纳米沉积打印系统

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纳米沉积打印系统相关的厂商

  • 派珂纳米科技(苏州)有限公司是专业从事派瑞林涂覆设备、工艺开发的高新技术企业,公司前身为PACO KOREA,拥有20年高质量派瑞林涂覆经验和高度可靠的涂覆系统开发能力, 为广大客户提供派瑞林涂覆的加工、派瑞林材料、派瑞林气相沉积设备的开发及销售。 派瑞林镀膜的方式为气相沉积CVD,其防护性能明显优于喷漆、环氧、电镀等传统三防工艺,广泛应用于电路板PCBA、线圈马达、硅橡胶制品、磁性材料、LED/OLED、传感器、电池、医疗产品等,上述产品经parylene镀膜后可起到防水、耐腐蚀、耐高压、耐盐雾的作用,可大大提高产品性能,延长使用寿命。 派珂纳米在行业内的优势:拥有20多年派瑞林镀膜经验,涉及到各行各业的产品;严格按照作业标准进行操作,严格把控质量;设备独特的设计结构,使得镀膜速度快、生产效率高,从而降低涂敷成本;设备容量大,可满足批量化生产客户的要求;镀膜均匀性好,同批次均匀性<5%;跟原料厂家合作,让客户在原料的供应上后顾无忧;拥有研发团队,可自主研发、设计、生产派瑞林沉积设备,提供量身定制的解决方案;拥有万级洁净厂房,满足对洁净度要求较高的产品的加工环境需求。
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  • 400-860-5168转2856
    溢鑫科创成立于2006年,是由数位显微镜领域和微纳加工领域的专业人员创办,自创建以来我们先后与国内外一流研究单位在微纳米科研领域开展紧密合作,十年间伴随着中国科研日新月异溢鑫科创已发展成为国内知名的微纳米科技领域专业供应商。我们本着以“勇于创新不懈追求”为经营信念,始终坚持提供以用户为导向的最合适最完善的科研解决方案,不断优化的售前、售后服务也保证了客户满意度和方案的可行性和先进性。目前公司有三大部门:显微镜部门:英国Cressington电镜专用镀膜设备, 美国XEI高真空等离子清洗设备, 美国NPGS纳米图形发生器电子束曝光系统光刻和等离子部门:美国PlasmaEtch高性能等离子表面处理仪,激光直写光刻系统印刷电子部门:美国Sonoplot Microplotter微纳米材料沉积喷墨打印系统, 日本SIJ超级喷墨打印系统, 德国MicroDrop多功能材料沉积喷墨打印系统,美国NovaCentrix光子烧结系统,英国PolyPico高精量生物材料打印系统,瑞士TSE Troller超高精度大面积狭缝涂布仪,瑞士NSM多功能凹版印刷系统eLab实验室拥有多台高端实验设备,测试内容包括薄膜表征及纳米材料喷墨打印等。
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  • 400-860-5168转4830
    魔技纳米科技是三维微纳制造领域集研发、生产、销售、服务于一体的高新技术企业。核心研发团队拥有十年以上设备研发经验,深入生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件等多个产业应用领域,打造具有自主知识产权的商用纳米级三维激光光刻直写制造系统。拥有应用于多行业场景的成熟加工工艺。可定制研发适配各产业领域生产需求的个性化设备和产品,突破生物制药、传感、光电芯片、超材料等领域从科研到工业生产的屏障,将纳米级制造精度和大范围生产相结合,提供针对精密智造领域的整套专业解决方案。

