聚焦离子束系统

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聚焦离子束系统相关的厂商

  • 欧波同集团成立于2003年,是一家材料分析数字化解决方案服务商。旗下拥有科学仪器、智慧实验室、第三方检测、技术服务等业务板块。欧波同坚持“让实验更简单”的发展主线,充分掌握计算机视觉和图像识别技术,实现AI技术和工业分析技术的跨界融合,帮助中国企业在世界级竞争中取得成功。为世界材料分析贡献中国力量!SEM扫描电子显微镜、双束聚焦离子束显微镜、赛默飞扫描电镜、场发射扫描电镜、聚焦离子束电镜、赛默飞双束电镜、台式扫描电镜、FEI扫描电镜、FIB扫描电镜、FIB双束电镜、TEM透射电镜、球差电镜、工业三维扫描仪、氩离子抛光测试及制样设备中国区授权代理商,旗下拥有国际贸易、行业解决方案研发、第三方技术服务、融资租赁等业务板块。
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  • 我们长期专注于半导体材料研究与分析设备以及生命科学类仪器的经销和代理,为高校、企业科研工作者提供专业的半导体材料分析、生命科学类的解决方案。以专业技能为导向,精细工艺流程,用科学手段解决用户在科研中遇到的难题。专业的技术工程师和科研工作者进行现场演示和技术交流,打消顾虑,彼此协作,为我国的科研领域谱写新篇章。北京瑞科中仪科技有限公司长期代理销售供应多种分子材料的研究分析设备,其中包括:共聚焦显微镜、激光捕获显微切割、扫描电子显微镜、感应耦合等离子体化学气相沉积系统、离子束刻蚀机、等离子清洗机、物理气相沉积系统以及各品牌的光学显微镜以及实验室设备仪器。
  • 400-831-3279
    TESCANTESCAN是一家专注于微观形貌、结构和成分分析的科学仪器的跨国公司,是全球知名的电子显微仪器制造商,总部位于全球最大的电镜制造基地-捷克布尔诺,且已建立起全球的销售和服务网络,在捷克、法国和美国拥有4家研发中心、2个生产基地以及6家海外子公司,已有超过60年的电子显微镜研发和制造历史。其产品主要有电子显微镜、聚焦离子束系统、多通道全息显微镜及相关分析附件和软件,正被广泛应用于医学、生物、生化、农业、材料科学、冶金、化学、石油、制药、半导体和电子器件等领域中。作为科学仪器的全球供应商之一,TESCAN正为其在设计、研发和制造扫描电子显微镜及扫描电子显微镜在不同领域的应用方面树立良好的声誉和品牌。目前TESCAN的产品和解决方案已经在全球微纳米技术领域取得了领先的地位,首创了扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术,也是行业领域的技术领导者。TESCAN凭借优异的性能赢得全世界越来越多的用户认可,目前生产的各系列电镜在世界范围内受到广泛的好评。从2000年至今已有2500多台电镜积极地服务于全球客户。 TESCAN中国TESCAN于2009年正式进入中国市场,成立了TESCAN CHINA中国分公司,总部设在上海,且在北京、上海两地建立了DEMO实验室,在北京、上海、广州、重庆、南京、武汉、西安、无锡、苏州等城市设立9个维修站。TESCAN中国公司拥有经验丰富的售前应用和售后服务的技术团队,在上海的应用中心有包含钨灯丝电镜、场发射电镜、FIB以及电制冷能谱仪、电镜制样设备等全系列产品的演示培训平台,为国内用户提供参观、交流和学习的平台。在进入中国的短短几年内,TESCAN已逐步建立起了自己的品牌,得到了广大客户的认同。TESCAN在中国的高速发展得益于产品优异的性能、快捷的售后服务以及致力于成就客户的信念,未来TESCAN中国将持续提升个性化服务,为国内用户提供更全面、更专业的综合解决方案!TESCAN中国总部地址:上海市闵行区联航路1688弄旭辉国际10号楼电话 +86 21 6439 8570传真 +86 21 6480 6110销售热线:15000550180邮箱:market-china@tescan.com更多信息请访问:TESCAN官网 www.tescan.comTESCAN中国官网 www.tescan-china.comTESCAN中国应用网站 www.tescan-china.com.cn
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聚焦离子束系统相关的仪器

  • Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片,同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比,Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统,Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜(如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade )直接联用,省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求,Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中,冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像,有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的,其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误,并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids,整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境,确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换,有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如,可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品,同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全,生物安全等级较高的实验室(如生物安全三级实验室)可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积,操作环境异常干净,最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品,进一步提升了设计带来的清洁度,确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格(TomoGrids 或 AutoGrids)的自动上下样,方便转移到冷冻透射电镜,同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后,选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况,等离子体源可实现高铣削速率,以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中,可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。
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  • 仪器简介:JIB-47000F是集成扫描电镜和聚焦离子束于一身高性能仪器。电子光学系统采用场发射电子枪,可以对进行实时研磨监控。该仪器又是一个微区观察、样品分析、微区研磨的集合体,应用范围广泛。技术参数:FIB 分辨率: 5nm, 30kV SEM分辨率: 1.2 nm(15 kV)1.6 nm(1KV) FIB束流:最大90nASEM束流:最大300nA气体输入系统 x1-3主要特点:监控、切割、组装和三维图像重构连续操作 2大束流,最大90nA 3.提供空前稳定的图像 4.气体注入系统用于刻蚀和沉积 5.最大装样 150 mm 6.气锁式样品交换 7.五轴全对中样品台 8.多个样品分析接口9.三维图像、能谱、EBSD
