模拟信号位敏探测器

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模拟信号位敏探测器相关的厂商

  • 深圳市汇成探测科技有限公司
    深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值，服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务，公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨，以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信：有了您的支持和我们不断的努力，我们与社会各界同仁携手并进，开拓创新，共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司
    东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新，已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一，嘉乐仕凭借优质的产品，卓越的技术和完善的服务，产品遍及祖国各地，并远销美洲，欧洲，非洲，中东，东南亚等国际市场。 　　东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格，质量是我生命“ 为宗旨，视用户为“上帝”，一贯秉承“质量第一、顾客满意，持续改进，争创一流”的方针，从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程，已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系，且采取有效的市场保护措施，确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。 　　展望未来，嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业，诚信，融合，创新“的企业精神，研制出更好的产品，提供更好的服务，树立更好的形象，愿与各界新老朋友进行更广泛的合作，共创辉煌! 　　嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察，洽商合作，愿与您携手共创更辉煌的明天！ 联系人：卢生15907693763（微信同号）QQ:2777469253 欢迎来电咨询！官网：www.jls668.net
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  • 奥影检测科技（上海）有限公司 银牌1年
    400-860-5168转6184
    奥影检测科技（上海）有限公司，可选多种射线源与探测器的组合,适合扫描大小小型有色金属芯片、复合材料电子器件、化石生物样本岩心、渗透模拟土壤岩石样品等。奥影检测提供工业CT系统OEM/ODM生产，研发生产了高能加速器工业CT、双源双探测器工业CT、微焦点CT、计量型工业CT、纳米CT、平板快速CT、原位加载CT等等。
    主营产品： 工业CT   X射线仪器部件/操作系统  
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模拟信号位敏探测器相关的仪器

  • 制冷型InGaAs线性阵列探测器 400-628-5299
    主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图
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    厂商： 北京卓立汉光仪器有限公司
    品牌： 未知
    型号： IRA- 256/ IRA- 512
    价格： 面议
  • DUMA-SpotOn Analog模拟信号位敏探测器 400-860-5168转3896
