分子束外延设备

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分子束外延设备相关的厂商

  • 400-860-5168转1311
    SVT Associates, Inc. is dedicated to all aspects of semiconductormaterial research and manufacturing. Since 1992, we have served the needsof the MBE and UHV deposition communities, as well as the telecommunications and opto-electronic industries, by providing specialized equipment and services relating to compound semiconductor device technologies. In addition to our sales of MBE deposition systems and components, epitaxial services and device development are available.SVT Associates, Inc. (SVTA) 由 Dr.Chow 创立, 从1993年9月7日起,SVTA从事超高真空系统及其环境下的电子材料、器件的研发生产。公司的产品有:系列的分子束外延系统MBE,激光分子束外延系统/脉冲激光沉积系统(L-MBE/PLD),原子层沉积系统(ALD);以及系列的用于晶体薄膜生长原位检测、监控仪器及EPI Wafer。年生产几十台仪器,为客户提供一流的产品、技术和服务。公司总部有相关研发中心,超过十几位博士致力于LMBE 相关设备研发,设计,及制造.同时提供产品的售后服务及应用支持. 在中国的有多位专业技术人员, 提供完整的售后服务,保证优质服务质量及高效快速的响应.
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  • 鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积(CVD)系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备(科研型、生产型)、超高真空磁控溅射外延设备(10-8Pa)|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备:PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备:热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台:以内置真空机械手的样品传递室为中心(配4~8个进出口),配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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  • 中科艾科米(北京)科技有限公司坐落于北京怀柔科学城,是一家专注于超高真空扫描探针显微镜(SPM)系统及相关部件的研发、设计及生产的公司。团队在相关领域的科学研究及科研仪器设备的研制方面具有十多年的技术积累和扎实的基础,掌握目标仪器装备的多项核心技术和专利,具有自主知识产权。公司以科研客户需求为导向,结合国内外前沿科研技术及成果,致力于打造国内先进科研仪器的技术创新平台,为国内外相关科研人员提供科学实验的解决方案。目前已在SPM及相关领域研发出多种性能稳定、性价比高的产品,并获得了20余项实用技术专利。主要产品包括:闭循环无液氦扫描探针显微镜系统(UHV-Cryogen-free SPM SYSTEM)超高真空变温扫描隧道显微镜系统(UHV-VT STM SYSTEM)、原子层沉积系统(ALD)、光学兼容超高真空低温扫描探针显微镜-分子束外延联合系统(UHV-LT-SPM-MBE )等成套系统以及电阻式加热蒸发源(K-cell)及控制器、电子束加热蒸发源(E-beam)及控制器、碱金属蒸发源、温度控制器(TC)、针尖腐蚀仪、SPM扫描探头等部件及电控单元。
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分子束外延设备相关的仪器