纳米沉积打印系统相关的仪器

  • 美国SonoPlot是柔性印刷电子行业内畅销的高品质微纳米材料沉积喷墨打印系统(又名高分辨毛细作用直写打印系统),广泛用于制备可控电极薄膜、聚合物光电器件、碳纳米管石墨烯器件、微电子器件 、不同材料的多重构筑以及定位定量微纳修补等应用领域。创新的超声谐振释放机制可以完美解决传统压电式喷墨打印技术线宽限制问题,打印不连续,打印材料受限,不能打印一维二维材料,薄膜不均匀,无法定位以及更换喷头昂贵的诸多技术瓶颈。
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  • 美国SonoPlot是柔性印刷电子行业内畅销的高品质微纳米材料沉积喷墨打印系统(又名高分辨毛细作用直写打印系统),广泛用于制备可控电极薄膜、聚合物光电器件、碳纳米管石墨烯器件、微电子器件 、不同材料的多重构筑以及定位定量微纳修补等应用领域。创新的超声谐振释放机制可以完美解决传统压电式喷墨打印技术线宽限制问题,打印不连续,打印材料受限,不能打印一维二维材料,薄膜不均匀,无法定位以及更换喷头昂贵的诸多技术瓶颈。
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  • 德国Microdrop Technologies专注于为研发和工业应用领域的微液滴喷墨技术将近30年,是欧洲提供微纳米油墨高精确微量分配供应商,已成功应用到生命科学、材料科学和微纳加工制造等领域,并获得广泛的商业和学术认可,用户包括瑞士洛桑联邦理工学院、澳大利亚联邦科学与工业研究组织、德国耶拿大学和马克斯-普朗克研究所等,企业用户有罗氏诊断、巴斯夫、拜耳、杜邦和康宁等, 国内用户包括清华大学、上海大学、常州大学、中科院长春应化所、香港理工大学、香港城市大学和台湾工业技术研究院等。Microdrop以高分配准确度、多系列喷头、全面自动化、模块化组装和应用导向适应性为特点,可用于pl至μl级的微纳米材料高精确微量打印,是微纳米材料沉积及其它诸多领域的理想工具。产品包括括基于喷墨打印的Autodrop Compact实验级别,Autodrop Gantry II专业级及产业化级别和Autodrop Gantry流水线级别,AD系列,MD系列和基于阀技术的Nanojet系列。应用领域包括柔性印刷电子、有机OLED,QLED显示、传感器技术、皮升级量润滑、聚合物电子、微机械、光学和微量点样及生物医学系统.Materials Science Applications材料科学应用:Bio Medicine Science Applications生命医学领域应用:德国Microdrop产品系列:高精确定位沉积及倾斜自动补偿校准:高通量材料筛选制备工艺:样品制备是高通量材料筛选关键的一步,而采用喷墨打印技术进行高通量样品制备则更具挑战,德国Microdrop公司精密压电喷墨打印技术能稳定地分配微量液滴且适用于多种不同材料,同时创新的将压电喷印技术整合于移液管式喷头之中,能对基于96和384微孔板中的溶液进行全自动地吸取,打印,回收等操作。其配置高精度的定位系统及采用行进中点样模式,能对多种溶液进行精确,快速打印,从而制备高通量样品.Microdrop全系统可选喷头种类:Microdrop 喷头-除Nanojet外-使用与喷墨打印机同样的压电驱动技术用于非接触式分配,在喷嘴形成微细液滴,高速(约2m/s)从喷头分离。只有高惰性的材料如玻璃,PTFE(聚四氟乙烯)和PEEK(聚醚醚酮)与液体直接接触。不仅可用于分配室温下粘度从20mPas至10000mPas的蜡状材料也可通过加热将粘度降低至20mPas或更低,再进行分配,喷头的部分型号具有加热功能可完成此操作.Microdrop 喷头无机械移动部件,因此无损耗无需维护。Microdrop喷头MD-K-…能通过microdrop驱动电子设备 (MD-E-…) 或与Autodrop系统(AD-E-…)组合进行驱动。
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纳米沉积打印系统相关的资讯

