等离子体半导体

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等离子体半导体相关的厂商

  • OPS Plasma专注于等离子表面处理,集设备开发与设备制造、工艺开发与方案解决为一体,为各行业提供高效、节能、环保的等离子表面处理方案,包括等离子清洗、等离子活化、等离子改性、等离子接枝与聚合、等离子刻蚀、等离子沉积等。 OPS Plasma的创始人在德Fraunhofer Institute期间积累了丰富的设计开发经验,研发团队拥有10年以上的等离子系统设计经验、5年以上的等离子设备制造经验,是国内最大的等离子应用技术方案解决专家,不仅能为客户提供优质的等离子处理设备,还能为客户提供整套的解决方案和工艺指导。 OPS Plasma的制造团队多年从事等离子设备制造,成功开发出多款设备。设备采用具有独立知识产权的电极系统和进气系统,保证电场和气场的均匀分布,并完美地解决了真空动密封、真空冷却等一系列问题。 OPS Plasma的等离子设备广泛地应用在光学电子、太阳能、半导体、生物医疗、纳米材料、及通用工业领域,销往各大知名院校、科研机构和企业。在全国范围内超过100台实验设备和工业设备的良好运行,充分证明了OPS Plasma等离子系统的优越品质。 OPS Plasma致力于用国际的品质、国内的价格和优质的服务为全球各行业客户提供等离子处理设备和解决方案,成为全球行业领先的等离子应用技术方案解决专家。
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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  • 鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积(CVD)系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备(科研型、生产型)、超高真空磁控溅射外延设备(10-8Pa)|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备:PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备:热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台:以内置真空机械手的样品传递室为中心(配4~8个进出口),配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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等离子体半导体相关的仪器

  • 等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长;采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术,是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备,主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强,具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后,真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积(CVD)系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)|OLED中试设备(G1、G2.5)|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
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  • 1. 产品概述RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式,高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电,高效地产生稳定的高密度等离子体,实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外,ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电,它能有效地产生稳定的高密度等离子体,使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺,通过ICP产生高密度的等离子体,实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制,电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。
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  • 1. 产品概述RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式,高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电,高效地产生稳定的高密度等离子体,可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外,ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。2. 设备用途/原理GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电材料等难蚀材料的加工。3. 设备特点龙卷风线圈电,它能有效地产生稳定的高密度等离子体,使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺,通过ICP产生高密度的等离子体,实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制,电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。
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等离子体半导体相关的资讯