    DUMA的SpotOn Analog模拟信号位敏探测器-通用性: 既可测光束位置，又可测功率-精确度：亚微米分辨率的大面积探测，线性度优于0.5%-便于操作：可直接连接显示器或者数字电压表（1V=1000μm）-紧凑性：小巧的传感探头和电子集成盒主要参数：参数数值电源±18V探测尺寸4mmx4mm （型号SPOTANA4）9mmx9mm (型号SPOTANA9)X25 光学, X2 数字运行温度0℃-50℃波长350-1100nm分辨率连续光束1mV脉冲光束5mV转换系数1mV=1μm响应时间20μs（型号SPOTANA4）60μs（型号SPOTANA9）输入功率范围高幅值：1μW-250μW,低幅值：10μW-2500μW输出电压范围（功率）0-10V
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    厂商： 顶尖科仪（中国）股份有限公司
    品牌： Duma Optronics
    型号： SpotOn Analog
    价格： 面议
  • 放大式光电探测器& 模拟数字转换器 400-860-5168转3912
    放大式光电探测器&模拟数字转换器SPIDER是一种放大式硅基铟镓砷光电探测器，它具有可编程式增益控制功能，以及嵌入式24位数据采集系统。其包含的双色探测器不仅探测波长范围较大（320nm到1700nm），且可以实现光斑准直功能。其中，硅和铟镓砷光子二极管分别同时由两个互相独立的低噪放大器放大，具备8个可编程增益控制器和56kHz的带宽。特点：放大式探测器&模数转换器一体化设计使用单像素元件实现较宽的光谱覆盖高灵敏度（pW范围）高动态范围（109：1）提供即插即用软件和DLLs可选光纤耦合8种可编程增益选择双通道，24位ADC，高达120kSPS/通道两个BNC接口用于模拟信号输出三个GPIOs（用于与外部设备轻松同步）USB通信连接参数：光学参数感光面积光谱响应范围(µ m)响应峰值位置(µ m)峰值响应系数R (A/W)暗电流ID峰值探测率(cm*Hz1/2/W)Si(2.4x2.4mm)0.32到1.080.940.45130pA1.4 x 1013InGaAs(Ø 1mm)1.01到1.71.550.551nA3.5 x 1012跨阻放大器参数#可编程增益控制器选择8增益选择#1#2#3#4#5#6#7#8增益(dBΩ)64738393103113123133带宽(-3dB)(kHz)5655545352493929输出噪音*(nV/√Hz)2022263661121265680*测试于20kHz模拟数字信号转换器参数#预设采样率11(120,100,80,64,32,16,10,5,2.5,1,0.5 kSPS)采样率(kSPS)BW(kHz)SNR(dB)均方根噪音等级*(V)位宽有效位宽120(最大值)521131.4 E-52419.20.5(最小值)0.217136.81.8 E-62422.2*增益#=1，有关所有采样率的详细信息，请与我们联系。其他参数最小值典型值最大值功耗(W)3.5电源规格(V)101214输出串联阻抗(kΩ)1.5(BNC接口)输出模拟电压(V)0-10(BNC接口)重量(g)218外形尺寸(mm)101.5 x 81 x 28.5工作温度(摄氏度)10——40存储温度(摄氏度)-20——70*规格如有更改，恕不另行通知。
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    厂商： 武汉东隆科技有限公司
    品牌： NIREOS
    型号： SPIDER
    价格： 面议
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  • 苏州纳米所等研制出超高灵敏度新型微波探测器
    射频微波探测器是微波系统中的重要电子器件，在通讯、雷达、导航、遥感、电子工业、医疗、科学研究等方面具有广泛应用。近年来，随着通信技术的迅速发展，对未来微波探测器提出了更高的需求，如对微弱信号(μ W以下)的高灵敏度检测，以及功耗低和易于小型化、集成化。利用电子自旋特性而不是电子电荷属性来构建微波探测器，有望解决上述挑战。　　近期，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所曾中明团队与国内外科学家合作在基于电子自旋特性的微波探测器件研究方面取得了新的进展。