  • 【网络讲堂参会邀请】如何沉积纳米粒子 ——纳米粒子单层膜沉积实用指南
    如何沉积纳米粒子——纳米粒子单层膜沉积实用指南 纳米颗粒的二维致密单层膜沉积是多种技术和科学研究的基础。例如,纳米粒子单层膜可以作为传感器上的功能层,也可以用来生产用于纳米球光刻的胶体掩模。但是,怎样才能高效、可靠地得到具有三维自由度的纳米颗粒溶液,并将这些颗粒限制在横跨大基底的(二维)单层中呢?传统的纳米颗粒沉积技术纳米颗粒沉积技术种类繁多。一些相对简单和快速的方法包括溶剂蒸发、浸渍镀膜和旋涂镀膜。然而,这些技术可能会浪费大量的纳米颗粒,并且无法有效控制纳米颗粒的密度和配位结构。溶剂蒸发溶剂蒸发容易产生所谓的咖啡渍圈环效应,这种效应是由马朗戈尼流动引起的。这将导致不均匀沉积,中心的纳米粒子沉积稀疏,而边缘则形成多层纳米粒子沉积。 浸渍镀膜另一方面,如果只是用纳米粒子覆盖基底,浸渍镀膜将是一种很好的技术。然而,使用这种方法沉积纳米颗粒单分子层是非常具有挑战性的。同时,浸渍镀膜需要大量的纳米颗粒,这在处理昂贵纳米颗粒材料时将成为一个大的限制因素。 旋涂镀膜旋涂镀膜也是一种很有吸引力的方法,因为它易于规模化放大,而且在半导体工业中是一种众所周知的技术。然而,使用这种方法,薄膜的质量和多个工艺参数紧密相关,如:自旋加速度、速度、纳米颗粒的大小、基材的润湿性和所用溶剂。这使得对薄膜属性的精确控制变得非常困难。而且,一般旋涂镀膜需要大量的纳米颗粒溶液。 气液界面的单层镀膜在这里,气液界面沉积纳米颗粒单层提供了一种高度可控的沉积方法,可以将其沉积在几乎任何基底上。纳米颗粒被限制在气液界面,界面面积逐渐减小,使得纳米颗粒更加紧密地聚集在一起,从而可以实现控制沉积密度的目的,因为单位区域面积沉积的纳米颗粒的数量很容易计算,这样对纳米颗粒的需求量就会大大降低。 单层薄膜形成后,可以通过简单的上下提拉基底即可将界面上的薄膜转移到基底上。 在线网络研讨会报名如果您对如何制备纳米颗粒单分子膜感兴趣,想获取更多这方面的知识,请报名参加由伦敦大学学院的Alaric Taylor博士举办的题为“纳米颗粒单分子层薄膜沉积实用指南”的网络研讨会。报告人Alaric Taylor简介:Alaric Taylor博士是伦敦大学学院工程和物理科学研究委员会(EPSRC)研究员,他在纳米光子材料的制造,尤其是通过在气-液界面开发胶体单层自组装方面有很高的造诣。 报告内容:? 详细讲解纳米颗粒沉积的具体操作? 指出需要注意的事情? 讲述纳米颗粒沉积的技巧 报告时间:2018年9月13日下午3:00(北京时间)报名联系:如需参会,请填好下列表格中的信息发送至,邮箱:lauren.li@biolinscientific.com;姓名单位邮箱电话特别提醒:因为可能会涉及电脑、系统、耳机等调试问题,建议大家提前5-10分钟进入链接。
  • 纳米薄膜材料制备技术新进展!——牛津大学也在用的薄膜沉积系统,有什么独特之处?
    一、纳米颗粒膜制备日前,由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成,可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜,很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入,不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向,需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下,纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸,颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下,Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布(厂家测试数据)不同颗粒密度样品(厂家测试数据)纳米颗粒制备技术特点:▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调;▪ 多可达3重金属,可共沉积,可制备纯/合金颗粒;▪ 材料范围广泛,包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性(类似于反应溅射)▪ 的纳米颗粒层厚度控制,从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向:▪ 生命科学和纳米医学: 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向:电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究:光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化:燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器:生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而,人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物,想要消除铅对环境的影响,而迄今为止,这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的,如果将它们结合起来,就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期,牛津大学的光电与光伏器件研究组的Henry Snaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙,可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合,使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比,无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题,由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长,因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统,通过真空蒸发三种不同的前驱体,研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性,使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后,XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后,表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司,成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术,拥有雄厚的技术实力,推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统,可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点:▪ 