  • 大连理工大学突破等离子体工艺腔室仿真软件,助力半导体关键设备研发
    超大规模集成电路(ULSI)产业直接关系到国家的经济发展、信息安全和国防建设,是衡量一个国家综合实力的重要标志之一。在半导体芯片制备过程中,约有三分之一的工序要使用等离子体技术,因此配备等离子体工艺腔室的材料刻蚀和薄膜沉积设备是ULSI制造工艺的核心。目前,半导体工艺中最常用的两种等离子体源是CCP(容性耦合等离子体)和ICP(感应耦合等离子体)。等离子体工艺腔室制造过程极为复杂,不仅涉及精密机械加工技术,还要统筹考虑电源、气体、材料等外部参数的优化,以及与晶圆处理工艺的兼容性。如果采用传统的“实验试错法”,不仅成本巨大,而且延长了设备的研发周期,将严重制约我国ULSI产业的快速发展。因此,采用建模仿真与实验诊断相结合的方式、为等离子体工艺腔室的研发与优化提供方案,成为一种必然趋势。等离子体放电过程是极其复杂的,受到多种外界参数的控制,如电源功率与频率、气体成分与压强、腔室尺寸及材料属性等。此外,等离子体系统还包含了多空间尺度和多时间尺度的变化,以及多物理化学场的耦合过程。例如等离子体、鞘层、表面微槽等空间特征尺度相差10个量级;电磁场、带电粒子、中性气体及化学反应等时间特征尺度相差9个量级。如此复杂的等离子体工艺环境,给物理建模和数值仿真都带来了巨大挑战。物理学院PSEG团队在王友年教授的带领下,自2005年开始,历经近二十年时间,在国内率先研发出具有自主知识产权的等离子体工艺腔室仿真软件——MAPS(Multi-Physics Analysis of Plasma Sources)。通过采用物理建模、数值仿真与实验诊断相结合的方法,解决了制约等离子体工艺腔室设计和制造中的一些关键技术难题,为我国研发具有自主知识产权的等离子体工艺腔室提供了技术支撑。MAPS是一款专门面向等离子体工艺腔室的数值模拟软件平台,可以同时为等离子体工艺腔室的参数设计和表面处理工艺(材料刻蚀和薄膜沉积)的结果预测提供模拟服务。基于不同的等离子体模型,MAPS包含不同的数值模拟方法,如粒子/蒙特卡洛碰撞模拟方法、流体力学模拟方法、流体力学/蒙特卡洛碰撞混合模拟方法、整体模型模拟方法等。软件平台包含输入部分、输出部分以及七大模块,分别是等离子体模块、中性气体模块、电磁模块、鞘层模块、化学反应模块、表面模块及实验验证模块。此外,PSEG团队研制了结构可变的大面积、多功能等离子体实验平台和多套CCP和ICP放电平台,并自主研发了射频磁探针、微波发卡探针、光探针、吸收光谱诊断系统、布拉格光栅测温系统、悬浮双探针等诊断工具和集成了商用的Langmuir探针、质谱仪、离子能量分析仪、光谱仪、ICCD及光致解离负离子诊断系统等。这些诊断手段为等离子体源多参数诊断提供条件。大量研究表明,MAPS的模拟结果与实验测量结果在量级和变化趋势上达到一致,证明了MAPS仿真软件的可靠性。近期,针对工业中常用的CCP源,MAPS仿真软件提供了一种新的快速仿真算法:基于多时间步长、泊松方程的半隐式修正、超松弛迭代等,可以将模拟速度提高几十倍。此外,针对ICP源,PSEG团队也建立了一种新的双极扩散近似模型,可以对带有射频偏压的感性耦合放电过程进行仿真。该方法不仅模拟速度快,还适用于低气压放电。MAPS仿真软件具有外界控制参数多、耦合物理场多、数值求解器多、数值仿真模型多等优势,能够对ICP刻蚀机、CCP刻蚀机、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)和PVD(物理气相沉积)工艺腔室进行仿真,支持对优化工艺过程参数的进一步探索,受到了国内的多家半导体设备制造企业的青睐。近十年中,MAPS仿真软件已分别为北方华创、中微半导体设备(上海)、拓荆科技、苏州迈为、武汉长江存储及理想能源设备(上海)等多家企业提供仿真服务。未来,PSEG团队将继续专注于对MAPS仿真软件的完善和升级,希望可以为半导体、光伏及平板显示等产业的创新与发展注入源源不断的强劲动力。
  • 片式真空等离子清洗机:双工位处理平台,有效提升半导体封装效率,提升产能
    随着集成电路技术的发展,半导体封装技术也在不断创新和改进,以满足高性能、小型化、高频化、低功耗、以及低成本的要求。等离子处理技术作为一种高效、环保的解决方案,能够满足先进半导体封装的要求,被广泛应用于半导体芯片DB/WB工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺中。DB工艺前等离子处理芯片键合(Die Bonding)是指将晶圆上切割下来的单个芯片固定到封装基板上的过程。其目的在于为芯片提供一个稳定的支撑,并确保芯片与外部电路之间的电气和机械连接。常用的方法有树脂粘结、共晶焊接、铅锡合金焊接等。在点胶装片前,基板上如果存在污染物,银胶容易形成圆球状,降低芯片粘结度。因此,在DB工艺前,需要进行等离子处理,提高基板表面的亲水性和粗糙度,有利于银胶的平铺及芯片粘贴,提高封装的可靠性和耐久性。在提升点胶质量的同时可以节省银胶使用量,降低成本。WB工艺前等离子处理芯片在引线框架基板上粘贴后,要经过高温使之固化。如果芯片表面存在污染物,就会影响引线与芯片及基板间的焊接效果,使键合不完全或粘附性差、强度低。在WB工艺前使用等离子处理,可以显著提高其表面附着力,从而提高键合强度及键合引线的拉力均匀性,提升WB工艺质量。*WB工艺前处理应用案例Flip Chip (FC)倒装工艺等离子应用在Flip Chip(FC)倒装工艺中,将称为“焊球(Solder Ball)”的小凸块附着在芯片焊盘上。其次,将芯片顶面朝下放置在基板上,完成芯片与基板的连接后,通常需要在在芯片与基板之间使用填充胶进行加固,以提高倒装工艺的稳定性。通过等离子清洗可以改善芯片和基板表面润湿性,提高其表面附着力,进而影响底部填充胶的流动性,使填充胶可以更好地与基板和芯片粘结,从而达到加固的目的,提高倒装工艺可靠性。片式真空等离子清洗机针对半导体行业,DB/WB工艺、RDL工艺、Molding工艺、Flip Chip (FC)倒装工艺等,能够大幅提高其表面润湿性,保证后续工艺质量,从而提高封装工艺的可靠性。设备优势:1. 一体式电极板结构设计,等离子体密度高,均匀性好,处理效果佳2. 双工位处理平台,四轨道同时上料,有效提升产能3. 可兼容多种弹匣尺寸,可自动调节宽度,提升效率并具备弹匣有无或装满报警提示功能4. 工控系统控制,一键式操作,自动化程度高行业应用:1. 金属键合前处理:去除金属焊盘上的有机污染物,提高焊接工艺的强度和可靠性2. LED行业:点银胶、固晶、引线键合前、LED封装等工序中可提高粘和强度,减少气泡,提高发光率3. PCB/FPC行业:金属键合前、塑封前、底部填充前处理、光刻胶去除、基板表面活化、镀膜,去除静电及有机污染物
  • 等离子体技术助力第三代半导体刻蚀、抛光等工艺——访牛津仪器黄承扬
    2023年6月29日,半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场,牛津仪器携第三代半导体抛光、刻蚀、检测等系列解决方案亮相展会。展会期间,仪器信息网就参会感受、解决方案、行业发展趋势等话题采访了牛津仪器等离子技术部制程技术与业务拓展经理黄承扬。以下是现场采访视频:

