小容量单层摇瓶机

Stab S2可叠加式控温振荡培养箱是RADOBIO摇床的新升级产品，它继承了Stab S1 一贯的高精密制造工艺，将摇板升级成镀铬铝合金材质，外观呈现拉丝效果，美观大方，同时在外形尺寸不变的情况下内部可容纳培养瓶的舱室空间增加了30%，并集合了材料工艺、控制系统等领域的多项革新，是实验室细菌培养最首新选。产品优势：⊿ 简洁LCD按键式控制器，直观控制易操作◆ 按键式控制面板直观易操作，可以不经过专门的培训，就可以很容易的控制某个参数的开关以及改变其参数值◆ 可以设置多段式程序，设置不同温度、转速、时间等培养参数，程序之间自动无缝切换（可选）◆ 完美的外观，显示区显示温度、转速。通过显示器上加大的数字显示和清晰的符号，您可以在更远的地方观察⊿ 主动控湿功能(选配)可将湿度控制到95%r.h，微量培养液体一周挥发量可以控制在10%以内（可选）◆ RADOBIO专利的内嵌式加湿及湿度控制模块，采用精确控温的不锈钢加热盘加湿，可以保证湿度控制稳定可靠，最大限度地避免传统加湿方法的弊端◆ 如果需要加湿，控制进水电磁阀将自动打开，高温加热盘在杀菌的同时将水快速汽化成分子水汽，利用自身体积膨胀进入培养箱，随培养箱的内部循环系统，迅速扩散到整个培养箱◆ 由于高温下液体水全部汽化为游离的分子水，所以水汽不易在培养箱中冷凝，可以达到最好的加湿效果，最大限度地避免了传统的超声波加湿水汽容易二次冷凝的弊端◆ 高温加湿同时起到杀菌作用，避免传统加湿容易在水盘内生长杂菌从而造成染菌的弊端⊿ 专利的内嵌式遮光帘，轻松推拉方便避光培养（可选）◆ 对于光敏性介质或生物，可以通过拉上遮光帘进行培养。可推拉式遮光帘可防止日光（紫外线辐射）进入培养箱内部，同时保留了观察内部培养情况的便利性◆ 遮光帘处于玻璃窗与外箱面板之间，不仅方便而且美观，完美解决粘贴锡箔纸的尴尬⊿ 双层玻璃门，保证优异的隔热性与安全性◆ 内外双层安全玻璃门，具有良好的隔热性能和安全防护⊿ 门加热功能有效防止玻璃门起雾，随时观察细胞培养情况（可选）◆ 门加热功能有效防止玻璃窗出现冷凝水，使得摇床在内外温度差异较大时也可以很好的观察内部摇瓶⊿ 紫外杀菌系统，灭菌效果更为出色◆ 紫外UV 杀菌单元可有效灭菌，UV杀菌单位在休息时可以打开。门开关可确保打开时自动关闭紫外线灯（可选）⊿ 全不锈钢弧度转角一体内腔，可直接用水清洗，美观且易于清理◆ 培养箱体防水设计，所有对水或雾气敏感的部件包括驱动马达及电子部件全部置于箱体外部，所以培养箱可以在高温高湿环境下培养◆ 培养过程中的任何意外碎瓶不会对培养箱造成损害，箱体底部可以直接泼水清洁，也可以用清洁剂、灭菌剂彻底清理箱体，以保证箱体内的无菌环境，底部放液口可以轻松放出清洁用液体，处理完毕后还可以完全密封⊿ 机器运行近静音，多层叠加高速运转无异常震动◆ 采用专利轴承技术、启动稳定、几乎无噪音运行，即使多层叠加也无异常震动◆ 机器运行稳定，使用寿命更长⊿ 一体成型夹具，稳定耐用，有效预防夹具断裂带来的不安全事件◆ RADOBIO的所有夹具是直接从整块不锈钢板材上切割下来制作成型，稳定耐用，不会发生断裂，可有效防止夹具断裂摇瓶甩出等不安全事件的发生◆ 不锈钢夹具的固定臂经过塑封处理，可防止割伤用户，同时减少与摇瓶间的摩擦，带来更好的静音体验◆ 提供各种容器夹具定制服务⊿ 一体式风机大幅减少背景热量，节约能源◆ 相较于传统风机，一休式风机可将舱室内的温度更为均一稳定，同时有效减少背景热量，在不启用制冷系统的情况下，具备更为宽阔的培养温度范围，这样也节约了能耗⊿ 推拉式拉丝效果镀铬铝合金摇板，轻松放置培养容器◆ 铝合金摇板更为轻盈坚固，拉丝镀铬效果美观大方，且易于清洁◆ 可推拉式设计，在特定高度和空间仍可方便轻松放置培养容器⊿ 摆放方式灵活，可叠加，有效节约实验室空间◆ 可以单层落地使用或台上使用，也可以双层或三层叠加使用，三层叠加使用时顶层托板拉出距地面高度仅为1.3 米，实验人员可以轻松操作◆ 随任务而增长的系统，当培养容量不再足够时，无需增加更多的占地面积，可以轻松叠加至最多3层，而无需进一步安装。