环境扫射显微镜

专用扫描透射显微镜HD-2700，配备了与德国CEOS GmbH公司（总经理Max Haider先生）共同开发的球差校正仪，显著提高了扫描透射电子显微镜的性能，更适合高级纳米技术研究。由于球差校正系统校正了限制电子显微镜的性能的球差，使其与标准型号显微镜相比，分辨率提高了1.5倍，同时，探针电流提高了10倍。最近，该显微镜还配备了高分辨率镜头和冷场发射电子枪，进一步提高了图像分辨率和电子束能量分辨率。同时，该型号系列还增加了一款不带球差校正的主机配置，可以以后加配球差校正进行升级。 特点 高分辨率扫描透射电子显微镜成像 HAADF-STEM图像0.136nm，FFT图像0.105nm（高分辨率镜头（*）） HAADF-STEM图像0.144nm（标准镜头） 明场扫描透射电子显微镜图像0.204nm（w/o球差校正仪） 高速，高灵敏度能谱分析：探针电流× 10倍 元素面分布更迅速及时 低浓度元素检测 操作简化 自动图像对中功能 从样品制备到观察分析实现无缝连接 样品杆与日立聚焦离子束系统兼容 配有各种选购件可执行各种评估和分析操作 同时获取和显示SE&BF, SE&DF, BF&DF, DF/EDX面分布（*） 和DF/EELS面分布（*）图像。 低剂量功能（*）（有效降低样品的损伤和污染） 高精度放大校准和测量（*） 实时衍射单元（*）（同时观察暗场-扫描透射电子显微镜图像和衍射图案） 采用三维微型柱旋转样品杆（360度旋转）（*），具有自动倾斜图像获取功能。 ELV-3000即时元素面分布系统（*）（同时获取暗场-扫描透射电子显微镜图像）（*） 选购件技术指标 HD-2700球差校正扫描式透射电子显微镜项目描述图像分辨率w/o球差校正仪保证 0.204nm（当放大倍数为4,000,000时）w球差校正仪保证 0.144 nm（当放大倍数为7,000,000时）（标准镜头）保证 0.136nm（HAADF图像） 保证0.105 nm（通过FFT）（当放大倍数为7,000,000时）（高分辨率镜头（*））放大倍数100倍 至 10,000,000倍加速电压200 kV, 120 kV （*）成像信号明场扫描透射电子显微镜：相衬图像（TE图像） 暗场扫描透射电子显微镜：原子序数衬度图像（Z衬度图像） 二次电子图像（SE图像） 电子衍射（*） 特征X射线分析和面分布（能谱分析）（*） 电子能量损失谱分析和面分布（EV3000）（*）电子光学系统电子源肖特基发射电子源冷场致发射器（*）照明透镜系统2-段聚光镜镜头球差校正仪（*）六极镜头设计扫描线圈2-段式电磁感应线圈原子序数衬度收集角控制投影镜设计电磁图像位移± 1 &mu m试片镜台样品移动X/Y轴 = ± 1 mm, Z轴 = ± 0.4 mm样品倾斜单轴-倾斜样品杆：± 30° （标准镜头）, ± 18° （高分辨率镜头（*））真空系统 3个离子泵，1个TMP极限真空10-8 Pa（电子枪）, 10-5 Pa（样品室）图像显示个人电脑／操作系统PC/AT兼容, Windows® XP监视器19-inch液晶显示器面板图像帧尺寸640 × 480, 1,280 × 960, 2,560 × 1,920 象素扫描速度快扫，慢扫（0.5至320秒／帧）自动数据显示记录序号，加速电压，下标尺，日期，时间 （*） 选购件

2020年5月25日日本电子株式会社全球同步发布新款场发射扫描电子显微镜JSM-IT800系列。 JSM-IT800的场发射扫描电镜通用性强，可广泛应用于纳米材料、金属材料、半导体材料、化学化工、医学及生物学领域，可高效观察包括非导体样品及强磁性样品等。 JSM-IT800SHL分辨率可达0.5nm,成像能力强大。浸没式电子枪可提供500nA大电流，EDS和EBSD分析速度极快。 2024年7月28日日本电子株式会社全球同步发布场发射扫描电子显微镜JSM-IT800系列升级为JSM-IT810系列，升级后的产品实时功能更强（包括实时能谱、实时3D等的），自动化程度更高，操作更加直观简单，上手更加方便。

