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二次离子质谱仪的工作原理
[size=5][b] [/b][/size] 采用脉冲一次离子源(LMIG, Cs, C60,Au,O2+,Ar+)等轰击样品,然后收集从样品表面激发出来的二次离子,采用质谱检测器(飞行时间、四极杆、扇形磁过滤、离子阱等),来收集这些二次离子,并且根据他们的质荷比(m/z)将它们分离,据此来判断分析材料的成分。 二次离子质谱仪分为静态- 二次离子质谱仪(S-SIMS) 和动态二次离子质谱仪(D-SIMS) ,其区分的标准就是根据入射的一次离子的剂量一般10^12atoms/cm2,成为静态二次离子质谱仪,一般采用飞行时间检测器,主要用于生物医药的有机物分析,半导体材料的污染物分析,存储材料分析,可以坚定有机的分子碎片。在分析过程中,材料表面的吸附物质及化学状态,对谱峰影响巨大。这也就是二次离子质谱中的“基体效应”。静态-二次离子质谱是一种无破坏的表面分析方法。最常见的静态- 二次离子质谱仪是飞行时间二次离子质谱仪。飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS: Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry)利用一次脉冲离子轰击样品,通过表面激发出的二次离子的飞行时间测量其质量(m/z 100,000),以分析样品的表面组成。 动态-二次离子质谱仪,入射的一次离子的剂量一般10^15atoms/cm2,对表面形成大量的溅射作用,是一种破坏性分析,主要用于地质研究,同位素定年分析,半导体掺杂的深度分析。主要采用的一次离子源为气体等离子源(Ar/O2)或Cs离子源,一般要求样品导电性要好。
飞行时间-二次离子质谱仪,TOF-SIMS, 是一种既能测试有机物,又能测试无机物的一种检测仪器,其质谱的基本原理:使用一次的离子源(Ga,Cs, O2, etc)轰击样品,产生二次离子,激发的二次离子被引入一个无场区(drift tube),自由飞行,飞行时间的长短,与离子的mass-to-charge ratio的二分之一此方成正比;也就是说,质量数越小的离子飞得越快,到达检测器的时间越短,反之,质量数越大的离子飞得越慢,到达检测器的时间越长,这样就可以实现质谱的分离。(未完待续)