他们利用薄膜制备技术精确控制纳米磁性薄膜的界面特性，巧妙地在“磁性自由层/隔离层/磁性固定层”三明治纳米结构中使自由层的磁矩垂直于薄膜平面，而固定层的磁矩平行于薄膜平面(图a)。由于两磁性层的磁矩成近90度排列，极大地提高了自旋注入效率。该结构具有优异的微波探测性能：在1 nW的微弱信号作用下，其探测灵敏度高达75,400 mVmW-1，是半导体Schottky 二极管探测器探测极限的20倍。同时，该器件体积是半导体微波探测器的1/50，易于集成。此外，该器件可在零磁场下工作，消除了对外加磁场的依赖，简化了器件结构，降低了功耗。该研究结果为设计新型高灵敏的纳米微波器件提供了重要指导。相关研究成果发表在近期Nature Communications上(Nature Communications，2016, 7: 11259)。　　该研究工作得到了科技部重大仪器专项和国家自然科学基金资助。
    时间： 2016-04-13
    作者： guohn
  • Science：具有超过500吉赫兹带宽的超材料石墨烯光电探测器
    01. 导读石墨烯已经实现了许多最初预测的特性，并且正朝着市场迈进。然而，尽管预测的市场影响巨大，基于石墨烯的高性能电子和光子学仍然落后。尽管如此，已经报道了一些令人印象深刻的光电子器件演示，涉及调制器、混频器和光电探测器（PDs），特别是利用石墨烯的高载流子迁移率、可调电学特性和相对容易集成的石墨烯光电探测器已经得到了证明，例如展示了利用光增益效应的高响应度或超过100 GHz的带宽。从紫外线到远红外线之间，尽管石墨烯几乎具有均匀吸收特性，但其相对低的吸收率约为2.3%，这是其中一个主要挑战。因此，大多数速度最快、性能最佳的探测器都是在硅或硅化物等光子集成电路（PIC）平台上进行演示的。通过石墨烯的电场的平行传播，可以提供更长的相互作用长度，从而增加吸收率。通过使用等离子体增强技术，甚至可以实现更短和更敏感的探测器。尽管在光子集成电路上使用石墨烯已经展示了多种功能应用，但光子集成电路的整合也有其代价。光子集成电路的整合限制了可访问的波长范围，无论是由于波导材料（如Si）的透明度限制，还是由于集成光学电路元件（如光栅耦合器、分光器等）的有限带宽。此外，光子集成电路的整合对偏振依赖性和占地面积都有一定的限制，这是由于访问波导的原因。光子集成电路的模式和等离子体增强也意味着所有光线只与石墨烯的一个非常有限的体积相互作用，导致早期饱和的发生，有效地将最大可提取的光电流限制在微安级别。作为一种替代方案，可以直接从自由空间垂直照射石墨烯。这种方法可以充分利用石墨烯的光电检测能力，而不会受到所选择光子平台的限制。然而，这需要一种结构来有效增强石墨烯的吸收。此外，由于器件尺寸较大，对整体器件几何结构和接触方案的额外考虑更加关键。尽管如此，已经证明即使是与自由空间耦合的石墨烯探测器也可以达到超过40 GHz的带宽。由于没有光子集成电路的一些约束，整体效率不会受到耦合方案的影响，而且其他属性，如不同波长和偏振，现在也可以自由访问。例如，最近利用任意偏振方向来演示了中红外区域的极化解析检测中的定向光电流。石墨烯提供了多种物理检测效应：与传统的光电探测器（如PIN光电二极管或玻璃热计）只使用一种特定的检测机制不同，石墨烯探测器具有多种不同的检测机制，例如基于载流子的机制[光电导（PC）和光伏（PV）]，热机制[玻璃热（BOL）和光热电（PTE）]，或者增益介质辅助的机制。最近的器件演示已经朝着光热电复合操作的方向推进，以克服依赖偏置检测机制时的高暗电流问题。对石墨烯的时间分辨光谱测量表明，载流子动力学可以实现超过300 GHz的热和基于载流子的石墨烯光电探测器。对于设计高速、高效的石墨烯光电探测器来说，目前仍不清楚哪种直接检测机制（PV、PC、BOL或PTE）可以实现最高的带宽，并且这些效应中的许多效应可以同时存在于一个器件中，使得专门的设计变得困难。02. 成果掠影鉴于此，瑞士苏黎世联邦理工学院电磁场研究所Stefan M. Koepfli报道了一种零偏置的石墨烯光电探测器，其电光带宽超过500 GHz。我们的器件在环境条件下可以覆盖超过200 nm的大波长范围，并可适应各种不同的中心波长，从小于1400 nm到大于4200 nm。材料完美吸收层提供共振增强效应，同时充当电接触，并引入P-N掺杂，实现高效快速的载流子提取。光可以通过标准单模光纤直接耦合到探测器上。直接的自由空间耦合使光功率可以分布，导致高于100 mW的饱和功率和超过1 W的损伤阈值。