  • 该设备可以在某些衬底材料上实现外延生长工艺,实现分子自组装、超晶格、量子阱、一维纳米线等。可以进行第二代半导体和第三代半导体的工艺验证和外延片的生长制造。分子束外延薄膜生长设备MBE在薄膜外延生长时具有超高的真空环境,是在理想的环境下进行薄膜外延生长,它可以排除在薄膜生长时的各种干扰因素,得到理想的高精度薄膜。我公司设计制造的分子束外延薄膜生长实验设备,分实验型和生产型两种 ,配置合理,结构简单,操作方便,技术先进,性能可靠,用途多,实用性强,价格相对较低,可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的教学实验、科学研究及工艺实验之用。生产型MBE可用于小批量外延片的制备。功能特点本项目于2005年在国内率先完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造,做到自主可控。自主设计MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子枪、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)等核心部件。可实现第二代半导体(如砷化镓等)和第三代半导体(如碳化硅和氮化镓)的外延生长。设备组成与主要技术指标设备的组成进样室该室用于样品的进出仓,并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。预处理室该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气,及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理,如高温退火等等。外延室超高真空洁净真空室,实现分子束外延工艺。主要技术指标进样室极限真空:5.0×10^-5Pa样品装载数量:6片(φ2 英寸~φ4 英寸,带样品载具)预处理室极限真空:5×10^-7Pa样品台加热温度:室温~ 850℃±1℃(PID 控制)离子清洗源:Φ60;100 ~ 500eV外延室 极限真空 离子泵 2.0×10-8 Pa(冷阱辅助) 样品台加热温度 室温~ 1200℃±1℃(PID 控制) 样品自转速度 2 ~ 20 转 / 每分钟(无级可调) 气态离化源 1~3套(氮) 固态束源炉 3 ~ 8 套(根据用户需求配置) Rheed 1套*工艺室部分部件根据客户需求不同,所配置不同。实验型MBE设备组件超高真空直线型电子枪自主研发直线型电子枪,满足超高真空和束源炉法兰接口及安装尺寸的要求;可用于高温难融材料的加热蒸发。超高真空直线型电子枪高能衍射枪及电源束斑0.6mm,高压25kV。光斑在荧光屏上可衍射图像经CCD 相机采集后由计算机进行图像处理。生产型MBE工艺实现使用鹏城半导体自主研发的分子束外延设备生长的Bi2-xSbxTe3。
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  • 美国SVT公司MBE分子束外延系统美国SVT公司是世界顶级的MBE供应商,具有20年的MBE设备制造经验。数位核心工程师拥有25年以上的MBE经验。占据美国主要科研市场的SVT分子束外延系统,以其专业化的超高真空技术和薄膜生长技术搏得了广大客户的青睐。SVT公司拥有独立的应用实验室,可以为客户提供完善的工艺技术服务。和客户之间建立共同研发及合作的技术平台。SVT公司建立完善的售后服务体系。在北京、香港、美国总部都有服务工程师。型 号应 用样 品 尺 寸35-4III-V, 或其他化合物半导体4’’35-N氮化物半导体4’’或3X2’’35-6III-V或II-VI 或其他化合物半导体4’’, 6’’或多片2’’35-G-4III-V化合物,SiGe4’’SM-6Si,Ge,金属4’’或6’’S-8Si,Ge,介质材料最大8’’可配集成腔室SVT-V化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料2’’或3’’35-D双生长腔室,III-V或II-VI 或其他化合物半导体,铁磁材料3’’或4’’35-VCIGS3’’或4’’NanoFabII-V,II-VI,II-氧化物,III-氮化物以及其他材料1’’或2’’UVD-02氧化物或其他介质材料4’’, 可配有液态源PLD-02氧化物半导体、高温超导材料、光学晶体材料、电光学薄膜、铁电以及铁磁材料等4’’, 激光/电子束沉积35V14化合物半导体,氮化物,氧化物,铁磁材料14’’或多个小尺寸SVT MBE系统是模块化设计,主要包括装载室模块,预备或分析室模块,主生长室模块。可配10个源,线性移动挡板。每个模块都有独立的抽气系统。模块间有闸板阀相互隔离,互不影响。Model 35-6 AlGaAs(或其他半导体材料)研究和生产型设备,样品尺寸可达6英寸。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。可配普通束流源,裂解源,RF源,电子束蒸发源。Model 35-N-V 标准4' ' 衬底MBE平台,用于生长高质量的氮化物半导体材料。可容纳10个cell。真空度 1×10-10Torr。设计考虑了严格的活性氮环境并配有高温衬底加热器。氮源的种类包括RF氮源和氨气入射源。26-O-V 氧化物MBE系统具有弹性配置。真空度 1×10-10Torr。此多元化MBE平台可以生长研究各种氧化物材料。该系统可以配备多坩埚电子束蒸发源以及10个热蒸发源或等离子源等。氧化物MBE还包括:26-O-C紧凑型氧化物MBE、26-O-6大样品氧化物MBE等各种型号。Model SM-6 SiGe系统用于生长高质量的Si/Ge及相关化合物。真空度 1×10-10Torr。可容纳9个普通源及1个电子束蒸发源,或6个普通源及2个电子束蒸发源。该系统集成了电子束蒸发和热源蒸发两种沉积技术,并通过传感器反馈控制技术实现薄膜制备的高度再现性。
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  • 分子束外延MBE 400-860-5168转5919
    1. 产品概述屡获殊荣的新型 GENxcel&trade 系统是在 GENxplor 的基础上进行的扩展,GENxplor&trade 是自 2013 年 8 月推出以来畅销的 MBE 系统,与 GENxplor 系统的 3“ 功能相比,在单个 4 英寸衬底上具有高质量的外延生长。GENxcel 系统具有易于使用的手动传输系统、12 个源端口和完全集成到单框架设计中的现代电子设备,可实现大的实验室占地面积效率。在直径达 4 英寸的衬底上实现高质量外延层独特的单帧架构提高了易用性,提供了便捷的源访问和增强的可服务性高效的一体化设计将手动系统与机载电子设备相结合,与其他 MBE 系统相比,可节省 40% 的实验室空间非常适合对各种材料进行沿研究,包括砷化镓、氮化物和氧化物Molly® 软件集成了简单的配方编写、自动生长控制和始终在线的数据记录可选的 Nova&trade 超高温基板加热器,可在 1850° 下提供经过验证的性能可直接扩展到 GEN20&trade 、GEN200® 和 GEN2000® MBE 系统
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分子束外延设备相关的资讯

