碳纸微观形貌

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碳纸微观形貌相关的耗材

  • 三维表面形貌仪配件
    三维表面形貌仪配件是德国进口的高精度多功能表面轮廓测量仪器,也是一款光学表面形貌仪,非常适合对表面几何形状和表面纹理分析。 三维表面形貌仪配件根据国际标准计算2D和3D参数,使用最新的ISO 25178 标准表面纹理分析,依靠最新的 ISO 16610 滤除技术进行计算,从而保证了国际公信力,以标准方案或定制性方案对二维形貌或三维形貌表面形貌和表面纹理,微米和纳米形状,圆盘,圆度,球度,台阶高度,距离,面积,角度和体积进行多范围测量,创造性地采用接触式和非接触式测量合并技术,一套表面形貌仪可同时具有接触式和非接触式测量的选择。 三维形貌仪配件参数: 定位台行程范围:X: 200 mm Y: 200 mm Z: 200 mm (电动) 接触式测量范围: 范围0.1mm, 分辨率2nm, 速度 3mm/s 范围2.5mm 分辨率40nm, 速度3mm/s 非接触式测量范围: 范围:300um, 分辨率2nm, 速度30mm/s 范围:480um, 分辨率2nm, 速度30mm/s 范围:1mm, 分辨率5nm, 速度30mm/s 范围:3.9mm , 分辨率15nm, 速度30mm/s 表面形貌仪配件应用:测量轮廓,台阶高度,表面形貌,距离,面积,体积 分析形态,粗糙度,波纹度,平整度,颗粒度 摩擦学研究,光谱分析 磨料磨具,航天,汽车,化妆品,能源,医疗,微机电系统,冶金,造纸和塑料等领域。
  • 表面形貌仪配件
    表面形貌仪配件又称为光学形貌仪或三维形貌仪,它除了用于测量物件的表面形貌或表面轮廓外,具有测量晶圆翘曲度的功能,非常适合晶圆,太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量,应变测量以及表面形貌测量。 三维形貌仪主要配件应用 用于太阳能电池测量 用于半导体晶圆测量 用于镀膜玻璃的平整度(Flatness)测量 用于机械部件的计量 用于塑料,金属和其他复合型材料工件的测量 表面形貌仪配件特色 *除了表面形貌的测量,还可以测量张量和应力(简单); *可测量晶圆的尺寸为0.5' ' 到12' ' , 最高可达45x45cm的尺寸,对于小于0.5' ' 的晶圆或样品,可配备微距镜头。 *测量晶圆或其他样品的表面形貌,粗糙度和翘曲度; *克服常见干涉仪在粗糙表面(油漆)表现不足的问题; *非接触式测量
  • 微管架
    RM-02-02 微管架(不包括试管,试管另购),适合直径为9-20的试管,用于旋转混合器。产品号产品描述RM-01-01RM-1阶梯式变量控制,定时器旋转混合器RM-01-02旋转混合器、数字速度及定时控制RM-02-01微管架,适合直径为10-11.5的试管RM-02-02微管架,适合直径为9-20的试管RM-02-0350ml 离心管支架, 25 - 35 mm直径RM-03-18试管支架直径12mm、孔深80mmRM-03-28试管支架直径16mm 、孔深80mmRM-03-38试管支架直径26mm 、孔深80mm

碳纸微观形貌相关的仪器

  • NS系列中图微观二维形貌轮廓台阶测量仪是一款超精密接触式微观轮廓测量仪器,主要用于台阶高、膜层厚度、表面粗糙度等微观形貌参数的测量。能够测量纳米到330μm或1050μm的台阶高度;能够测量样品的粗糙度和波纹度,获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等数十项参数。工作过程测量时通过使用2μm半径的金刚石针尖在超精密位移台移动样品时扫描其表面,测针的垂直位移距离被转换为与特征尺寸相匹配的电信号并最终转换为数字点云信号,数据点云信号在分析软件中呈现并使用不同的分析工具来获取相应的台阶高或粗糙度等有关表面质量的数据。NS系列中图微观二维形貌轮廓台阶测量仪采用了线性可变差动电容传感器LVDC,具备超微力调节的能力和亚埃级的分辨率,同时,其集成了超低噪声信号采集、超精细运动控制、标定算法等核心技术,使得仪器具备超高的测量精度和测量重复性。产品功能1.