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  • 第二代专为冷冻断层扫描分析制备冷冻超薄切片的冷冻聚焦离子束显微镜Thermo Scientific Aquilos 2 Cryo Focused Ion Beam(冷冻聚焦离子束显微镜,Cryo-FIB)是一款专用的冷冻双束显微镜系统,可为高端冷冻透射电镜断层扫描分析提供最佳的样品制备流程。专为冷冻电镜设计 Thermo Scientific™ Aquilos™ 2 冷冻聚焦离子束显微镜让用户可以控制样品厚度,将生长在电镜载网上的细胞样品进行原位(in situ)的冷冻减薄制备成冷冻超薄切片(cryo-lamellas)。Aquilos™ 2 冷冻聚焦离子束显微镜集成了一个可完全旋转的冷冻载物台以及保护冷冻水合样品免受冰污染的相关硬件设施,从而确保脆弱的生命科学冷冻样品始终保持在玻璃化的温度下。核心优势为使用 Autoloader 的透射电镜制备冷冻断层扫描专用的冷冻超薄切片。仓室内专用的硬件可确保最低程度的样品冰污染,损坏和相关精度的损失。制备没有切割伪影的更薄的冷冻超薄切片。离子束减薄能够制备无压缩的冷冻超薄切片样品,以进行透射电镜断层成像。使用冷冻聚焦离子束减薄可以有效地避免伪影的产生,而使用冷冻超薄切片机制备冷冻超薄切片过程中会形成机械压缩,因而不可避免地会产生伪影。提高样品制备的精度。具有向导式用户软件和 Maps 软件,即使毫无经验的用户也能轻松地操作 Aquilos 2 冷冻聚焦离子束显微镜。将光学显微镜数据导入到 Maps 软件中,可以识别感兴趣区域的特征、瞄准目标并在不同成像方式之间进行关联。自动减薄和冷冻提取系统。具备最先进的自动化冷冻减薄软件,与冷冻提拉系统相配合可处理具有挑战性大块冷冻样品。通宵运行。更长的冷冻工作时间使系统能够通宵运行,以进一步实现冷冻超薄切片制备过程的自动化。
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聚焦离子束系统相关的资讯

  • 聚焦离子束(FIB)技术原理与发展历史
    20世纪以来,微纳米科技作为一个新兴科技领域发展迅速,当前,纳米科技已经成为21 世纪前沿科学技术的代表领域之一,发展作为国家战略的纳米科技对经济和社会发展有着重要的意义。纳米材料结构单元尺寸与电子相干长度及光波长相近,表面和界面效应,小尺寸效应,量子尺寸效应以及电学,磁学,光学等其他特殊性能、力学和其他领域有很多新奇的性质,对于高性能器件的应用有很大潜力。具有新奇特性纳米结构与器件的开发要求开发出具有更高精度,多维度,稳定性好的微纳加工技术。微纳加工工艺范围非常广泛,其中主要常见有离子注入、光刻、刻蚀、薄膜沉积等工艺技术。近年来,由于现代加工技术的小型化趋势,聚焦离子束(focused ion beam,FIB)技术越来越广泛地应用于不同领域中的微纳结构制造中,成为微纳加工技术中不可替代的重要技术之一。FIB是在常规离子束和聚焦电子束系统研究的基础上发展起来的,从本质上是一样的。与电子束相比FIB是将离子源产生的离子束经过加速聚焦对样品表面进行扫描工作。由于离子与电子相比质量要大的非常多,即时最轻的离子如H+离子也是电子质量的1800多倍,这就使得离子束不仅可以实现像电子束一样的成像曝光,离子的重质量同样能在固体表面溅射原子,可用作直写加工工具;FIB又能和化学气体协同在样品材料表面诱导原子沉积,所以FIB在微纳加工工具中应用很广。本文主要介绍FIB技术的基本原理与发展历史。离子源FIB采用离子源,而不是电子束系统中电子光学系统电子枪所产生的加速电子。FIB系统以离子源为中心,较早的离子源由质谱学与核物理学研究驱动,60年代以后半导体工业的离子注入工艺进一步促进离子源开发,这类离子源按其工作原理可粗略地分为三类:1、电子轰击型离子源,通过热阴极发射的电子,加速后轰击离子源室内的气体分子使气体分子电离,这类离子源多用于质谱分析仪器,束流不高,能量分散小。2、气体放电型离子源,由气体等离子体放电产生离子,如辉光放电、弧光放电、火花放电离子源,这类离子源束流大,多应用于核物理研究中。3、场致电离型离子源是利用针尖针尖电极周围的强电场来电离针尖上吸附的气体原子,这种离子源多应用于场致离子显微镜中。除场致电离型离子源外,其余离子源均在大面积空间内(电离室)生成离子并由小孔引出离子流。故离子流密度低,离子源面积大,不适合聚焦成细束,不适合作为FIB的离子源。20世纪70年代Clampitt等人在研究用于卫星助推器的铯离子源的过程中开发出了液态金属离子源(liquid metal ion source,LMIS)。图1:LMIS基本结构将直径为0.5 mm左右的钨丝经过电解腐蚀成尖端直径只有5-10μm的钨针,然后将熔融状态的液态金属粘附在针尖上,外加加强电场后,液态金属在电场力的作用下形成极小的尖端(约5 nm的泰勒锥),尖端处电场强度可达10^10 V/m。在这样高电场作用下,液尖表面金属离子会以场蒸发方式逸散到表面形成离子束流。而且因为LMIS发射面积很小,离子电流虽然仅有几微安,但所产生电流密度可达到10^6/cm2左右,亮度在20μA/Sr左右,为场致气体电离源20倍。LMIS研究的问世,确实使FIB系统成为可能,并得到了广泛的应用。