  • 分子束外延占主流——共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备盘点
    随着半导体市场,,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器,MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中,不论是海外品牌还是国产品牌,近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度,这些仪器设备大多养在“深闺”,大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能,中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日,科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知(国科发基〔2020〕342号)》,全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中,对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息(注:本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台,部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全,不完全统计分析仅供读者参考)。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计,共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台,涉及23省(直辖市/自治区),73家单位。其中,北京市共享设备数量最多达64台,占比35%,涉及14所高校院所,北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多,产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户,也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看,其主要分布于高校集中的海淀区,该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出,MBE在科研领域中的占比较大,高达73%,MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长,大批量生产性差,对真空条件要求高,目前还无法大规模用于工业化生产中,又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势,主要用于进行生长机制的研究,图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好,但生产效率低,因此在工业领域中,MOCVD占据主流。不过近年来,众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化,信息显示,北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称,深圳地区有人做相关产业化,一次性买入几十台MBE,做2寸的晶圆,做出来多少,就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出,这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究,占比分别为36%和32%。需要注意的是,以上统计存在交叉分布的情况,即该仪器同时属于多类学科领域,实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢?整体来看,化合物半导体薄膜沉积与外延设备中,沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高,其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及,Aixtron则聚焦MOCVD设备,Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成,发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主,占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan,本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司,专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备。2016年10月,中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron,但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片,在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上,产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构),不但均匀性较好,也减少了边缘效应。不过就现阶段而言,大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统,使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢?统计结果表明,此类产品以德国品牌居多,占比达32%,其次为国产品牌,可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。
  • 窥见中国MBE市场——分子束外延专利情况分析
    随着半导体市场,特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长,分子束外延作为一种新发展起来的外延制膜方法而逐渐崭露头角。分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术,它是在超高真空条件下,类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子),以一定的热运动速度,按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件,这种文件记载了发明创造的内容,并且在一定时期内产生这样一种法律状态,即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国,专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体,囊括了全球90%以上的最新技术情报,相比一般技术刊物所提供的信息早5~6年,而且70%~80%发明创造只通过专利文献公开,并不见诸于其他科技文献,相对于其他文献形式,专利更具有新颖、实用的特征。可见,专利文献是世界上最大的技术信息源,另据实证统计分析,专利文献包含了世界科技技术信息的90%~95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上,对企业组织而言,专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此,通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析,可以从其中得到大量有用信息。