该探测器已经经过高速操作测试，最高速率可达132 Gbit/s，采用两电平脉冲幅度调制格式（PAM-2）。多层结构几乎可以独立于基底进行加工处理，为成本效益高的技术奠定了基础，该技术可以实现与电子器件的紧密单片集成。我们进一步展示了该方法的多样性，通过调整超材料的几何形状，使其在中红外波长范围内工作，从而在原本缺乏此类探测器的范围内提供高速和成本效益高的探测器。因此，这种新型传感器为通信和感知应用提供了机会。相关研究成果以“Metamaterial graphene photodetector with bandwidth exceeding 500 gigahertz”为题，发表在顶级期刊《Science》上。03. 核心创新点本文的核心创新点包括：1. 基于图形石墨烯的光电探测器：本文提出了一种利用单层石墨烯的光电探测器。与传统的光电二极管或波尔计可以利用一种特定的探测机制不同，图形石墨烯探测器具有多种不同的探测机制，包括载流子机制、热机制和增益介质辅助机制。2. 电光带宽：本文展示了具有大于500 GHz的电光带宽的图形石墨烯探测器。这意味着该探测器能够高速响应光信号，适用于高速通信和数据传输。3. 多波段操作和宽光谱范围：图形石墨烯探测器能够在多个波段上工作，并且具有超过200 nm的宽光谱范围。这使得该探测器在通信和传感等领域具有广泛的应用潜力。4. 自由空间耦合和紧凑集成：本文展示了通过自由空间耦合的方式将光信号直接耦合到探测器中，避免了光子集成电路中的限制，并且实现了紧凑的集成。这使得探测器具有更好的灵活性和可扩展性。5. 高饱和功率和低压操作：图形石墨烯探测器具有高饱和功率，能够抵消响应度的影响。此外，它还能在低电压范围内进行操作，与CMOS技术兼容，使得探测器具有更低的功耗和更好的性能。04. 数据概览图1. 间隔式石墨烯超材料光电探测器的艺术视角。（A）从顶部直接通过单模光纤照射器件的艺术化表现。（B）器件结构的可视化。光电探测器由金反射层背板、氧化铝间隔层、单层石墨烯和相连的偶极子谐振器组成。金属线具有交替的接触金属，由银或金制成。然后，该结构由氧化铝钝化层封顶。图2. 制备的器件和模拟的光学和电子行为。（A至D）所提出的超材料石墨烯光电探测器（钝化前）的扫描电子显微图，放大倍数不同。显微图展示了从电信号线到活动区域再到谐振器元件的器件结构。在（D）中显示了四个单元格（每个单元格大小为1 mm × 1 mm），位于x和y坐标系中。比例尺分别为50mm（A），5 mm（B）和1 mm（C）。（E至G）同一单元格的模拟光学和静电行为。图（E）中展示了电磁场分布下的偶极子天线行为，图（F）中展示了相应的吸收分布。大部分吸收都集中在偶极子谐振器附近。图（G）中展示的模拟接触金属引起的电势偏移显示了由于交替接触金属而引起的P-N掺杂。沿着每种模拟类型（（E）至（G））的中心线（y = 1000 nm）的横截面位于每个面板的底部，显示光学信号和掺杂在接触区域附近最强。图3. 用于电信波长的器件性能。（A）用光学显微镜拍摄的器件在与电子探针接触时的顶视图（顶部）和侧视图（底部）图像。图像显示了与单模光纤的直接光学耦合。DC表示直流，RF表示射频。（B）归一化的光电响应随照射波长变化的曲线图，显示了共振增强和宽带工作。FWHM表示半峰全宽。（C）光输入功率变化范围内提取的光电流，范围跨越了五个数量级（黑线）。蓝线对应于器件上的光功率（Int.），而黑线对应于单模光纤输出的功率（Ext.）。响应度分别为Rext = 0.75 mA/W和Rint = 1.57 mA/W。（D）石墨烯光电探测器在2至500 GHz范围内的归一化频率响应。测量结果显示平坦的响应，没有滚降行为。WR代表波导矩形。（E）不同射频音调下的归一化射频响应随栅压的变化。发现理想的栅压在-2.5 ±1 V附近，使得响应平坦，这对应于轻微的P掺杂，可以从底部的电阻曲线中看出。电阻曲线进一步显示靠近0 V的狄拉克点和非常小的滞后行为（在图S2中进一步可视化）。（F）测量栅电压范围的相应模拟电势剖面，显示了理想的栅电压（以红色突出显示），对应于两个接触电平中心处的掺杂。图4. 光谱可调性和多共振结构。（A至C）模拟（A）和测量（B）不同元件共振器长度的光谱吸收，展示了元件结构的可调性。图中给出了四个示例的极化无关设计的扫描电子显微镜图像（C），其中颜色对应于（A）中所示的共振器长度刻度。