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  • 【资料】-微波等离子体及其应用

    【资料】-微波等离子体及其应用

    关键词: 化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积 微波等离子体CVD法 微波等离子体热处理仪 金刚石薄膜 微波烧结 新材料 纳米催化剂 一、微波等离子体简介等离子体的研究是探索并揭示物质“第四态” ——等离子体状态下的性质特点和运行规律的一门学科。它是包含足够多的正负电荷数目近于相等的带电粒子的非凝聚系统。等离子体的研究主要分为高温等离子体和低温等离子体。高温等离子体中的粒子温度高达上千万以至上亿度,是为了使粒子有足够的能量相碰撞,达到核聚变反应。低温等离子体中的粒子温度也达上千乃至数万度,可使分子 (原子)离解、电离、化合等。可见低温等离子体温度并不低,所谓低温,仅是相对高温等离子体的高温而言。高温等离子体主要应用于能源领域的可控核聚变,低温等离子体则是应用于科学技术和工业的许多领域。高温等离子体的研究已有半个世纪的历程,现正接近聚变点火的目标;而低温等离子体的研究与应用,只是在近年来才显示出强大的生命力,并正处于蓬勃的发展时期。微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积技术原理是利用低温等离子体(非平衡等离子体)作能量源,工件置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使工件升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积的一般技术,又有辉光放电的强化作用。 金刚石膜具有极其优异的物理和化学性质,如高硬度、低磨擦系数、高弹性模量、高热导、高绝缘、宽能隙和载流子的高迁移率以及这些优异性质的组合和良好的化学稳定性等,因此金刚石薄膜在各个工业领域有极其广泛的应用前景。 1. 在药瓶内镀上金刚石薄膜,可以避免药品在瓶内起反应,延长药品的保 全寿命; 2. 可作为计算机硬盘的保护层。目前的计算机硬盘,磁头在不用时要移到硬盘旁边的位置上,如果硬盘包有金刚石薄膜,则磁头可以始终放在硬盘上,这样就提高了效率; 3. 在切割工具上镀上金刚石薄膜,可以使工具在很长时间内保持锋利; 4. 用于制造带有极薄金刚石谐振器的扬声器; 5. 涂于计算机集成电路块,能抗辐射损坏,而一般硅集成块却易受辐射损坏。它能将工作时产生的热迅速散发掉,使集成块能排列得更紧凑些; 6. 用于分析X射线光谱的仪器,透过X射线的性能较别的材料好。 金刚石膜沉积必须要有两个条件: 1. 含碳气源的活化; 2. 在沉积气氛中存在足够数量的原子氢。 由于粒子间的碰撞,产生剧烈的气体电离,使反应气体受到活化。同时发生阴极溅射效应,为沉积薄膜提供了清洁的活性高的表面。因而整个沉积过程与仅有热激活的过程有显著不同。这两方面的作用,在提高涂层结合力,降低沉积温度,加快反应速度诸方面都创造了有利条件。 微波等离子体金刚石膜系统应由微波功率源,大功率波导元件、微波应用器及传感与控制四部分组成。应用器是针对应用试验的类型而设计,其微波功率密度按需要而设定,并按试验需要兼容各种功能,具有较强的专用性质。微波功率源、大功率波导元件及传感和控制三种类型的部件,是通用的部件,可按需要而选定。反应器必须可以抽成真空;且可置于高压。因此微波传输必须和反应器隔离开来。反应器中可以通入其他气体。下面是一个反应器图。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/05/200605221201_18795_1613333_3.jpg[/img]半导体生产工艺中已经采用微波等离子体技术,进行刻蚀、溅射、[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积、氧化硅片;还可用于金属、合金、非金属的表面处理;用于等离子体光谱分析,可检测十几种元素。 二、微波等离子体源 目前国内微波离子体源的研究工作,大部分在2450MHZ这个频段上进行,部分还可能采用915MHZ频段。这两个频段均采用连续波磁控管,并做成连续波功率微波源。但实际情况均具有较大的波纹因素,说得确切一些是三相全波整流或单相全波整流的波形被磁控管锐化了波纹状态。家用微波炉的电路结构实际上是可控的单相半波倍压整流电路,其波纹因素更大。 这种工作状态受电网波动的影响,平均功率不断变化,具有很大的不稳定性,造成功率密度的不确定。在微波等离子体金刚石膜制作系统要求很严格的情况下,会造成实验结果重复性不满意。因此需要稳定且纹波系数小的微波源是系统成功关键。 另外,近来微波等离子体的研究首先发现这些问题,电源的不稳定性会造成等离子体参数的变化。但用毫秒级的脉冲调制连续波磁控管,在许多实验中取得了良好的实验效果。理论分析调制通断时间的选定可以获得改善效果。 1. 物料介电损耗的正温度系数锐化了不均匀的加热效果,造成局部点的热失控现象。必要的周期停顿,利用热平衡的过程,可以缓解这些不均匀因素,抑制热失控现象的建立。 2. 避免了微波辅助催化反应过程中若干不需要副反应的累积。周期性的停顿可以避免这些副反应累积增强,停顿就是副反应的衰落,再从新开始,这样就避免了副反应的过度增长。 三、微波等离子体的应用 微波等离子体的应用技术主要用来制造特种性能优良的新材料、研制新的化学物质,加工、改造和精制材料及其表面,具有极其广泛的工业应用——从薄膜沉积、等离子体聚合、微电路制造到焊接、工具硬化、超微粉的合成、等离子体喷涂、等离子体冶金、等离子体化工、微波源等。等离子体技术已开辟的和潜在的应用领域包括:半导体集成电路及其他微电子设备的制造;工具、模具及工程金属的硬化;药品的生物相溶性,包装材料的制备;表面上防蚀及其他薄层的沉积;特殊陶瓷(包括超导材料);新的化学物质及材料的制造;金属的提炼;聚合物薄膜的印刷和制备;有害废物的处理;焊接;磁记录材料和光学波导材料;精细加工;照明及显示;电子电路及等离子体二极管开关;等离子体化工(氢等离子体裂解煤制乙炔、等离子体煤气化、等离子体裂解重烃、等离子体制炭黑、等离子体制电石等)。 微波等离子体化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积制备纳米催化剂的研究等。 微波等离子体的应用前景广阔。来源于汇研微波