参数测量功能 1)台阶高度:能够测量纳米到330μm或1050μm的台阶高度,可以准确测量蚀刻、溅射、SIMS、沉积、旋涂、CMP等工艺期间沉积或去除的材料。2)粗糙度与波纹度:能够测量样品的粗糙度和波纹度,分析软件通过计算扫描出的微观轮廓曲线,可获取粗糙度与波纹度相关的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等数十项参数。3)应力测量:可测量多种材料的表面应力。2.测量模式与分析功能1)单区域测量模式:完成Focus后根据影像导航图设置扫描起点和扫描长度,即可开始测量。2)多区域测量模式:完成Focus后,根据影像导航图完成单区域扫描路径设置,可根据横向和纵向距离来阵列形成若干到数十数百项扫描路径所构成的多区域测量模式,一键即可完成所有扫描路径的自动测量。3)3D测量模式:完成Focus后根据影像导航图完成单区域扫描路径设置,并可根据所需扫描的区域宽度或扫描线条的间距与数量完成整个扫描面区域的设置,一键即可自动完成整个扫描面区域的扫描和3D图像重建。4)SPC统计分析:支持对不同种类被测件进行多种指标参数的分析,针对批量样品的测量数据提供SPC图表以统计数据的变化趋势。3.双导航光学影像功能在NS200-D型号中配备了正视或斜视的500W像素的彩色相机,在正视导航影像系统中可精确设置扫描路径,在斜视导航影像系统中可实时跟进扫描轨迹。4.快速换针功能采用了磁吸式测针,当需要执行换针操作时,可现场快速更换扫描测针,并根据软件中的标定模块进行快速标定,确保换针后的精度和重复性,减少维护烦恼。磁吸针实物外观图(330μm量程)应用行业NS系列中图微观二维形貌轮廓台阶测量仪应用场景适应性强,其对被测样品的反射率特性、材料种类及硬度等均无特殊要求,能够广泛应用于半导体、太阳能光伏、光学加工、LED、MEMS器件、微纳材料制备等各行业领域内的工业企业与高校院所等科研单位,其对表面微观形貌参数的准确表征,对于相关材料的评定、性能的分析与加工工艺的改善具有重要意义。部分技术指标型号NS200样品观察500万像素彩色摄像机 正视视野:2.2×1.7mm探针传感器超低惯量,LVDC传感器平台移动范围X/Y电动X/Y(150mm*150mm)(可手动校平)单次扫描长度55mm样品厚度50mm载物台晶圆尺寸200mm(8吋)台阶高度重复性5 &angst , 量程为330μm时/ 10 &angst , 量程为1mm时(测量1μm台阶高度,1δ)尺寸(L×W×H)mm630×610×500重量40kg仪器电源100-240 VAC,50/60 Hz,200W恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
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  • 中图仪器WD4000半导体晶圆微观形貌测量系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数,同时生成Mapping图;2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像,显示2D剖面图和3D立体彩色视图,高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数;3、基于白光干涉图的光谱分析仪,通过数值七点相移算法计算,达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度,实现膜厚测量功能;4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉,由此计算出两表面间的距离(即厚度),可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度,包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体晶圆微观形貌测量系统可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面,从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等,提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量 集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组,使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术(1)采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。