LMIS中离子发射过程很复杂,动态过程也很复杂,因为LMIS发射面为金属液体,所以发射液尖形状会随着电场和发射电流的不同而改变,金属液体还必须确保不间断地补充物质的存在,所以发射全过程就是电流体力学和场离子发射相互依赖和相互作用的过程。有分析表明LMIS稳定发射必须满足三个条件:(1)发射表面具有一定形状,从而形成一定的表面电场;(2)表面电场足以维持一定的发射电流与一定的液态金属流速;(3)表面流速足以维持与发射电流相应的物质流量损失,从而保持发射表面具有一定形状。从实用角度,LMIS稳定发射的一个最关键条件:制作LMIS时保证液态金属与钨针尖的良好浸润。由于只有将二者充分持续地粘附在一起,才能够确保液态金属很好地流动,这一方面能够确保发射液尖的形成,同时也能够确保液态金属持续地供应。实验发现LMIS还有一些特性:(1) 存在临界发射阈值电压。一般在2 kV以上;电压超过阈值后,发射电流增加很快。(2) 空间发射角较大。离子束的自然发射角一般在30º左右;发射角随着离子流的增加而增加;大发射角将降低束流利用率。(3) 角电流密度分布较均匀。(4) 离子能量分散大(色差)。离子能散通常约为4.5 eV,能散随离子流增大而增大,这是由于离子源发射顶端存在严重空间电荷效应所致。由于离子质量比电子质量大得多,同一加速电压时离子速度比电子速度低得多,离子源发射前沿空间电荷密度很大,极高密度离子互斥,造成能量高度分散。减小色差的一个最有效的办法是减小发射电流,但低于2uA后色差很难再下降,维持在4.5eV附近。继续降低后离子源工作不稳定,呈现脉冲状发射。大能散使离子光学系统的色差增加,加重了束斑弥散。(5) LMIS质谱分析表明,在低束流(≤ 10 μA)时,单电荷离子几乎占100%;随着束流增加,多电荷离子、分子离子、离子团以及带电金属液滴的比重增加,这些对聚焦离子束的应用是不利的。以上特性表明就实际应用而言,LMIS不应工作在大束流条件下,最佳工作束流应小于10μA,此时,离子能量分散与发散角都小,束流利用率高。LMIS最早以液态金属镓为发射材料,因为镓熔融温度仅为29.8 ºC,工作温度低,而且液态镓极难挥发、原子核重、与钨针的附着能力好以及良好的抗氧化力。近些年经过长时间的发展,除Ga以外,Al、As、Au、B、Be、Bi、Cs、Cu、Ge、Fe、In、Li、Pb、P、Pd、Si、Sn、U、Zn都有报道。它们有的可直接制成单质源;有的必须制成共熔合金(eutectic alloy),使某些难熔金属转变为低熔点合金,不同元素的离子可通过EXB分离器排出。合金离子源中的As、B、Be、Si元素可以直接掺杂到半导体材料中。尽管现在离子源的品种变多,但镓所具有的优良性能决定其现在仍是使用最为广泛的离子源之一,在一些高端型号中甚至使用同位素等级的镓。FIB系统结构聚焦离子束系统实质上和电子束曝光系统相同,都是由离子发射源,离子光柱,工作台以及真空和控制系统的结构所构成。就像电子束系统的心脏是电子光学系统一样,将离子聚焦为细束最核心的部分就是离子光学系统。而离子光学与电子光学之间最基本的不同点:离子具有远小于电子的荷质比,因此磁场不能有效的调控离子束的运动,目前聚焦离子束系统只采用静电透镜和静电偏转器。静电透镜结构简单,不发热,但像差大。图2:聚焦离子束系统结构示意图典型的聚焦离子束系统为两级透镜系统。液态金属离子源产生的离子束,在外加电场( Suppressor) 的作用下,形成一个极小的尖端,再加上负电场( Extractor) 牵引尖端的金属,从而导出离子束。第一,经过第一级光阑后离子束经过第一级静电透镜的聚焦和初级八级偏转器对离子束的调节来降低像散。通过一系列可变的孔径(Variable aperture),可以灵活地改变离子束束斑的大小。二是次级八极偏转器使得离子束按照定义加工图形扫描加工而成,利用消隐偏转器以及消隐阻挡膜孔可以达到离子束消隐的目的。最后,通过第二级静电透镜,离子束被聚焦到非常精细的束斑,分辨率可至约5nm。被聚焦的离子束轰击在样品表面,产生的二次电子和离子被对应的探测器收集并成像。离子与固体材料中的原子碰撞分析作为带电粒子,离子和电子一样在固体材料中会发生一系列散射,在散射过程中不断失去所携带的能量最后停留在固体材料中。这其中分为弹性散射和非弹性散射,弹性散射不损失能量,但是改变离子在固体中的飞行方向。由于离子和固体材料内部原子质量相当,离子和固体材料之间发生原子碰撞会产生能量损失,所以非弹性散射会损耗能量。材料中离子的损失主要有两个方面的原因,一是原子核的损失,离子与固体材料中原子的原子核发生碰撞,将一部分能量传递给原子,使得原子或者移位或者与固体材料的表面完全分离,这种现象即为溅射,刻蚀功能在FIB加工过程中也是靠这种原理来完成。