GeminiSEM 系列产品高对比度、低电压成像的场发射扫描电子显微镜为对任意样品进行高水准的成像和分析而生蔡司GeminiSEM 系列产品具有出色的探测效率，能够轻松地实现亚纳米分辨成像。无论是在高真空还是在可变压力模式下，更高的表面细节信息灵敏度让您在对任意样品进行成像和分析时都具备更佳的灵活性，为您在材料科学研究、生命科学研究、工业实验室或是显微成像平台中获取各种类型样品在微观世界中清晰、真实的图像，提供灵活、可靠的场发射扫描电子显微镜技术和方案。GeminiSEM 500 具有出色的分辨率，在较低的加速电压下仍可呈现给您更强的信号和更丰富的细节信息，其创新设计的NanoVP可变压力模式，甚至让您在使用时拥有在高真空模式下工作的感觉；更强的信号，更丰富的细节GeminiSEM 500 为您呈现任意样品表面更强的信号和更丰富的细节信息，尤其在低的加速电压下，在避免样品损伤的同时快速地获取更高清晰度的图像。经优化和增强的Inlens探测器可高效地采集信号，助您快速地获取清晰的图像，并使样品损伤降至更低；在低电压下拥有更高的信噪比和更高的衬度，二次电子图像分辨率1 kV达0.9nm，500 V达1.0 nm，无需样品台减速即可进行高质量的低电压成像，为您呈现任意样品在纳米尺度上更丰富的细节信息；应用样品台减速技术-（Tandem decel），可在1 kV下获得高达0.8nm二次电子图像分辨率；创新设计的可变压力模式-NanoVP技术，让您拥有身处在高真空模式下工作的感觉。洞察产品背后的科技Gemini电子光学系统Gemini 1类型镜筒 -延续创新和发展如今，扫描电子显微镜（SEM）在低电压下的高分辨成像能力，已成为其在各项应用领域中的标准配置。低电压下的高分辨率成像能力，在以下应用领域中扮演着尤为重要的角色：电子束敏感样品不导电样品获取样品极表面的真实形貌信息Gemini的革新电子光学设计，应用高分辨率电子枪模式、Nano-twin lens物镜(GeminiSEM 500)、以及Tandem decel样品台减速技术（选配），有效提高了在低电压时的信号采集效率和图像衬度。高分辨率电子枪模式：缩小30%的出射电子束能量展宽，有效地降低像差；获得更小的束斑。Nano-twin lens物镜： 优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率； 提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。Tandem decel样品台减速技术，进一步提高对适用样品在低电压甚至极低电压下的分辨率：Tandem decel减速技术将镜筒内减速和样品台偏压减速技术相结合，有效地实现低着陆电压；使用1 kV及以下更低电压时，镜筒内背散射探测器的检测效率获得更好地增强，低电压下的分辨率得到进一步提高。对适用的样品可以加载高达-5 kV的样品台偏压，在低电压下获得更高质量的图片优化静电场和磁场的复合功效，在低电压下具有的更高的分辨率；提高镜筒内Inlens探测器在低电压下的信号采集效率。技术参数：基本规格蔡司 GeminiSEM 500热场发射电子枪，稳定性优于0.2 %/h加速电压0.02 - 30 kV探针电流3 pA - 20 nA（100 nA配置可选）存储分辨率最高达32k × 24k 像素放大倍率50 – 2,000,000标配探测器镜筒内Inlens二次电子探测器样品室内的Everhart Thornley二次电子探测器可选配的项目NanoVP可变压力模式高效VPSE探测器（包含在NanoVP可变压力选件中）局部电荷中和器镜筒内能量选择背散射探测器环形STEM探测器（aSTEM 4）EDS能谱仪EBSD探测器(背散射电子衍射)可订制特殊功能样品台环形背散射电子探测器阴极射线荧光探测器