(2)搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘,晶圆规格可支持至12寸。(3)采用Mapping跟随技术,可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术(1)采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法,Z向分辨率高可到0.1nm;(2)隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声,获得高测量重复性。(3)机器视觉技术检测图像Mark点,虚拟夹具摆正样品,可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台(1)大行程龙门结构(400x400x75mm),移动速度500mm/s。(2)高精度花岗岩基座和横梁,整体结构稳定、可靠。(3)关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动,搭配分辨率0.1μm的光栅系统,保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧(1)集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄,可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。 (2)具备双重防撞设计,避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。(3)具备电动物镜切换功能,让观察变得快速和简单。测量功能1、厚度测量模块:厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;2、显微形貌测量模块:粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能;纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能;滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能;提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等;粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数;结构分析包括孔洞体积和波谷。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量,将晶圆上下面的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像,用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片,细磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次测量数据计算重复性为0.046987nm,测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
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  • 中图仪器VT6000共聚焦工件表面微观形貌检测显微镜一般用于略粗糙度的工件表面的微观形貌检测,可分析粗糙度、凹坑瑕疵、沟槽等参数。它在材料生产检测领域中,测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面,从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等参数。产品功能1)3D测量功能:设备具备表征微观3D形貌的轮廓尺寸及粗糙度测量功能;2)影像测量功能:设备具备二维平面轮廓尺寸的影像测量功能,可进行长度、角度、半径等尺寸测量;3)自动拼接功能:设备具备自动拼接功能,能够实现大区域的拼接缝合测量;4)数据处理功能:设备具备调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能;5)分析工具功能:设备具备粗糙度分析、几何轮廓分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能;6)批量分析功能:设备具备一键分析和多文件分析等辅助分析功能,可实现批量数据文件的快速分析功能;7)便捷操作功能:设备配备操纵杆,支持操纵杆进行所有位置轴的操作及速度调节、光源亮度调节、急停等;8)光源安全功能:光源设置无人值守下的自动熄灯功能,当检测到鼠标轨迹长时间未变动后会自主降低熄灭光源,防止光源高亮过热损坏,并有效延长光源使用寿命;9)镜头安全功能:设备配备压力传感器,并在镜头处进行了弹簧结构设计,确保当镜头碰撞后弹性回缩,进入急停状态,大幅减小碰撞冲击力,有效保护镜头和扫描轴,消除人为操作的安全风险。VT6000共聚焦工件表面微观形貌检测显微镜具有很强的纵向深度的分辨能力。在相同物镜放大的条件下,共焦显微镜所展示的图像形态细节更清晰更微细,横向分辨率更高,能够提供色彩斑斓的真彩图像便于观察。广泛应用于半导体制造及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、微纳材料制造、汽车零部件、MEMS器件等超精密加工行业及航空航天、科研院所等领域中。应用场景1、镭射槽测量晶圆上激光镭射槽的深度:半导体后道制造中,在将晶圆分割成一片片的小芯片前,需要对晶圆进行横纵方向的切割,为确保减少切割引发的崩边损失,会先采用激光切割机在晶圆表面烧蚀出U型或W型的引导槽,在工艺上需要对引导槽的槽型深宽尺寸进行检测。2、光伏在太阳能电池制作工程中,栅线的高宽比决定了电池板的遮光损耗及导电能力,直接影响着太阳能电池的性能。共聚焦显微镜可以对栅线进行快速检测。此外,太阳能电池制作过程中,制绒作为关键核心工艺,金字塔结构的质量影像减反射焰光效果,是光电转换效率的重要决定因素。共聚焦显微镜具有纳米级别的纵向分辨能力,能够对电池板绒面这种表面反射率低且形貌复杂的样品进行三维形貌重建。3、其他自设计之初,VT6000共聚焦工件表面微观形貌检测显微镜便定下了“简单好用"四字方针的目标。1)结构简单:仪器整体由一台轻量化的设备主机和电脑构成,控制单元集成在设备主机之内,亦可采用笔记本电脑驱动,实现了“拎着走"的便携式设计;2)真彩图像:配备了真彩相机并提供还原的3D真彩图像,对细节的展现纤毫毕现;3)操作便捷:采用全电动化设计,并可无缝衔接位移轴与扫描轴的切换,图像视窗和分析视窗同界面的设计风格,实现了所见即所得的快速检测效果;4)采用自研的电动鼻轮塔台,并对软件防撞设置与硬件传感器防撞设置功能进行了优化,确保共聚焦显微镜在使用高倍物镜仅不到1mm的工作距离时也能应对。 部分技术指标型号VT6100行程范围X100mmY100mmZ100mm外形尺寸520*380*600mm仪器重量50kg测量原理共聚焦光学系统显微物镜10× 20× 50× 100×视场范围120×120 μm~1.2×1.2 mm高度测量重复性(1σ)12nm显示分辨率0.5nm宽度测量重复性(1σ)40nm显示分辨率1nmXY位移平台负载10kg控制方式电动Z0轴扫描范围10mm物镜塔台5孔电动光源白光LED恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
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  • 【原创大赛】OPTON的微观世界之 性能形貌学的实际应用