蒸发设备:热蒸发(金属)、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射:直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性:可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备:二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制:触屏编程式全自动控制
  • ACS Nano:原子层沉积技术助力复杂纳米结构的合成和精准调控取得新进展
    MoS2(二硫化钼),由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV),高表面体积比和的场效应晶体管(FET,field effect transistor)性能,已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物(TMDC, transition-metal dichalcogenide)。使用纳米晶(Nano-Crystal,NC)修饰MoS2,即可以保持每个组成部分的立特性,同时又提供了复合材料产生的协同特性,大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶(NC)在 MoS2基底上的形貌,包括浓度,尺寸大小和表面体积比,对电子器件的整体性能影响是至关重要的。原子层沉积技术(ALD,Atomic layer deposition)是基于自限制的表面化学反应,对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰,其中NC大小可以通过循环次数来控制。美国斯坦福大学化学工程学院的Stacey F. Bent教授,通过使用台式三维原子层沉积系统-ALD发现了一种合成ZnO修饰MoS2基杂化纳米结构(纳米片或纳米线)的新方法。ZnO纳米晶的特性,包括浓度、大小和表面体积比,可以通过控制ZnO循环次数以及ALD磺化处理得到的MoS2衬底的性能来进行系统的合成和调控。通过材料化学成分(XPS以及 Raman),显微镜观察(TEM, SEM)和同步加速器X射线技术(GIWAXS) 分析ZnO与ALD沉积次数的相互关系,并结合量子化学计算的结果,作者阐明了ZnO在MoS2衬底上的生长机理及其与MoS2衬底性能的关系。MoS2纳米片的缺陷密度和晶粒尺寸可以由MoO3的硫化温度进行控制,ZnO纳米晶会选择性地在MoS2表面的缺陷位置处成核,且尺寸随着ALD循环次数的增加而增大。ALD循环次数越高,ZnO纳米晶的聚结作用越强,使得ZnO在MoS2衬底表面的覆盖和自身尺寸大幅增长。此外,复合结构的几何形貌可以通过改变MoS2衬底的取向进行调控,即采用MoS2的垂直纳米线(NWs,nanowires)作为ALD ZnO NCs的衬底,可以大幅改善复合结构的表面体积比。该类材料有望用于一些新拓展的领域,尤其是依赖过渡金属卤化物和NCs相互耦合结构的,如基于p−n异质结的传感器或光电器件。该工作发表在2020年的国际知名期刊ACS Nano (2020, 14, 1757−1769)上。图1. (a)ZnO@MoS2复合纳米结构示意图;(b)800°C-MoS2表面的HR-STEM图像;(c)两步合成二硫化钼的工艺,即在三个不同的退火温度下(600,800,和1000°C)下使用H2S硫化ALD 合成的MoO3;(d)600 °C-, 800 °C-, 和1000 °C-MoS2的Raman光谱图,(e)Zn 2p XPS谱图(循环次数为50次),(f)相对原子比 Zn/(Zn + Mo),(g)TEM图像,(h)表面覆盖度,(i)MoS2表面ZnO颗粒的数密度及(g)GIWAXS(grazing incidence wide-angle X-ray scattering,掠入射小角X射线散射) 图样(不同沉积次数下);(k)800 °C-MoS2 纳米线的SEM,TEM和HR-TEM图像;(l)DEZ(diethylzinc,二乙基锌)反应的量子化学计算结果,在MoS2的边缘位和基面上进行DFT分析,黄色和绿色原子分别表示S和Mo。 上述工作中作者团队采用的原子层沉积设备来自于美国ARRADIANCE公司的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统-ALD(如图2所示),其在小巧的机身(78 * 56 * 28 cm)中集成了原子层沉积所需的所有功能,可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁,结合前驱体瓶加热,管路加热,横向喷头等设计,使温度均匀性高达99.9%,气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%,而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等实现均匀薄膜覆盖,对高达1500:1长径比的微纳深孔内部也可实现均匀沉积。GEMStar系列ALD系统广泛应用于高深宽比结构沉积,半导体微纳结构制备,微纳粉末包覆等,服务于锂离子电池,超电容器,超电容器,LED等研究领域。图2. 美国ARRADIANCE公司生产的GEM-tar系列台式三维原子层沉积系统 参考文献:[1]. Il-Kwon, et al., Synthesis of a Hybrid Nanostructure of ZnO-Decorated MoS2 by Atomic Layer Deposition., ACS nano., 2020,14(2), 1757-1769.