基于此,仪器信息网特统计分析了国内分子束外延的专利信息,以期为从业者提供参考。(本文搜集信息源自网络,不完全统计分析仅供读者参考,时间以专利申请日为准)本次统计,以“分子束外延”为关键词进行检索,共涉及专利总数量为593条,其中发明专利540条、实用新型专利52条和外观专利1条。从统计结果可以看出,从1992年开始,分子束外延专利数量整体呈增长趋势,但在2004-2006年之间出现了一个小高峰。这表明分子束外延的研发投入整体在不断增加,相关企业和科研院所数量也在不断增加,从事相关研究的人数也在逐年增加。1992-2003是国内分子束外延技术的起步阶段,2004年进入了发展阶段。从申请人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利60件,中国科学院上海微系统与信息技术研究46件专利与中国科学院上海技术物理研究所24件专利,分列第二与第三位。整体来看,相关专利几乎都集中于科研院所,特别是中科院系统内,在专利申请量TOP20中的企业只有新磊半导体科技(苏州)有限公司和苏州焜原光电有限公司。具体来看,科研院所的分子束外延专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面;而两家企业的专利主要围绕分子束外延设备方面。据了解,苏州焜原光电有限公司成立于2017年5月,位于苏州吴江汾湖高新区,地处江浙沪两省一市交汇的黄金腹地,由陈意桥博士携美国及国内团队创立,主要从事III-V族化合物半导体材料和器件的研发和生产。该公司技术团队拥有器件及材料结构设计、外延材料生长、器件研制、MBE设备设计及定制化升级改造等多方面人才。可以看出,目前分子束外延的研发主要集中于科研院所,相关设备主要用于科研领域。从发明人专利量排行可以看出,在专利申请人申请量排名中,中国科学院上海技术物理研究所的顾溢研究员的表现最为突出,共申请专相关利22件,其次为冯巍、张永刚等人。顾溢是中科院上海技物所研究员,主要研究领域为III-V族半导体光电材料与器件,包括半导体材料分子束外延、失配材料生长与应变控制、短波红外半导体探测材料及其光电特性等,在大失配异变和赝配In(GaAl)As晶格工程和大尺寸高均匀材料外延及其器件研制方面取得系列成果。通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度,进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出,国内分子束外延相关专利申请主要集中于北京市、上海市、江苏省等,这些地区都是半导体相关研究发达的地区,而分子束外延主要用于科研。从专利技术分类来看,大部分的专利都集中于电学领域(57.77%)。这主要是因为其被广泛应用于半导体器件或其部件的制造或处理(h01l21/02)。具体来讲,主要是其被用于半导体材料得生长等方面。
  • 聚焦分子束外延设备,以期实现全产品线国产替代--访费勉仪器MBE应用专家高汉超
    2024年3月20日至22日,备受瞩目的SEMICON China 2024在上海新国际博览中心隆重举行。作为全球规模最大、规格最高、最具影响力的展会,有1100家企业参展,覆盖芯片设计、制造、封测、设备、材料、光伏、显示等产业链,是半导体行业的开年盛会。展会期间,仪器信息网有幸采访到了费勉仪器科技(南京)有限公司MBE应用专家高汉超。在采访中,高老师详细介绍了公司所带来的分子束外延设备的具体型号,同时,还深入阐述了这些设备的创新点。此外,高老师还分享了公司产品相比国外产品在价格好和服务售后方面所具有的优势。不仅如此,高老师还提及了公司过往的销售成绩,并且阐述了未来的规划,包括拓展产品线和实现更大量产型机台的销售。最后,高老师也就国产替代发表了看法,并对分子束外延设备的市场趋势进行了分析和预测。以下是现场采访视频:仪器信息网:本次是贵公司第几次参加Semicon China,参会感受如何?高老师:我们公司是第三次参加半导体展会,然后从这次参会的看,目前国产的设备厂商越来越多,从原材料到设备部件到整机,然后我们也看出来这几年的国产厂商在持续发力,我们这是非常好的现象,然后我们也希望国产的半导体厂商越来越多的进入半导体的供应链,然后实现国产替代。 仪器信息网:本次参会,贵公司带来了哪些分子束外延设备和产品?有哪些创新?高老师:我们这次带来总共有 MBE600、800、800plus和1000这一些型号,然后目前我们展板上就有1000,这些型号我们能覆盖从2寸到8寸的这种化物半导体的晶圆,然后覆盖材料从二代半导体的镓、砷、铟、磷到三代半导体的氮化镓以及超宽基带的半导体这种氧化镓的材料外延生产的分子外延设备。这些分子测设备我们的主要创新点其实主要包括两个方面,第一个我们采用直接蒙特卡洛这种模拟的方法,然后在通过模拟原子和分子在生长腔内的行为,然后我们能够实现结构的优化,我们可以通过这种优化能够实现分子束外延具有非常好的一个布局,能够实现这种良好的均匀性。然后另一个创新点就是采用这种重载式的机械臂,能够实现非常好的定位精度,定位精度大概在±0.05毫米,能够保证分子束外延这种持续高效稳定的运行。 仪器信息网:相比于其他分子束外延厂商有哪些优势和特点?贵公司如何保持自己的差异化优势?高老师:首先我们对比国外的这些产品,我们公司的产品的各项参数性能与国外类似的产品在指标性能上基本能够保持一致,但是价格我们比国外的产品应该是更有优势,而且我们公司立足在国内具有完善的研发服务,还有售后的这种团队,我们能够第一时间响应客户的要求,然后能够为客户提供这种多样的外延服务,就是多样的这种以客户为中心进行服务,能够满足客户的各种需求。 仪器信息网:您认为当前半导体行业对分子束外延设备的最大需求是什么?高老师:MBE需求 我认为主要体现在两个方面,第一个就是在面向应用的就是生产型的设备,主要是面向应用,主要是用于微电子和光电子。由于份数具有比较好的真空,它生产的材料纯度也高,而且它的可控性好,它特别适合制造就是长周期的一些结构,包括砷化镓、磷化铟基的这种激光器、探测器等等以及一些微电子材料。例如砷化镓的一些HTTP的这种结构,这种材料都要求这种界面的可控性要求就比较高。而且随着现在这种微电子和光电子技术发展,可能对材料可控性要求越来越高,然后我相信未来MBE会进入更多的这种研究生产领域。 仪器信息网:贵公司在过去一年中,在中国市场取得了怎样的成绩?在2024年又有哪些战略或市场规划?高老师:我们在2023年总共销售应该有9个产品,就是9套系统,然后目前在国内的分子束外延市场,我们几乎处于领先的一个位置2024年我们希望拓展我们的产品线,能够覆盖更多的材料,生产值及这种研发,然后我们希望能够实现这种更大的量产型机台的这种销售。 仪器信息网:近年来,国产替代受到广泛关注,请您谈谈在分子束外延设备领域的国产替代看法,以及贵公司在国产替代方面的布局。高老师:由于近年来大家众所周知的原因,有很多设备是不能进口到国内的,然后我们分子束有些客户也遇到相同的问题,而且随着这几年的发展,大家对国产设备的接受度越来越高,而且我们公司的产品迭代的也越来越快,性能相比于前几代的产品越来越好,得到了客户的广泛认可。我们现在基本能够实现零部件和一些运动部件的平替,后续我们希望整个产品线从研发生产一直到生产的所有的机台型号设备产品的一个平替。 仪器信息网:根据您的观察和分析,您认为未来分子束外延设备市场将呈现哪些趋势?高老师:我觉得主要有两个趋势,一方面是基础研究,目前国家对这个基础研究投入越来越高,而且MBE是作为一个非常灵活的基础研究的工具,它适合生长各类的材料和薄膜,这块是一个很明显的增量市场,还有一个趋势,可能大家希望在量产型设备向更大尺寸更高稳定性这块发展,我们公司也在规划未来会做一些量产型的这种大设备,以满足市场的需求。

