权利,请联系我们,我们将及时处理。 5、解决方案   由中智科仪自主研发生产的逐光IsCMOS像增强相机采用高量子效率低噪声的2代Hi-QE以及第3代GaAs像增强器,光学门宽短至500皮秒 全分辨率帧速高达98幅/秒 内置皮秒精度的多通道同步时序控制器,由SmartCapture软件进行可视化时序设置,完全适合时间分辨快速等离子现象。   1. 500皮秒光学快门   以皮秒精度捕捉瞬态现象,并大幅降低背景噪声。   2.超高采样频率   逐光IsCMOS相机目前全分辨率下可达98帧,提供高速数据采集速率,同时可提供实验效率。此外设置使用其中16行的区域下,可以达到1300帧以上。   3.精准的时序控制   逐光IsCMOS像增强相机具有三路独立输入输出的时序同步控制器,最短延迟时间为10皮秒,内外触发设置可实现与激光器以及其他装置精准同步。   4. 创新“零噪声”技术   得益于单光子信号的准确识别,相机的暗噪声及读出噪声被完全去除。

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  • 【求助】等离子刻蚀参数对实验结果的影响

    各位做过等离子刻蚀的同行们: 我是一个新手,在刻蚀聚苯乙烯小球的时候自己设置了几个参数,但是具体每个参数对实验结果的影响还不是很清楚,先列出来Icp(w);RF(w);Pressure(mT)等。希望大家给予指点,不胜感激

  • 【原创】等离子清洗技术

    等离子原理概述:等离子体是物质的一种存在状态,通常物质以固态、液态、气态三种状态存在,但在一些特殊的情况下可以以第四中状态存在,如地球大气中电离层中的物质。这类物质所处的状态称为等离子体状态,又称为物质的第四态。等离子体中存在下列物质:处于高速运动状态的电子;处于激活状态的中性原子、分子、原子团(自由基);离子化的原子、分子;分子解离反应过程中生成的紫外线;未反应的分子、原子等,但物质在总体上仍保持电中性状态。 等离子清洗/刻蚀技术是等离子体特殊性质的具体应用。等离子清洗/刻蚀机产生等离子体的装置是在密封容器中设置两个电极形成电场,用真空泵实现一定的真空度,随着气体愈来愈稀薄,分子间距及分子或离子的自由运动距离也愈来愈长,受电场作用,它们发生碰撞而形成等离子体,这些离子的活性很高,其能量足以破坏几乎所有的化学键,在任何暴露的表面引起化学反应。等离子清洗技术在金属行业中的应用:金属表面常常会有油脂、油污等有机物及氧化层,在进行溅射、油漆、粘合、健合、焊接、铜焊和PVD、CVD涂覆前,需要用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。等离子清洗技术在电子电路及半导体领域的应用:等离子表面处理这门工艺现在正应用于LCD、LED、 IC,PCB,SMT、BGA、引线框架、平板显示器的清洗和蚀刻等领域。等离子清洗过的IC可显著提高焊线邦定强度,减少电路故障的可能性;溢出的树脂、残余的感光阻剂、溶液残渣及其他有机污染物暴露于等离子体区域中,短时间内就能清除。PCB制造商用等离子处理来去除污物和带走钻孔中的绝缘物。对许多产品,不论它们是应用于工业还是电子、航空、健康等行业,其可靠性很大一部分都依赖于两个表面之间的粘合强度。不管表面是金属、陶瓷、聚合物、塑料或是其中的复合物,经过等离子处理以后都能有效地提高粘合力,从而提高最终产品的质量。等离子处理在提高任何材料表面活性的过程中是安全的、环保的、经济的。等离子清洗技术在塑料及橡胶(陶瓷、玻璃)行业中的应用:聚丙烯、PTFE等橡胶塑料材料是没有极性的,这些材料在未经过表面处理的状态下进行的印刷、粘合、涂覆等效果非常差,甚至无法进行。利用等离子技术对这些材料进行表面处理,在高速高能量的等离子体的轰击下,这些材料结构表面得以最大化,同时在材料表面形成一个活性层,这样橡胶、塑料就能够进行印刷、粘合、涂覆等操作。 等离子清洗/刻蚀机处理材料表面时,处理时的工艺气体、气体流量、功率和处理时间直接影响材料表面处理质量,合理选择这些参数将有效提高处理的效果。同时处理时的温度、气体分配、真空度、电极设置、静电保护等因素也影响处理质量。因此,对不同的材料要制定选用不同的工艺参数。等离子表面清洗:金属 陶瓷 塑料 橡胶 玻璃等表面常常会有油脂油污等有机物及氧化层,在进行粘接 绑定 油漆 键合 焊接 铜焊和PVD、CVD涂覆前,需用等离子处理来得到完全洁净和无氧化层的表面。等离子清洗技术在半导体行业、航空航天技术、精密机械、医疗、塑料、考古、印刷、纳米技术、科研开发、液晶显示屏、电子电路、手机零部件等广泛的行业中有着不可替代的应用

  • 蚀刻洗涤液比重检测仪说明书

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