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  • 求教一下电化学沉积纳米颗粒

    有那位大侠作这方面的:用电化学工作站CHI660沉积铂纳米颗粒的,在玻碳电极上。指导一下啊,或者相关的资料介绍一下》QQ:469387067。laomao007@sina.com

  • 在电极表面电沉积金属纳米颗粒

    要在金电极或者是玻碳电极表面电沉积纳米金属颗粒,文献上给出的方法是: 5s potential step from 1.0V to 0.0V请问这个操作具体怎么实现?我用的是CHI660 A

纳米沉积打印系统相关的耗材

  • 原子层沉积(ALD)
    原子层沉积(ALD)是一项真正意义上的纳米技术,使纳米超薄薄膜以一种精确控制的方式沉积。原子层沉积ALD有两个特征 自限性原子分层技术增长和高保形涂层。这些特征在半导体工程、微机电系统和其他纳米技术的应用程序使用方面展现许多优势。原子层沉积的优势原子层沉积的过程正是每个周期中单个原子层沉积的过程,完全控制的沉积是一个获得纳米尺度的过程:保形涂层即使在高深宽比和复杂的结构中也可以实现可实现针孔和无颗粒沉积一个非常广泛的材料与原子层沉积是可能的,例如:氧化物:Al2O3, HfO2, SiO2, TiO2, SrTiO3, Ta2O5, Gd2O3, ZrO2, Ga2O3, V2O5, Co3O4, ZnO, ZnO:Al, ZnO:B, In2O3:H, WO3, MoO3, Nb2O5, NiO, MgO, RuO2氟化物:MgF2, AlF3有机杂化材料:Alucone氮化物:TiN, TaN, Si3N4, AlN, GaN, WN, HfN, NbN, GdN, VN, ZrN金属:Pt, Ru, Pd, Ni, W硫化物:ZnSALD工具比较Feature功能OpALFlexAL基板**200毫米晶圆**200毫米晶圆液体和固体的前驅物**4路+水、臭氧和气体**8路+水,臭氧和气体**前驅物温度200oC200oC拥有快速传递系统Mfc控制下的气体管道:1)热气体的前体(例如,NH3, O2)2)等离子气体(例如,O2, N2,H2)2个内部结构。多达8个外部安装气路多达10个外部安装气路等离子体选择/現地升级选项載片开腔闭锁或片匣可集群其他流程模块不可可以- 第三方公司MESC模块作为特殊选择载盘温度范围25oC – 400oC25oC – 400oC (部分550oC)椭偏仪接口可以可以快速脉冲ALD阀门接头套管10 ms可以可以原子层沉积系统包括FlexAL和OpAL 兩款。
  • 纳米操纵系统
    在扫描电镜、聚焦离子束和双束 系统上进行纳米操纵和测量的最 佳方案. 主要应用 纳米结构的电学测量和表征 纳米结构的力学测量和表征 微米纳米尺度组装 透射电镜、拉曼和其它分析仪器 的样品制备 表面科学实验和研究 纳米连接技术研发 原位纳米尺度样品定位
  • 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH
    纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH屹持光电提供各种纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒,为工业和科研提供低成本的纳米光子学研究。基板可用于光学、生物学、化学、物理学(例如中子散射)、聚合物研究、纳米压印、微流体等各种应用。如果需要,可以用金属或介电涂层涂覆基底。大多数表面特征具有略微梯形的横截面轮廓,具有直平行台面和沟槽。也可以使用格状结构。提供多种特征尺寸和沟槽深度。可以在发货之前拍摄基板的SEM图像以验证确切的轮廓。表中显示的尺寸代表目标值。周期的精度优于0.5%,而沟槽深度和线和空间的宽度可能与目标值相差15%。SEM用于说明目的。可定制更精确尺寸信息。纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH规格描述值基材宽度和高度公差标准公差±0.2 mm通光孔径(CA)距基板边缘0.5 mm(图案可延伸至基板边缘)基材厚度0.675±0.050mmCA表面质量P / N “-P”:60/40,最高20/10CA表面质量P / N “-S”:80/100CA外表面质量无要求材料单晶硅,反应离子蚀刻1、线性纳米棒(线+间隔)P/N周期(nm)凹槽深度(nm)工作周期1线宽度2(nm尺寸3(mm)SNS-C72-1212-50-P1395050%69.512.5×12.5×0.7SNS-C72-2525-50-P1395050%69.525×25×0.75SNS-C36-1212-110-P27811050%13912.5×12.5×0.7SNS-C24-1212-110-P416.611050%20812.5×12.5×0.7SNS-C20-0808-150-D45-P50015044%2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D45-P50035044%2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-150-D60-P50015060%3