叠加的每个振荡培养箱均独立运行，可提供不同的培养条件⊿ 多重安全设计，保证操作者及样品的安全◆ 优化的 PID参数设置，不会造成升降温过程中的温度过冲◆ 全优化的振荡系统及平衡系统 , 可以保证在高速振荡时不会出现其他不需要的振动◆ 意外断电后，摇床将会记忆用户的设定参数，并在来电后根据原设定参数自动启动，同时自动提示操作者曾经发生的意外情况◆ 在工作中如果用户打开舱门，摇床振荡板将自动柔性刹车，直至彻底停止振荡，关上舱门时，摇床振荡板将自动柔性启动，直至达到预设定的振荡转速，不会出现速度骤升带来的不安全事件◆ 当某参数远偏离设定值时，自动开启声、光警报系统◆ 侧面配有数据导出USB端口，可以轻松导出备份数据，数据存储便利安全技术参数：型号Stab S2控制界面按键式LCD显示屏振荡转速范围30~350rpm转速控制精度1rpm振幅 25/26/50mm （可定制其他振幅）温度控制模式PID 控制模式温度控制范围 4℃ ~65℃温度显示分辨率0.1℃温度稳定性±0.1℃温场均匀性±0.5℃加热功率550W制冷功率250W定时功能0-999.9小时托板尺寸 510x410 mm 最大承载量35 kg承载锥形瓶数量40 x 250 ml ；26x 500 ml ；16 x 1000 ml ；8 x 2000 ml 选用粘性片承载量将增加10% 左右外形尺寸(长 x 宽x 高)单层：1000 x 830 x 615 mm( 含底座)双层：1000 x 830 x 1220 mm ( 含底座)三层：1000 x 830 x 1825 mm( 含底座)箱体容积160L光照Fl 管，30 瓦UV 灭菌标配工作环境温度5℃到40℃电源220~240V/50~60Hz重量单层145kg创新点：? 简洁LCD按键式控制器，直观控制易操作? 主动控湿功能(选配)可将湿度控制到95%r.h，微量培养液体一周挥发量可以控制在10%以内（选配）? 专利的内嵌式遮光帘，轻松推拉方便避光培养（选配）? 双层玻璃门，保证优异的隔热性与安全性? 门加热功能有效防止玻璃门起雾，随时观察细胞培养情况（选配）? 拉丝全不锈钢弧度转角一体内腔，美观且易于清理? 机器运行近静音，多层叠加高速运转无异常震动? 一体成型夹具，稳定耐用，有效预防夹具断裂带来的不安全事件? 一体式风机大幅减少背景热量，节约能源? 推拉式拉丝效果镀铬铝合金摇板，轻松放置培养容器? 摆放方式灵活，可叠加，有效节约实验室空间? 多重安全设计，保证操作者及样品的安全润度Stab S2可叠加式小容量全温振荡培养箱|摇床

如何沉积纳米粒子——纳米粒子单层膜沉积实用指南 纳米颗粒的二维致密单层膜沉积是多种技术和科学研究的基础。例如，纳米粒子单层膜可以作为传感器上的功能层，也可以用来生产用于纳米球光刻的胶体掩模。但是，怎样才能高效、可靠地得到具有三维自由度的纳米颗粒溶液，并将这些颗粒限制在横跨大基底的(二维)单层中呢?传统的纳米颗粒沉积技术纳米颗粒沉积技术种类繁多。一些相对简单和快速的方法包括溶剂蒸发、浸渍镀膜和旋涂镀膜。然而，这些技术可能会浪费大量的纳米颗粒，并且无法有效控制纳米颗粒的密度和配位结构。溶剂蒸发溶剂蒸发容易产生所谓的咖啡渍圈环效应，这种效应是由马朗戈尼流动引起的。这将导致不均匀沉积，中心的纳米粒子沉积稀疏，而边缘则形成多层纳米粒子沉积。 