    [align=center]——锂离子电池负极材料的改性[b] [/b][/align][b]序 言[/b]通常商用的锂离子电池都选用碳来做负极材料。但是碳材料作为锂离子电池负极材料,脱锂嵌锂电位比较低,容易引起金属锂的析出,且碳材料热稳定性较差,很容易发生安全事故,大大降低了锂离子电池的安全性能。氧化钛由于其良好的循环稳定性及较安全的充放电电压(1.5V),丰富的储量以及无毒、对环境无污染等特性,是一种最有潜力替代碳材料的负极电池活性材料。[align=center] [/align][align=center][img]http://img1.17img.cn/17img/images/201703/uepic/e04c2a76-f958-44f3-b141-bd35bc5a5643.jpg[/img][/align][align=center]金红石型氧化钛脱锂嵌锂模型图[/align] 如上图,在很多金红石氧化钛脱锂嵌锂机理的研究中都提到了锂离子在金红石晶体内的扩散只有沿着方向(上图蓝色区域)才能进行。而锂离子在(110)晶面上(上图红色区域)只是以界面吸附的情况进行储锂的,这种在(110)晶面上的储锂只在表面浅层的钛氧八面体上发生,而晶体体相内部是不具备嵌锂脱锂活性的,这也意味着微米级的金红石型氧化钛在作为锂离子电池负极材料时具有很低的电池比容量,如何通过暴露更多的(001)面来提高金红石的比容量是研发氧化钛基负极电极材料首先要解决的问题。1. 金红石型纳米材料的生长机理[align=center] [img]http://img1.17img.cn/17img/images/201703/uepic/b9b35cac-9ad3-4c02-ae92-ebe9f7a1b6bf.jpg[/img][/align][align=center][/align][align=center]金红石纳米颗粒生长机理图[/align]如上图所示,由于金红石型晶体{110}晶面的表面能远远低于{001}晶面的表面能,因此金红石纳米晶体在沿不同晶向上的生长速度大不相同,且生长过程中为了保持晶体结构的稳定,会选择性的暴露更多的表面能更低的{110}系晶面。根据这个原理只要我们在【Step1】步骤中加入合适的晶面生长抑制剂,降低晶体沿{001}晶面方向的生长速度,则可以暴露出更多的金红石{001}晶面,同时也增加了纳米晶体的孔隙率,为锂离子电池的脱离嵌锂提供更多的活性位点。2. 不同生长速度的纳米晶体的微观结构表征[align=center][img]http://img1.17img.cn/17img/images/201703/uepic/efad5c72-96a7-45e3-b626-c491f46cf232.jpg[/img][/align][align=center]不同晶向上晶体生长速度快但不均匀(a)、速度慢(b)、快且均匀(c)的形貌及比表面积图[/align][align=center] [/align]由上图【C】可以看到,当选择合适的工艺及条件时,可以合成出暴露{001}晶面族更多的纳米颗粒,且相对于另外两种颗粒来说,它有更高的比表面积。3. 锂电性能测试评价[align=center][img=,600,435]http://img1.17img.cn/17img/images/201703/uepic/12b410e5-b889-4030-a6fd-710be53650ac.jpg[/img][/align][align=center]不同晶向上晶体生长速度快但不均匀(a)、速度慢(b)、快且均匀(c)的电池性能测试[/align][align=center] [/align]如上图所示,同样一种材料通过形貌调控后,锂电池的比容量由90-100mAh/g升高到了220mAh/g,比容量提升了一倍还多。由此可见通过不同的材料合成工艺可以合成出性能千差万别的材料出来。[b]后记[/b]随着纳米技术越来越贴近人们的日常生活,显微形貌分析不再仅仅局限于对微观材料形貌的观察与模仿,在对材料的改性及生产过程管控中也起到了越来越重要的作用。为新材料、新产品的研发提供了强有力的技术支持。

  • 【原创大赛】【微观看世界】+ 锰酸锂的形貌观察

    【原创大赛】【微观看世界】+ 锰酸锂的形貌观察

