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样品: ITO 氧化铟锡, 标记为 ITO1, ITO2, ITO3样品薄膜厚度: 60 - 100 nm样品尺寸: 10 * 10 mm实验内容: 载流子浓度, 类型, 霍尔迁移率, 方块电阻 实验仪器: 上海伯东英国 NanoMagnetics ezHEMS [url=http://www.hakuto-vacuum.cn/product-list.php?sid=131][color=#0000ff]霍尔效应测试仪[/color][/url]测试温度和磁场温度: 300K RT 1 Tesla[color=#ff0000]* 在测试开始前, 仪器均经过标准样品校验. 所有样品根据 ASTM 标准.[/color][b][color=#000000]样品 ITO1 测试结果:[/color][color=#000000]I-V 测量结果[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-nano.jpg[/img][/color][/b][color=#000000][b]VdP 测量结果[/b][/color][color=#000000] 测量头类型: RT Head 磁场: 9677G 厚度: 80nm[img=霍尔效应测试仪 ITO 薄膜]http://www.hakuto-vacuum.cn/hakuto_upfile/images/ITO-vdp.jpg[/img][/color][b]部分测试结论:[/b]1. 得到的电阻值彼此相容.2. 所有的IV 曲线都是线性的3. 所有样本都是欧姆的,统一的,均匀的.4. Van der Pauw 测试为了保证准确性, 测试了2次, 测试结果是相同的. ...[color=#ff0000]* 鉴于信息保密, 更详细的霍尔效应测试案例欢迎联络上海伯东[/color]
有用AFM研究薄膜生长的吗?主要是动力学标度理论,交流一下!我的Email:zhiwenl@yahoo.com.cn
http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2011/03/201103241055_284836_2168123_3.jpg 薄膜过滤后,于琼脂培养基上贴膜,33摄氏度下培养3天,结果如上图片所示,薄膜表面上的菌落数较少,曾经也有过薄膜面上无菌落生长,而薄膜周边则环绕生长了一圈细菌。 大家帮忙分析下,这是什么原因引起的。 我们自己觉得,会不会是过滤时候水为过滤完,去触摸贴于培养基的过程中将膜竖起了,引起水往边缘留,菌也就跟着留到了边缘,贴到琼脂上后,水分又沿着薄膜的周边将薄膜环绕,菌也就环绕了一圈。这个解释不知是否可行。