浸渍镀膜另一方面，如果只是用纳米粒子覆盖基底，浸渍镀膜将是一种很好的技术。然而，使用这种方法沉积纳米颗粒单分子层是非常具有挑战性的。同时，浸渍镀膜需要大量的纳米颗粒，这在处理昂贵纳米颗粒材料时将成为一个大的限制因素。 旋涂镀膜旋涂镀膜也是一种很有吸引力的方法，因为它易于规模化放大，而且在半导体工业中是一种众所周知的技术。然而，使用这种方法，薄膜的质量和多个工艺参数紧密相关，如：自旋加速度、速度、纳米颗粒的大小、基材的润湿性和所用溶剂。这使得对薄膜属性的精确控制变得非常困难。而且，一般旋涂镀膜需要大量的纳米颗粒溶液。 气液界面的单层镀膜在这里，气液界面沉积纳米颗粒单层提供了一种高度可控的沉积方法，可以将其沉积在几乎任何基底上。纳米颗粒被限制在气液界面，界面面积逐渐减小，使得纳米颗粒更加紧密地聚集在一起，从而可以实现控制沉积密度的目的，因为单位区域面积沉积的纳米颗粒的数量很容易计算，这样对纳米颗粒的需求量就会大大降低。 单层薄膜形成后，可以通过简单的上下提拉基底即可将界面上的薄膜转移到基底上。 在线网络研讨会报名如果您对如何制备纳米颗粒单分子膜感兴趣，想获取更多这方面的知识，请报名参加由伦敦大学学院的Alaric Taylor博士举办的题为“纳米颗粒单分子层薄膜沉积实用指南”的网络研讨会。报告人Alaric Taylor简介：Alaric Taylor博士是伦敦大学学院工程和物理科学研究委员会（EPSRC）研究员，他在纳米光子材料的制造，尤其是通过在气-液界面开发胶体单层自组装方面有很高的造诣。 报告内容：? 详细讲解纳米颗粒沉积的具体操作? 指出需要注意的事情? 讲述纳米颗粒沉积的技巧 报告时间：2018年9月13日下午3:00（北京时间）报名联系：如需参会，请填好下列表格中的信息发送至，邮箱：lauren.li@biolinscientific.com；姓名单位邮箱电话特别提醒：因为可能会涉及电脑、系统、耳机等调试问题，建议大家提前5-10分钟进入链接。

【科学背景】随着二维半导体研究的深入，过渡金属硫化物（TMDs）因其独特的光电特性和材料纯净度而引起了广泛关注。TMDs作为一种重要的范德华半导体材料，具有在低温和低载流子密度下表现出丰富的量子多体基态的潜力。然而，实现这些潜力的关键在于制作在低温和低载流子密度下仍能保持透明的低电阻欧姆接触，这一直是一个重大挑战。制作单层TMDs电接触的主要问题在于肖特基势垒的形成和费米能级钉扎现象。工作函数调谐金属可以帮助降低肖特基势垒高度，而在接触区域掺杂半导体可以用于减少势垒宽度。然而，通常用于实现对厚半导体透明电接触的技术，如离子注入和扩散金属接触，不能应用于单层TMDs，因为它们的原子薄结构。尽管转移金属、范德华材料和半金属等接触材料已经被应用于TMDs，但这些技术在低温和低载流子密度下的高性能接触仍然难以实现。为了解决这些问题，美国哥伦比亚大学（Columbia University）Cory R. Dean教授的研究团队采用了一种新型接触方案，利用范德华电子受体α-RuCl3，实现对单层WSe2的高透明p型接触。作者将α-RuCl3与WSe2的一侧接口，以在接触区域引入大量空穴掺杂，而在另一侧使用几层石墨形成金属接触。通过机械组装将电荷转移和接触层引入二维半导体，使作者能够在一个全范德华异质结构中实现完全接触和封装的二维半导体。本研究解决了在低温和低载流子密度下实现高性能电接触的难题。通过电荷转移接触方案，作者测得了创纪录的空穴迁移率和极低的通道载流子密度，使得作者能够研究在低载流子密度和强磁场下的量子输运特性。在这些条件下，作者观察到了维格纳晶体预期形成的密度下的金属-绝缘体相变（MIT），以及单层WSe2中分数量子霍尔效应（FQHE）的电输运特征。