比例尺为1 mm。（D至G）多共振器件的概念。（D）针对1550和2715 nm的双共振器件的扫描电子显微镜图像。顶部比例尺为1 mm，底部比例尺为5 mm。（E）相应的电场模拟，使用3个单元单元格乘以2个单元单元格的双共振器件，激发波长分别为1550和2715 nm，显示了两个不同尺寸共振器的清晰偶极子行为。（F）器件上的光电流与光功率的关系图和（G）两个波长的测量响应度与电压的关系图。05. 成果启示我们展示的2 GHz至500 GHz以上的电光带宽光电探测器与传统的PIN光电探测器技术和单向载流子光电二极管相媲美。垂直入射的元件结构图形PD在单个器件中充分发挥了图形的预期优势。从概念上讲，该探测器的性能利用了元件吸收增强、通过图形-金属接触掺杂的内置电场、通过静电门实现的良好控制的工作点以及化学气相沉积生长的图形的有效封装。探测器依赖于相对简单的金属-绝缘体-图形-金属-绝缘体的层状结构，这种结构潜在地可以在几乎任何衬底上进行后处理，并支持与现有结构的高度密集的单片集成，类似于等离子体调制器的示例。与大多数先前关于图形探测器的工作不同，我们展示了在无冷却条件下的空气稳定操作，使用了与互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的低电压范围的栅压，这是由于直接生长的封装层结构与底部绝缘体设计的结合效果所致。通过这些器件，我们展示了132 Gbit/s的数据传输速率，这是迄今为止已知的最高速度的图形数据传输速率。高饱和功率使得高速检测成为可能。在受到射击噪声限制的通信系统中，高饱和功率可以抵消适度的响应度，因为信噪比与响应度和输入功率成正比。此外，适度的响应度可以改善。以前的自由空间照明的图形光电探测器依赖于载流子倍增或基于剥离的多层图形而达到了更高的响应度，而没有任何光学增强。因此，还有很大的空间来共同努力进一步完善这个概念，改进制造工艺，并实现更高质量的图形材料。这些努力很可能会导致新一代的基于图形的探测器，具有足够的响应度。最后，大于500 GHz的高带宽和图形的波长无关吸收使得探测器可以在从1400 nm到4200 nm及更远的范围内的任何波长上工作。这对于传感和通信都是相关的。例如，在电信领域，持续增长的数据需求导致了对新通信频段的强烈需求。这种具有紧凑尺寸和与CMOS集成能力的新型探测器可能能够满足当前迫切需求。原文详情：Metamaterial graphene photodetector with bandwidth exceeding 500 gigahertzStefan M. Koepfli, Michael Baumann, Yesim Koyaz, Robin Gadola, Arif Gngr, Killian Keller, Yannik Horst, ShadiNashashibi, Raphael Schwanninger, Michael Doderer, Elias Passerini, Yuriy Fedoryshyn, and Juerg Leuthold.Science, 380 (6650), DOI: 10.1126/science.adg801
    时间： 2023-06-30
    作者： 管晨光
  • “完美的探测器设计” ：探索正反物质差异有了灵敏探针
    北京正负电子对撞机上的北京谱仪III（BESIII）实验实现了一种全新方法，为研究物质和反物质之间的差异提供了极其灵敏的探针。6月2日，相关研究成果刊发于《自然》杂志。　　论文所有匿名评审都对这一成果大加赞赏：“创新的测量方法”“很重要”“很新颖”“吸引人”“非常有前景”… … 到底是什么成果，竟让匿名评审们如此兴奋？　　不好好“组CP”的反物质　　“正反物质不对称性”是困扰科学界半个多世纪的问题，也是粒子物理学家一直在寻找的现象。他们常会提到一个词——“CP破坏”。　　“CP破坏”里的“CP”，和我们平时常说的“组CP”里的“CP”（情侣档）并不是一码事。　　130亿年前，宇宙在发生大爆炸之后迅速膨胀、冷却，大量正反粒子彼此结合、湮没。然而，就像闹了别扭的情侣一样，正反粒子在结合湮没的过程中，行为出现了一些不同。每十亿个正反粒子湮没的过程中，就有一个正物质粒子被留了下来，并最终组成了当今宇宙中所有的物质。　　科学家将正粒子和反粒子衰变过程不一样的现象，称为“CP破坏”。　　