另一种损失是电子损失:将能量传递给原子核周围的电子,使这些电子或被激发产生二次电子发射,或剥离固体原子核周围的部分电子,使原子电离成离子,产生二次离子发射。离子散射过程可以用蒙特卡洛方法模拟,具体模拟过程与电子散射过程相似。1.由原子核微分散射截面计算总散射截面,据此确定离子与某一固体材料原子碰撞的概率;2.随机选取散射角与散射平均自由程,计算散射能量的核损失与电子损失;3.跟踪离子散射轨迹直到离子损失其全部携带能量,并停留在固体材料内部某一位置成为离子注入。这一过程均假设衬底材料是原子无序排列的非晶材料且散射具有随机性。但在实践中,衬底材料较多地使用了例如硅单晶这种晶体材料,相比之下晶体是有晶向的,存在着低指数晶向,也就是原子排列疏密有致,离子一个方向“长驱直入”时穿透深度可能增加几倍,即“沟道效应”(channeling effect)。FIB的历史与现状自1910年Thomson发明气体放电型离子源以来,离子束已使用百年之久,但真正意义上FIB的使用是从LMIS发明问世开始的,有关LMIS的文章已做了简单介绍。1975年Levi-Setti和Orloff和Swanson开发了首个基于场发射技术的FIB系统,并使用了气场电离源(GFIS)。1975年:Krohn和Ringo生产了第一款高亮度离子源:液态金属离子源,FIB技术的离子源正式进入到新的时代,LMIS时代。1978年美国加州的Hughes Research Labs的Seliger等人建造了第一套基于LMIS的FIB。1982年 FEI生产第一只聚焦离子束镜筒。1983年FEI制造了第一台静电场聚焦电子镜筒并于当年创立了Micrion专注于掩膜修复用聚焦离子束系统的研发,1984年Micrion和FEI进行了合作,FEI是Micrion的供应部件。1985年 Micrion交付第一台聚焦离子束系统。1988年第一台聚焦离子束与扫描电镜(FIB-SEM)双束系统被成功开发出来,在FIB系统上增加传统的扫描电子显微系统,离子束与电子束成一定夹角安装,使用时试样在共心高度位置既可实现电子束成像,又可进行离子束处理,且可通过试样台倾转将试样表面垂直于电子束或者离子束。到目前为止基本上所有FIB设备均与SEM组合为双束系统,因此我们通常所说的FIB就是指FIB-SEM双束系统。20世纪90年代FIB双束系统走出实验室开始了商业化。图3:典型FIB-SEM 双束设备示意图1999年FEI收购了Micrion公司对产品线与业务进行了整合。2005年ALIS公司成立,次年ZEISS收购了ALIS。2007年蔡司推出第一台商用He+显微镜,氦离子显微镜是以氦离子作为离子源,尽管在高放大倍率和长扫描时间下它仍会溅射少量材料但氦离子源本来对样品的损害要比Ga离子小的多,由于氦离子可以聚焦成较小的探针尺寸氦离子显微镜可以生成比SEM更高分辨率的图像,并具有良好的材料对比度。2011年Orsay Physics发布了能够用于FIB-SEM的Xe等离子源。Xe等离子源是用高频振动电离惰性气体,再经引出极引出离子束而聚焦的。不同于液态Ga离子源,Xe等离子源离子束在光阑作用下达到试样最大束流可达2uA,显著增强FIB微区加工能力,可以达到液态Ga离子FIB加工速度的50倍,因此具有更高的实用性,加工的尺寸往往达到几百微米。如今FIB技术发展已经今非昔比,进步飞快,FIB不断与各种探测器、微纳操纵仪及测试装置集成,并在今天发展成为一个集微区成像、加工、分析、操纵于一体的功能极其强大的综合型加工与表征设备,广泛的进入半导体行业、微纳尺度科研、生命健康、地球科学等领域。参考文献:[1]崔铮. 微纳米加工技术及其应用(第2版)(精)[M]. 2009.[2]于华杰, 崔益民, 王荣明. 聚焦离子束系统原理、应用及进展[J]. 电子显微学报, 2008(03):76-82.[3]房丰洲, 徐宗伟. 基于聚焦离子束的纳米加工技术及进展[J]. 黑龙江科技学院学报, 2013(3):211-221.[3]付琴琴, 单智伟. FIB-SEM双束技术简介及其部分应用介绍[J]. 电子显微学报, 2016, v.35 No.183(01):90-98.[4]Reyntjens S , Puers R . A review of focused ion beam applications in microsystem technology[J]. Journal of Micromechanics & Microengineering, 2001, 11(4):287-300.