此外，范德华组装的设计灵活性使得电荷转移结构可以应用于依赖二维半导体电输运的各种器件，包括那些设计在室温下运行的器件。通过改进器件组装和接触界面的掺杂剖面设计，可以进一步提高接触性能。新型范德华电荷转移材料的识别可以为工程化的稳健n型和p型接触提供平台，其电阻有望接近或优于少层TMDs中报告的最低值。本研究为未来的器件在理解和利用TMD异质结构中的各种相关基态方面提供了新的可能性。【科学亮点】1. 实验首次采用电荷转移层实现了单层WSe2的高度透明p型接触，成功测得了创纪录的80,000&thinsp cm² &thinsp V⁻ ¹ &thinsp s⁻ ¹ 的空穴迁移率，并在低至1.6&thinsp ×&thinsp 10¹ ¹ &thinsp cm⁻ ² 的通道载流子密度下进行了测量。2. 实验通过将α-RuCl3与WSe2接口，引入大量空穴掺杂，同时在另一侧使用几层石墨形成金属接触，实现了完全接触和封装的二维半导体，确保了高性能接触在低密度下的表现：&bull 在低温和高磁场条件下，首次观察到密度低至1.6&thinsp ×&thinsp 10¹ ¹ &thinsp cm⁻ ² 时的金属-绝缘体相变（MIT），该密度下预期维格纳晶体形成。&bull 在强磁场下，首次在单层WSe2中观察到分数量子霍尔效应（FQHE）的电输运特征。&bull 通过范德华组装的设计灵活性，电荷转移结构能够应用于各种二维半导体器件，包括在室温下运行的器件。3. 该实验的成功展示了高纯度单层WSe2在低载流子密度和高磁场下的优异量子输运特性，指出了未来可以通过改进器件组装和掺杂剖面设计进一步提升接触性能的方向：&bull 新型范德华电荷转移材料的识别，有望为稳健的n型和p型接触提供平台，电阻可能接近或优于目前报告的最低值。&bull 新接触方案的实现，为理解和操控TMD异质结构中出现的各种相关基态的输运特性提供了新的机会。【科学图文】图1：电荷转移接触结构。图2：低密度硒化钨WSe2的输运性质。图3： 低密度金属－绝缘体转变metal–insulator transition，MIT。图4：观察分数量子霍尔效应。【科学启迪】本研究开创性地展示了通过电荷转移接触实现高性能电输运特性的可能性。这一创新方法为二维半导体器件的设计和应用提供了新的思路。通过引入α-RuCl3作为电子受体，作者成功在单层WSe2中实现了高透明p型接触，显著提高了空穴迁移率，并能在极低的载流子密度下进行测量。这一技术突破使得在低温和高磁场下研究二维半导体的量子现象成为可能，尤其是在观察低温金属-绝缘体相变和分数量子霍尔效应方面，提供了新的实验平台。范德华组装的设计灵活性也表明，这种电荷转移结构可以广泛应用于各种依赖二维半导体电输运的器件中，包括那些在室温下运行的设备。未来，通过优化器件组装和接触界面的掺杂剖面设计，电接触性能有望进一步提升。此外，识别和引入新型范德华电荷转移材料，将有助于开发出更加稳健的n型和p型接触，可能接近或超越目前少层TMDs中最低电阻值。这些技术进展不仅推动了基础物理研究的发展，还为下一代高性能电子器件的设计和制造奠定了基础，有望在未来的量子计算和高效电子器件领域产生深远影响。原文详情：Pack, J., Guo, Y., Liu, Z. et al. Charge-transfer contacts for the measurement of correlated states in high-mobility WSe2. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01702-5