“CP破坏”的名字与李政道、杨振宁密切相关。他们提出并获得诺贝尔物理学奖的“宇称不守恒定律”认为，粒子的弱相互作用中存在“镜像”空间反射不对称性。　　在此基础上，科学家总结出了“CP破坏”。“CP破坏现象可以用来解释为什么我们的世界中只有正物质，没有反物质。”中国科学院高能物理研究所所长、中国科学院院士王贻芳告诉《中国科学报》。　　宇宙原初反物质为何消失？　　超子CP破坏有望解谜　　自上个世纪60年代以来，国外科学家已经相继在介子系统中发现了CP破坏。可是，正反物质的不对称性并没有因此得到完美解释。　　“在构成世界的主要粒子中，介子数量很少，介子衰变时多出来的正物质并不足以形成现在的世界。”王贻芳说。　　与数量稀少的介子不同，重子是构成世界的主要粒子。“如果能在重子中找到CP破坏，我们就能够更好地理解宇宙原初反物质消失之谜。”王贻芳说。　　遗憾的是，科学家从未在重子衰变中发现过CP破坏，原因在于“弱衰变信号有时会被强相互作用掩盖”。“所以要想看到重子的CP破坏，就需要有足够高灵敏度和创新性的实验方法，把弱相互作用与强相互作用的信号区分开来。”王贻芳说。　　超子是重子中的一种，类似于质子，但寿命很短，因此不像质子那样可以存在于我们身边。在超子中，有一个名叫“科西超子”的成员，由两个奇异夸克和一个轻夸克组成，当奇异夸克发生弱衰变时，它便消失了。　　超子衰变被科学家视为“寻找CP破坏的一个很有希望的狩猎场”，因为测量CP破坏时需要的一些信息可以通过超子的衰变直接测量。　　发现了高精度测量方法　　从2009年起，BESIII实验从正负电子对撞出的“碎片”中，收集到了约100亿J/psi粒子。这种名叫“J/psi”的粒子会衰变产生正—反科西超子，之后，正—反科西超子还会继续衰变、消失。　　BESIII实验组的科研人员用了100亿粒子事例中的13亿，分析出了正—反科西超子的诞生过程，重建出7万多个正—反科西超子对。如此一来，BESIII就成了一个干净、小巧的科西超子“工厂”。　　“干净”是因为本底污染率小于千分之一水平。“小”是因为BESIII实验中，超子产额并不算多。“巧”是因为BESIII实验的敏感度足够高。　　“我们的超子产额只有美国费米实验室一个叫HyperCP实验产额的千分之一，但单事例的敏感度是HyperCP单事例的一千倍。”BES III实验发言人、中科院高能物理研究所研究员李海波说。　　在分析数据时，BESIII实验组的科研人员发现了一种高精度测量超子CP破坏的方法。　　早先，他们发现，刚衰变出来的正科西超子和反科西超子之间存在一种特殊的现象——“量子纠缠”。于是，利用这种独特的量子纠缠效应，再结合科西超子其他数据信息，实验人员不仅从海量数据中同时找出了正科西超子、反科西超子的衰变信号，还以前所未有的精度测量出正—反科西超子的不对称参数。　　“新方法解决了30年来不能同时高效地对超子和其反粒子测量的困境，也给出了更丰富的CP破坏测量结果。”李海波说。　　“这一成果已经引起国际同行的关注，相关研究人员被2021年国际轻子光子大会邀请作大会专题报告，成为这一领域的新星。”王贻芳说。　　暂未发现新物理现象，将分析更多数据　　遗憾的是，BESIII实验组此次的测量结果并没有显示出超子的CP破坏迹象。即便如此，新方法的发现依然得到了国际匿名评审的认可。　　一位匿名评审点评说：“即使尚未发现CP破坏的新迹象，但研究方法上仍然很有趣。”另一位匿名评审认为：“新方法为将来的实验指明了方向，铺平了道路。”　　“这一创新方法为我们未来确认或排除超出标准模型的CP破坏来源带来了希望。”王贻芳说。　　抱着这样的希望，实验组正在向更高的测量精度发起挑战。“我们希望在不远的将来，能够用这种测量方法发现超子CP破坏的实验证据。”王贻芳表示，BESIII实验组正在分析100亿粒子衰变数据，测量精度有望再提高3倍左右。　　目前，这支由我国主要开展研究的实验团队面临着激烈的国际竞争。　　“欧洲核子中心的大型强子对撞机底夸克探测器（LHC-b）也正在大量制造超子。不过，他们的本底污染率比我们高。”李海波告诉《中国科学报》，BESIII实验组在测量上的优势在于BESIII实验“完美的探测器设计”。　　BESIII是我国历史上最早的粒子物理大科学装置——北京正负电子对撞机上的探测器。它关注两个科学问题：夸克如何组成物质粒子和宇宙物质—反物质不对称的起源。　　王贻芳介绍，从2009年至今，BESIII实验已经发表了400余篇研究成果。该探测器计划运行到2030年。　　作为我国自主研发的大型高能实验装置，BESIII实验吸引了来自17个国家80家科研机构的约500个科研人员，是目前国内正在运行的最大国际合作组。此次发表的新成果由中国科学家和国外合作者共同完成。