  • 国内首套双束聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用系统即将投入使用
    核工业北京地质研究院分析测试研究中心是以核能材料、放射性标准物质的制备、地质矿产和环境分析测试技术研究与服务为主的综合性检测实验室技术机构,也是核工业地质行业的仲裁分析测试实验室,是地质行业同位素分析、微束分析等领域的权威机构。核工业北京地质研究院分析测试研究中心采购了两台特殊的质谱仪,今年两台设备同时到货、安装。一台是法国CAMACA公司的IMS 1280-hr高分辨二次离子质谱仪,另一台是TESCAN公司的双束聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用系统。CAMECA公司工程师正在调试设备TESCAN公司专家正在进行应用培训 之所以采购两台二次离子质谱,是因为高分辨质谱仪以极佳的检出限以及超高的分辨能力和精度著称,但成像及原位分析能力较差;而联用系统是扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)和飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS),三者的结合,具有sem的二维高分辨成像和成分、结构等分析能力,结合fib的微区分析与加工能力,实现成分和结构的三维分析;FIB与TOF-SIMS的联用,相比于大型质谱仪具有更高的空间分辨率、更快速的成像速度、更优异的成像能力,同时操作也更简单灵活。整套联用系统可同时进行原位超轻元素、同位素分析能力,此外还可以对元素、同位素等进行二维、三维成像分析。TESCAN公司在电子显微镜和聚焦离子束领域有多项创新,是扫描电子显微镜与拉曼光谱仪联用技术、聚焦离子束与飞行时间质谱仪联用技术以及氙等离子聚焦离子束技术的开拓者,也是行业领域的技术领导者。TESCAN研发部的专家libor sedlá?ek博士 这是国内首套双束聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用系统,TESCAN十分重视和核工业北京地质研究院的合作,研发部的专家libor sedlá?ek博士,专程到北京进行培训,并和中心主任郭冬发研究员、书记范光研究员等专家进行了交流。我们将继续跟踪双束聚焦离子束与飞行时间二次离子质谱联用系统的最新应用进展,分多个篇幅进行介绍,我们也欢迎感兴趣的用户前来参观和交流。
  • 2500万!南京大学团簇离子束磁电双聚焦质量能量分选系统采购项目
    一、项目基本情况项目编号:ZH2024020190(2440SUMEC/GXGG1196)项目名称:团簇离子束磁电双聚焦质量能量分选系统项目预算金额:2500.000000 万元(人民币)采购需求:本项目采购内容为团簇离子束磁电双聚焦质量能量分选系统,具体详见招标文件第四章招标技术规格及要求。合同履行期限:合同签订后5个月内本项目( 不接受 )联合体投标。二、获取招标文件时间:2024年08月19日 至 2024年08月26日,每天上午9:00至11:30,下午13:30至17:30。(北京时间,法定节假日除外)地点:南京市长江路198号14楼方式:具体要求详见其他补充事宜售价:¥500.0 元,本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。1.采购人信息名 称:南京大学     地址:南京市栖霞区仙林大道163号        联系方式:王老师 025-89688969      2.采购代理机构信息名 称:江苏苏美达仪器设备有限公司            地 址:南京市长江路198号            联系方式:文件发售:李婧怡025-84532580,技术咨询:徐嘉玟025-84531265、黄丹025-84531274            3.项目联系方式项目联系人:黄丹电 话:  025-84531274

聚焦离子束系统相关的方案

  • 用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖太阳能电池
    这种复合型材料要获得有效截面,机械切割磨抛方式很难保证切割面的平整,也无法避免样品剖面的污染和边缘损伤;如果采用聚焦离子束FIB加工,应对几百微米的加工区域,将耗费大量时间和带来极高的使用成本。因此,氩离子束切割仪几乎成为高效率、低成本的获取无应力损伤和无污染的平整剖面的唯一的选择。
  • KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
    上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和 IBD 离子束沉积是其典型的应用.
  • 用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片
    1.独特的三离子束系统,可获得最佳的截面处理质量,并可高效获得宽且深的切割区域,大大降低工作时间。并可实现在一次处理过程中最多处理3个样品。因此对有高通量需求的实验室,徕卡EM TIC 3X是最佳解决方案。2.可装配系统,根据您的样品制备需要,可以有针对性地在徕卡EM TIC 3X上装配一体化设计样品台-标准样品台,多样品台或冷冻样品台。3.冷冻样品台针对温度敏感型样品如橡胶或水溶性高分子聚合纤维等,可以使用冷冻样品台对样品进行低温下处理,获得高质量处理结果。样品托和挡板的温度都可达到-150摄氏度。

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  • 【求购】二手聚焦离子束(FIB)!

    国内(大陆)哪家公司或单位有二手最好是废弃的聚焦离子束(FIB)系统出售呢?单双束不限。使用年限不限。价钱越便宜越好。请发信给我afibers@gmail.com.非常感谢!