    【微观看世界】+ 锰酸锂的形貌观察锰酸锂主要为尖晶石型锰酸锂,尖晶石型锰酸锂LiMn2O4是Hunter在1981年首先制得的具有三维锂离子通道的正极材料,至今一直受到国内外很多学者及研究人员的极大关注,它作为电极材料具有价格低、电位高、环境友好、安全性能高等优点,是最有希望取代钴酸锂LiCoO2成为新一代锂离子电池的正极材料。锰酸锂是较有前景的锂离子正极材料之一,相比钴酸锂等传统正极材料,锰酸锂具有资源丰富、成本低、无污染、安全性好、倍率性能好等优点,是理想的动力电池正极材料,但其较差的循环性能及电化学稳定性却大大限制了其产业化。锰酸锂主要包括尖晶石型锰酸锂和层状结构锰酸锂,其中尖晶石型锰酸锂结构稳定,易于实现工业化生产,如今市场产品均为此种结构。尖晶石型锰酸锂属于立方晶系,Fd3m空间群,理论比容量为148mAh/g,由于具有三维隧道结构,锂离子可以可逆地从尖晶石晶格中脱嵌,不会引起结构的塌陷,因而具有优异的倍率性能和稳定性。下面就来关注下他的微观形貌吧。测试仪器:SEM+EDS仪器型号:JEOL JSM-6460LV测试标准:JY/T 010-1996测试条件:见图片标识测试结果:见图片http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/09/201409061537_513048_2042772_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/09/201409061537_513049_2042772_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/09/201409061537_513050_2042772_3.jpghttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2014/09/201409061537_513051_2042772_3.jpg

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  • OPTON的微观世界|第7期 性能形貌学的实际应用
    ——锂离子电池负极材料的改性 序 言通常商用的锂离子电池都选用碳来做负极材料。但是碳材料作为锂离子电池负极材料,脱锂嵌锂电位比较低,容易引起金属锂的析出,且碳材料热稳定性较差,很容易发生安全事故,大大降低了锂离子电池的安全性能。氧化钛由于其良好的循环稳定性及较安全的充放电电压(1.5V),丰富的储量以及无毒、对环境无污染等特性,是一种最有潜力替代碳材料的负极电池活性材料。 金红石型氧化钛脱锂嵌锂模型图 如上图,在很多金红石氧化钛脱锂嵌锂机理的研究中都提到了锂离子在金红石晶体内的扩散只有沿着[001]方向(上图蓝色区域)才能进行。而锂离子在(110)晶面上(上图红色区域)只是以界面吸附的情况进行储锂的,这种在(110)晶面上的储锂只在表面浅层的钛氧八面体上发生,而晶体体相内部是不具备嵌锂脱锂活性的,这也意味着微米级的金红石型氧化钛在作为锂离子电池负极材料时具有很低的电池比容量,如何通过暴露更多的(001)面来提高金红石的比容量是研发氧化钛基负极电极材料首先要解决的问题。 1. 金红石型纳米材料的生长机理 金红石纳米颗粒生长机理图如上图所示,由于金红石型晶体{110}晶面的表面能远远低于{001}晶面的表面能,因此金红石纳米晶体在沿不同晶向上的生长速度大不相同,且生长过程中为了保持晶体结构的稳定,会选择性的暴露更多的表面能更低的{110}系晶面。根据这个原理只要我们在【Step1】步骤中加入合适的晶面生长抑制剂,降低晶体沿{001}晶面方向的生长速度,则可以暴露出更多的金红石{001}晶面,同时也增加了纳米晶体的孔隙率,为锂离子电池的脱离嵌锂提供更多的活性位点。2. 不同生长速度的纳米晶体的微观结构表征不同晶向上晶体生长速度快但不均匀(a)、速度慢(b)、快且均匀(c)的形貌及比表面积图 由上图【C】可以看到,当选择合适的工艺及条件时,可以合成出暴露{001}晶面族更多的纳米颗粒,且相对于另外两种颗粒来说,它有更高的比表面积。 3. 锂电性能测试评价 不同晶向上晶体生长速度快但不均匀(a)、速度慢(b)、快且均匀(c)的电池性能测试 如上图所示,同样一种材料通过形貌调控后,锂电池的比容量由90-100mAh/g升高到了220mAh/g,比容量提升了一倍还多。由此可见通过不同的材料合成工艺可以合成出性能千差万别的材料出来。 后记 随着纳米技术越来越贴近人们的日常生活,显微形貌分析不再仅仅局限于对微观材料形貌的观察与模仿,在对材料的改性及生产过程管控中也起到了越来越重要的作用。为新材料、新产品的研发提供了强有力的技术支持。