    时间： 2022-06-02
    作者： 情绪波动
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  • 【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    【数据采集应用案列】采用USB-2533集成散射光探测器

    [img=,690,293]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114090988_8823_3859729_3.jpg!w690x293.jpg[/img]简 介OSI Optoelectronics是一家生产标准或定制二极管和光学传感器的制造商，其产品应用于医学、商业、军事、X-射线、无线电通讯等各个领域。项目需求OSI公司准备开发一款低成本的数据采集系统，需要从48个独立的探测器上采集信号并将其数字化，用 USB总线将数字信号上传至PC。48路探测器被巧妙地集成在一个仪器上，用于采集物体的散射光。由于散射光密度很低，所以要选择低噪音、高敏度的探测器。此项目计划在2个月之内完成产品雏形。OSI Optoelectronics曾采用PCI板卡采集方案，现准备用USB采集卡替换此方案。OSI的方案变更有以下几个原因：探测器密度越高，越能更好地感应低密度的散射光；无需使用连接PCI板卡和模拟信号的带状电缆；模数转换靠近模拟信号源，降低了信号噪声；实现更高的采样率，使得从48个通道获取信号在时间上更加同步；用笔记本电脑取代了台式机；数据采集硬件成本降低；解决方案探测器选择的是高敏度OSI Optoelectronics的光电DP系列，特点是低电容、高响应度、低噪音及巨变温度下的高稳定性。数据采集元件选择的是MCC的16位USB-2533数据采集卡。选择USB-2533基于多方面原因。首先1MHz的采样率高于现有的PCI板卡，使得切换通道时间变短。其次，使用USB板卡的成本是PCI板卡的1/3。而且USB-2533的体积玲珑，可以安置在仪器内，从而使得 AD转换靠近模拟信号源、降低噪声、增加信噪比。高敏度探测器与USB-2533的完美结合实现了产品的预期效果。OSI设计的定制接口板安装在USB-2533上，为独立的光电探测器的48个模拟通道提供了接口。[img=,690,690]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2019/05/201905171114214252_786_3859729_3.jpg!w690x690.jpg[/img]结果MCC的销售及工程师提供的支持具有很高的价值，销售团队在需求提报后的三天内评估了USB-2533和UL软件的方案。技术支持工程师则提供了C++的编程应用案例，这些案例开启了应用代码的开发，使得OSI在计划时间内完成了产品原型。重新设计的仪器的采样率更高，各探测器信号的扫描更同步；USB-2533的16位分辨率也使得仪器精度大大提高。高敏度的探测器（对于特定波长有高响应度）在微光下提供更精确的信号，因此提高了成像质量（信噪比）。新产品很快上市，在降低成本的同时提高了产品性能。如需了解更多内容请关注嘉兆科技

  • 光电水位开关的数字信号与模拟信号的差异

    光电水位开关的数字信号与模拟信号的差异

    [font=宋体]光电水位开关是一种常用于液位检测的传感器，它可以将液体的高低状态转化为电信号输出。根据输出信号的不同，光电水位开关可以分为数字信号和模拟信号两种类型。[/font][font=宋体]数字信号是一种离散的信号，只有两个状态，通常表示为[/font]0[font=宋体]和[/font]1[font=宋体]。在光电水位开关中，数字信号通常用于表示液位的高低状态。当液位达到设定的高度时，开关会输出高电平（[/font]1[font=宋体]），表示液位高；当液位低于设定的高度时，开关会输出低电平（[/font]0[font=宋体]），表示液位低。