  • FIB 聚焦离子束分析

    [b]FIB介绍[/b][font=inherit]聚焦离子束技术[/font](Focused Ion beam,FIB)是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的离子束轰击材料表面,实现材料的剥离、沉积、注入、切割和改性。随着纳米科技的发展,纳米尺度制造业发展迅速,而纳米加工就是纳米制造业的核心部分,纳米加工的代表性方法就是聚焦离子束。近年来发展起来的[font=inherit]聚焦离子束技术[/font](FIB)利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工,配合扫描电镜(SEM)等高倍数电子显微镜实时观察,成为了纳米级分析、制造的主要方法。目前已广泛应用于半导体集成电路修改、离子注入、切割和故障分析等。、[b]应用领域[/b](1)线路修改-在IC生产工艺中,发现微区电路蚀刻有错误,可利用FIB的切割,断开原来的电路,再使用定区域喷金,搭接到其他电路上,实现电路修改,最高精度可达5nm。(2)产品表面存在微纳米级缺陷,如异物、腐蚀、氧化等问题,需观察缺陷与基材的界面情况,利用FIB就可以准确定位切割,制备缺陷位置截面样品,再利用SEM观察界面情况。(3)微米级尺寸的样品,经过表面处理形成薄膜,需要观察薄膜的结构、与基材的结合程度,可利用FIB切割制样,再使用SEM观察。[align=center][img=FEI V400,227,227]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8711.png[/img]FEI V400[/align]使用设备:FEI V400可以针对14nm,16nm,28nm, 40nm, 45nm, 65nm, .13um, .18um, .25um, .35um 制程进行线路改造。适用的封装形式BGA, QFN, CSP, WLBGA, Die and board Level, 8” wafer, packaged “flip-chip”[table][tr][td=2,1,568]FIB典型照片[/td][/tr][tr][td=1,1,279]观测[/td][td=1,1,288]线路修改[/td][/tr][tr][td=1,1,279][img=,227,209]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8712.png[/img][/td][td=1,1,288][img=,240,218]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8713.png[/img][/td][/tr][tr][td=2,1,568]FIB配合TEM进行复杂操作[/td][/tr][tr][td=2,1,568] [img=,554,254]http://www.zenh.com/wp-content/uploads/2017/05/%E5%9B%BE%E7%89%8714.png[/img][/td][/tr][/table]文章引用自正衡检测官网欢迎各位莅临正衡检测网站讨论咨询[url]http://www.zenh.com/[/url]

聚焦离子束系统相关的耗材

  • 聚焦离子束SW离子枪专用抑制极
    SUPPRESSOR,SW CONSUMABLE抑制极极电极,用于原厂聚焦离子束设备SW型号的离子枪,抑制极是聚焦离子束加载抑制极电压的电极,与拉出极配合,可对聚焦离子束的发射电流进行调节。大束科技是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场,此外,还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务,以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源(电子显微镜灯丝)、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
  • 聚焦离子束离子枪专用拔出极
    EXTRACTOR ASSY,HT-SW拉出极电极,用于原厂聚焦离子束设备HT-SW型号的离子枪,拉出极是聚焦离子束加载拉出极高压的电极,用于将液态金属镓离子化,形成离子束。大束科技(北京)有限责任公司成立于2018年,是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。电子显微镜属于高端精密仪器,密集应用于我国的基础教学、科研平台、高科技项目研发等领域。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场,此外,还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务,以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源(电子显微镜灯丝)、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
  • 聚焦离子束离子枪专用电镜光阑
    STRIP,TOMAHAWK,#02光阑条,用于原厂聚焦离子束TOMAHAWK型号的离子枪,光阑条是一个条状薄片上有多个不同孔径的圆孔,通过不同的孔径限制离子束的电流强度。以实现不同离子束电流间的切换。大束科技是一家以自主技术驱动的电子显微镜系列核心配件研发制造的供应商和技术服务商。目前公司主要生产电子显微镜的核心配件离子源、电子源以及配套耗材抑制极、拔出极、光阑等销往国内外市场,此外,还为用户提供定制化电子显微镜以及电子枪系统等的维修服务,以及其他技术服务和产品升级等一站式、全方位的支持。在场发射电子源(电子显微镜灯丝)、离子源以及电镜上的高低压电源、电镜控制系统研发制造等领域等均具有优势。
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