分子束外延设备相关的方案

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分子束外延设备相关的试剂

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  • 强烈建议创办一个MBE(分子束外延)版

    我是一名研究生,使用分子束外延设备制备薄膜。国内拥有此设备的地方不多,但其发展呈上升趋势。所以,我想创建桓鲂掳妫璏BE(分子束外延)版,不知道怎样才能创办。 创办这个版,目的有以下两点: 1、有关MBE设备、及相关书籍、文章在国内还不是那么多,所以在此创 办一个MBE版,可以使所有使用过MBE或对MBE有兴趣的人拥有一个交 流的平台; 2、在此我们可以互相学习,共同研究,促进MBE在国内的发展。 以下是引用的有关MBE的简单介绍及简要回顾: 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)技术在现代超导薄膜(YBCO、BSCCO等)、半导体物理、器件以及GaAs工业发展中起着十分关键的作用。 回顾分子束外延的发展历史,它始终追求的是应用目标,把原子一个个地排列起来,同时将几种不同组分的材料交替地生长,而每种材料的厚度小于电子的平均自由程(100nm),两种不同材料之间的界面平整度在单个原子水平上,重复周期在100次以上,这需要很高的技术。是什么力量促使人们不断完善这一技术,使它成为当今信息产业发展的一项重要技术呢?这得从诺贝尔物理学奖获得者江崎与美籍华人朱兆祥提出的半导体超晶格理论说起,他们设想,如果将两种晶格匹配得好的半导体材料A和B交替生长,则电子沿生长方向( Z 方向)的连续能带将分裂成几个微带。 从而改变了材料的电子结构,他们预言在这种人造材料中可能出现若干新的现象与效应,从而出现了人们常说的能带工程(或能带裁剪),1970 年—2006 年期间,超晶格、继而低维及小量子系统的物理器件的长足发展均与分子束外延以及有机金属[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]淀积技术的发展息息相关) 在此期间,分子束外延技术走向成熟,有若干技术上的突破。 希望仪器信息网的论坛能给我这个机会,我会把这个版创办好的。谢谢!