数字信号的优点是简单、稳定，易于处理和判断，适用于需要确定液位状态的应用。[/font][align=center][img=光电水位开关,485,262]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2023/09/202309051604281743_3135_4008598_3.png!w485x262.jpg[/img][/align][font=宋体]模拟信号是一种连续变化的信号，可以表示多个状态或数值。在[url=https://www.eptsz.com]光电水位开关[/url]中，模拟信号通常用于表示液位的具体高度。开关会根据液位的变化输出不同的电压或电流信号，这个信号的数值与液位的高度成正比。模拟信号的优点是可以提供更精确的液位信息，适用于需要实时监测液位变化的应用。[/font][font=宋体]总的来说，数字信号适用于只需要判断液位高低状态的应用，而模拟信号适用于需要实时监测液位变化的应用。选择使用哪种信号类型取决于具体的应用需求和系统设计。[/font]

  • 【讨论】国产显微镜图像传输的都是模拟信号吗？

    公司买的金相显微镜和立体显微镜是上海光学的，可是通过数码相机和摄像头传输到电脑的图像很模糊，经询问厂家才知道图像信号传输到电脑的是模拟信号，而且目前国内都是一样的。有没有大侠知道是不是真的？怎么才能得到数字传输信号呢？

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  • IC检测器 - Bioscan – IC接口之间的模拟信号电缆 | 6.2156.050
    IC检测器 - Bioscan – IC接口之间的模拟信号电缆Analog cable IC Detector - Bioscan - IC Interface订货号：6.2156.050Bioscan – IC接口之间的连接电缆，使用MagIC Net™ 软件进行操作。
    供应商： 北京谱朋科技有限公司
    品牌： 瑞士万通
    价格： ¥3437
  • 一体化IC仪器 – 一体化IC接口之间的模拟信号电缆 | 6.2134.190
    一体化IC仪器 – 一体化IC接口之间的模拟信号电缆Analog Cable Compact IC Instruments - Compact IC Interface订货号：6.2134.190一体化IC（电导与UV/VIS） - 一体化IC 接口之间的连接电缆
    供应商： 北京谱朋科技有限公司
    品牌： 瑞士万通
    价格： ¥6299
  • 光电探测器 InGaAs Si Ge大光敏面探测器
    光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点： 高量子效率 低噪声，高速度 高增益，M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注：Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 特点： 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器（参造Alpha） 光电倍增管 光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性： 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度，最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号：PDS443-C-C特点：◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项：a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点： 应用： 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.
    供应商： 筱晓（上海）光子技术有限公司
    品牌： 完美光子
    价格： 面议
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