  • OPTON微观世界 | 连铸坯典型内部缺陷断口形貌特征简介
    1连铸坯质量及内部典型缺陷类型 连铸坯质量决定着最终钢铁产品的质量。从广义来说所谓连铸坯质量是得到合格产品所允许的连铸坯缺陷的严重程度,连铸坯存在的缺陷在允许范围以内,叫合格产品。 连铸坯的质量缺陷主要为内部质量缺陷和表面质量缺陷,因其成因不同,控制,抑制缺陷的产生及提高质量的措施和方法也不尽相同。 连铸坯内部缺陷主要有中心疏松、中心缩孔、夹杂物、气孔、裂纹、氢脆等,连铸坯质量是从以下几个方面进行评价的:(1)连铸坯的纯净度:指钢中夹杂物的含量,形态和分布。 (2)连铸坯的表面质量:主要是指连铸坯表面是否存在裂纹、夹渣及皮下气泡等缺陷。连铸坯这些表面缺陷主要是钢液在结晶器内坯壳形成生长过程中产生的,与浇注温度、拉坯速度、保护渣性能、浸入式水口的设计,结晶式的内腔形状、水缝均匀情况,结晶器振动以及结晶器液面的稳定因素有关。(3)连铸坯的内部质量:是指连铸坯是否具有正确的凝固结构,以及裂纹、偏析、疏松、夹杂、气孔等缺陷程度。二冷区冷却水的合理分配、支撑系统的严格对中是保证铸坯质量的关键。 只有提供高质量的连铸坯,才能轧制高品质的产品。因此在钢生产流程中,生产无缺陷或不影响终端产品性能的可容忍缺陷铸坯,生产无缺陷或不影响结构件安全可靠性能的可容忍缺陷的钢材是冶金工作者的重要任务。随着科学技术的不断发展以及传统物理学、材料学的不断完善,连铸钢缺陷检测已经进入了纳米检测时代。扫描电镜以其高分辨率、高放大倍数及大景深的特点为连铸钢缺陷分析与对策研究提供了无限可能,使得材料分析变得更加具有科学性和实用性。扫描电镜广泛用于材料的形貌组织观察、材料断口分析和失效分析、材料实时微区成分分析、元素定量、定性成分分析、快速的多元素面扫描和线扫描分布测量、晶体/晶粒的相鉴定、晶粒与夹杂物尺寸和形状分析、晶体、晶粒取向测量等领域。电子显微镜已经成为钢铁行业在产品研发、质量检验、缺陷分析、产品失效分析等方面强有力的工具和检测手段。2连铸坯典型内部缺陷宏观和微观特征及形成机理简介2.1 缩孔缺陷特征 在横向酸浸低倍试片上存在于铸坯中心区域、形状不规则、孔壁粗糙并带有枝晶状的孔洞,孔洞暗黑。一般出现于铸坯最后凝固部位,在铸坯纵向轴线方向呈现的是间断分布的孔洞。形成机理 连铸圆坯在凝固冷却过程中由于温度梯度大、冷却速度快和结晶生长的不规则性,局部优先生长的树枝晶产生“搭桥”现象,把正在凝固中的铸坯分隔成若干个小区域,造成钢水补充不足,钢液完全凝固时引起体积收缩,在铸坯最后凝固的中心区域形成缩孔。另外,拉坯速度过快,浇注温度高,钢水过热度大等都将影响铸坯中心缩孔的大小。因连铸时钢水不断补充到液相,故连铸圆坯中纵向无连续的集中缩孔,只是间断出现缩孔。微观特征 缩孔内壁呈现自由凝固光滑枝晶特征,见图1。图1 连铸坯心部断口中不致密的疏松和缩孔2.2 疏松缺陷特征 在横向酸浸低倍试片的中心区域呈现出的分散小黑点、不规则多边形或圆形小孔隙组成的不致密组织。较严重时,有连接成海绵状的趋势。形成机理 连铸过程中浇注温度过高,中包钢水过热度较大,铸坯在二冷区冷却凝固过程中由于温度梯度作用,柱状晶强烈向中心方向生长。中心疏松的产生可看成是铸坯中心的柱状晶向中心生长,碰到一起造成了“搭桥”阻止了桥上面的钢液向桥下面钢液凝固收缩的补充,当桥下面钢液全部凝固后就留下了许多小孔隙;或钢液以枝状晶凝固时,枝晶间富集杂质的低熔点钢液在最后凝固过程中产生收缩,与此同时,脱溶气体逸出而产生孔隙;或是钢中的非金属夹杂物在热酸浸时被腐蚀掉而留下孔隙。钢中含有较多的气体和夹杂时,会加重疏松程度。疏松对钢材性质的影响程度取决于疏松点的大小、数量和密集程度。微观特征 不致密的自由凝固枝晶特征,常有夹杂物伴生,见图2、图3。图2 连铸坯心部断口中疏松与枝晶状硫化物图3 连铸坯心部断口中不致密的疏松缺陷图4 连铸坯中部断口中柱状晶及小气孔缺陷2.3柱状晶发达缺陷特征 在横向酸浸低倍试片上,铸坯的上半弧枝晶发达至中心,下半弧枝晶相对细小。