008×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D60-P50035060%3008×8.3×0.7SNS-C18-2009-110-D50-P555.511050%27820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D50-P555.514050%27820×9×0.7SNS-C18-2009-110-D29-P555.511029%15820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D29-P555.514029%15820×9×0.7SNS-C16.7-0808-150-D45-P60015043%2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D45-P60035043%2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-150-D55-P60015055%3308×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D55-P60035055%3308×8.3×0.7SNS-C16.5-2912-190-P60619050%30329×12×0.7SNS-C16.5-2912-190-S460619050%30329×12×0.7SNS-C16.5-2924-190-P60619050%30329×24.2×0.75SNS-C14.8-2410-170-P67517032%21824×10×0.7SNS-C14.8-2430-170-P67517032%21824×30.4×0.75SNS-C14.3-0808-150-D45-P70015047%3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-350-D45-P70035047%3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055%3758×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055%3758×8.3×0.7SNS-C12-1212-200-P833.320050%41612.5×12.5×0.7SNS-C12-2525-200-P833.320050%41625×25×0.75SNS-C11.7-1212-200-P85520050%42812.5×12.5×0.7SNS-C11.7-2525-200-P85520050%42825×25×0.75纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH1 占空比表示线(台面)宽度与周期的比率。2 表示台面的宽度值。3 第二维对应于凹槽长度。4 以“-S”结尾的是“科研”等级。它至少有80%的可用面积。可能存在高达80/100表面质量值。5 可提供更大的自定义尺寸2、2D纳米图案(矩形和六边形网格)P/N周期(nm)格子类型凹槽深度特征宽度(nm)尺寸(mm)S2D-24B3-0808-150-P700矩形1502608×8.3×0.7S2D-24B3-0808-350-P700矩形3502608×8.3×0.7S2D-18B3-0808-150-P700矩形1503508×8.3×0.7S2D-18B3-0808-350-P700矩形3503508×8.3×0.7S2D-24C2-0808-150-P600六角1501658×8.3×0.7S2D-24C2-0808-350-P600六角3501658×8.3×0.7S2D-18C2-0808-150-P600六角1502408×8.3×0.7S2D-18C2-0808-350-P600六角3502408×8.3×0.7S2D-24C3-0808-150-P700六角1502208×8.3×0.7S2D-24C3-0808-350-P700六角3502208×8.3×0.7S2D-18C3-0808-150-P700六角1502908×8.3×0.7S2D-18C3-0808-350-P700六角3502908×8.3×0.7S2D-24D2-0808-150-P600六角孔1501808×8.3×0.7S2D-24D2-0808-350-P600六角孔3501808×8.3×0.7S2D-18D3-0808-150-P700六角孔1502008×8.3×0.7S2D-18D3-0808-350-P700六角孔3502008×8.3×0.7S2D-24D3-0808-150-P700六角孔1502908×8.3×0.7S2D-24D3-0808-350-P700六角孔3502908×8.3×0.7rect posthex posthex hole相关产品:脉冲压缩透射光栅高功率光束组合光谱衍射光栅光通信透射衍射光栅纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒
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