  • 【转帖】分子束外延生长的优缺点

    MBE有许多优点:①由于MBE是在超高真空系统中操作,使用纯度极高的元素材料,所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜;②生长速率低,大约为一微米每小时,可以精确地控制外延层厚度,制造超薄层晶格结构及其它器件;③生长温度低,可避免高温生长引起的杂质扩散,能得到突变的界面杂质分布;④可在生长腔内安装仪器,例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量;⑤由于基本能够旋转,保证了外延膜的均匀性。分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展,使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件,为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。MBE存在的不足是:表面形态的卵形缺陷,长须状缺陷及多晶生长,难于控制两种以上V族元素,不利于批量生产等。

  • 【转帖】分子束外延生长过程

    MBE生长是由发生在衬底的一系列物理化学过程实现的,它是从[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]到凝聚相,再通过一些表面过程的结果。这一复杂过程包括的具体过程包括:(1) 来自[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]的分子和原子撞击到表面而被吸附;被吸附的分子、原子在衬底表面发生迁移和分解。 (2)原子进入衬底晶格形成外延生长。 (3)未进入衬底晶格的分子、原子因热脱附而离开表面。与其它外延生长不同,MBE外延生长可以认为是一种表面非平衡态生长过程。

分子束外延设备相关的耗材

  • PBN坩埚热解氮化硼坩埚定制
    热解氮化硼坩埚 热解氮化硼(PBN)是特种陶瓷材料,是本公司在特殊设备上用化学气相沉积的工艺制得的。热解氮化硼的沉积过程,宛如“落雪”:氮化硼的六角型小雪片,一片一片的平行地落在石墨基体材料上,达到一定厚度后,最终冷却脱模而制成。 主要特点: ● 产品颜色在牙白至橙棕,无毒、无孔隙、易加工。● 纯度高达99.99%,表面致密,气密性好。● 耐高温,强度随温度升高,2200℃达到最大值。● 耐酸、碱、盐及有机试剂,高温与绝大多数熔融金属、半导体等材料不湿润、不反应。● 抗热震性好,热导性好,热膨胀系数低。● 电阻高,介电强度高,介电常数小,磁损耗角正切低,并具有良好的透微波和红外线性能。● 在力学、热学、电学等等性能上有着明显的各向异性。 产品应用1.半导体单晶及III-V族化合物合成用的坩埚、基座:原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚。分子束外延用的MBE系列坩埚。 VGF、VB法系列坩埚。2.电子束源用的系列坩埚,金属熔炼蒸发坩埚等3.石英坩埚及舟皿等石墨器具上的涂层,MOCVD绝缘板。
  • 沃特世700005234Waters"ASSY, SEAT PORT, .004 ID ACQUITY 密封圈外延管路"
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  • 实验级THz-TDS
    太赫兹时域光谱系统BATOP GmbH是一家创新型公司,从事的专业领域包括:低温分子束外延技术,介质溅射镀膜,晶圆加工和芯片安装技术。BATOP的一个主要产品系列是用于太赫兹发射和探测的太赫兹光电导天线(PCA)。BATOP不仅提供单带隙天线,还包括整合了微透镜的高能大狭缝交叉天线阵列和整套的太赫兹光谱仪。?TDS10XX台式太赫兹时域光谱仪 产品特性: 光谱范围最高可至3.5THz 带透射测试样品仓,可充氮气 针对小样品可选聚焦太赫兹光束 有额外端口,适用于外部光纤耦合测试 可选x-y-z样品位移台,用于3D扫描透反射测试 T3DS软件支持?FC TDS 1550nm光纤耦合太赫兹时域光谱系统 主要参数: ?FS TDS 1060nm自由空间太赫兹时域光谱系统产品特性: 光谱范围最高可至2.5THz 太赫兹发射和探测模块 780nm自由空间可选 T3DS软件支持主要参数:
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