形成原因 连铸结晶器内钢液的凝固热传导对铸坯表面质量有非常大的影响。研究发现随着结晶器冷却强度(热流)的增加,坯壳的不均匀程度提高。如果冷却水冷却不均匀,上弧冷却强,就可能造成上弧柱状晶发达穿透至中心;下弧冷却弱,柱状晶就相对比较细小。微观特征 发达的枝晶状柱状晶其上常有小气孔或夹杂物存在,见图4。2.4 非金属夹杂物缺陷特征 在横向酸浸低倍试片上的连铸坯内弧侧、皮下1/4—1/5半径部位分布有不同形状的孔隙或空洞(夹杂被酸浸掉)。在硫印图片上能观察到随机分布的黑点。形成机理 按夹杂物来源,非金属夹杂物分为内生夹杂和外来夹杂。内生夹杂是指冶炼时脱氧产物和浇注过程中钢水的二次氧化所生成的产物未能排出而残留在钢中的夹杂物。外来夹杂是指冶炼和浇注过程中由外部混入钢中的耐火材料、保护渣、未融化的合金料等外来产物。这些内生或外来夹杂在连铸上浮过程中被内弧侧捕捉而不能上浮到结晶器液面是造成内弧夹杂物聚集的原因。微观特征 连铸坯中夹杂物多呈球状、块状、颗粒状,分布在疏松、气孔、晶界等部位,见图5、图6 图5 连铸坯心部断口晶界上的颗粒状碳氮化物图6 连铸坯心部断口中光滑气孔及枝晶状硫化物2.5 氢致裂纹缺陷特征 在横向酸浸低倍试片上氢致裂纹的分布形态是距铸坯周边一定距离的细短裂纹,有的裂纹呈锯齿状。在纵向试样上,氢致裂纹与纤维方向大致平行或成一定角度,裂缝的锯齿状特征更明显。在纵向断口上呈现的是椭圆形的银灰色斑点,一般称之为铸态白点。形成机理 氢致裂纹是由于熔于钢液中的氢原子在连铸坯凝固冷却过程中脱熔并析集到夹杂、疏松等空隙中化合成分子氢产生巨大的压力并与钢相变时产生的热应力、组织应力叠加,在局部缺陷区域产生巨大的气体压力,当超过钢的强度极限时,导致钢坯内部产生裂纹。微观特征 断口呈氢脆解理或准解理特征,见图7、图8。图7 连铸坯断口上的氢脆解理特征(H 5.4PPm)图8 连铸坯断口上的氢脆解理及颗粒状氧化物2.6连铸坯正常特征宏观特征 在横向酸浸低倍试片上无粗大的柱状晶、无裂纹、无气泡、无中心缩孔、无夹杂物聚集、无明显的成分偏析,质量良好。微观特征 连铸坯正常断口形貌为粗大的解理扇或解理河流形貌特征,见图9。图9 连铸坯断口中正常解理形貌特征
  • OPTON微观世界 | 第42期 制样方法对截面样品形貌的影响
    背景介绍硅橡胶是由硅氧键连接构成的高分子聚合物,硅氧键具有很强的键能,热稳定性,化学稳定性好,具有较强的耐老化性能;压缩率大,表面张力小,憎水防潮性好,比热容和导热系数小,不溶于水。填料的含量对聚合物复合材料的性能有很大的影响,还会影响混炼时的加工性能。加入过多的填料,会使混炼变得困难,还会直接影响到聚合物复合材料的力学性能,填料的含量控制在一定范围内,随着填料含量的增加,聚合物复合材料的性能是逐渐增加的,超过这个阈值,聚合物复合材料的性能则不会增加。填料在聚合物中分散越好,越容易形成网络,对聚合物复合材料的性能越佳。而填料的尺寸对其分散性有非常重要的影响:粒径越小,粒子之间越容易团聚,在聚合物中的分散更加困难,会使聚合物的力学性能急速下降;粒径过大,容易在聚合物中形成应力集中点,使其力学性能下降,因此,也不宜添加过多。所以如何控制填料的粒径和含量,需要通过SEM的实验结果来确定。本文采用了两种制样方法,使用蔡司Sigma300在低电压下不喷金直接观测硅橡胶截面形貌,对比观测氧化铝填料在硅橡胶中的分布情况。制样方法如下所示:(1)刀片切割:采用锋利的刀片切割出较薄的截面;(2)液氮淬断:剪取小块样品放入液氮中冷冻,由于橡胶韧性较好,则需冷冻较长时间。如图1所示图1不同制样方法:刀片切割(A);液氮脆断(B)不同制样方法对结果的影响:图2不同制样方法硅橡胶的截面形貌像A1,A2:刀片切割;B1,B2:液氮淬断实验结果表明:刀片切割后的样品,图中的聚合物基体有一定粘连,对判断 Al2O3填料在聚合物中的分散有一定的影响;但在液氮中淬断的样品,聚合物基体无粘连,很容易判断Al2O3填料在聚合物基体中的分散情况,如图2所示。如果聚合物薄膜较薄,直接用剪刀剪断或者刀片切割,样品的截面则会被表层覆盖,更难判断填料在基体中的分散。
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