  • 等离子体激元为光电探测器披上隐身衣

    科技日报 2012年05月29日 星期二 本报讯 据物理学家组织网近日报道,美国斯坦福大学和宾夕法尼亚大学组成的一个联合工程师团队首次使用等离子体激元创建出一个可以探测光同时也可以隐形的新设备,应用于先进的医学成像系统和数码像机中,可生成更为清晰、更准确的照片和影像。该研究成果发表于《自然光子学》在线版上。 等离子体激元,即在光激发下的金属纳米结构中自由电子气集体振荡,是目前可以突破光的衍射极限来实现纳米尺度上对光操纵的新型量子态,为光学元器件和芯片的小型化以及未来信息领域超越摩尔定律带来了曙光。 新研究首次将等离子体激元这一概念用于光电子探测隐形设备。研究人员称,在其上的反光金属涂层可使一些东西看不见,使这种设备不可直观,由此创建出一种隐形的光检测器装置。该设备的核心是由薄薄的金帽覆盖硅纳米线。研究人员通过调整硅中的金属比例,即一种调谐其几何尺寸的技术,精心设计了一个“电浆斗篷”,其中金属和半导体中的散射光相互抵消,从而使该设备不被看见。该技术的关键在于,在薄金涂层中建立一个偶极子,与硅的偶极子在力量上可对等。当同样强烈的正负偶极子相遇时,它们之间相互抵消,系统就会变得不可见。 研究人员说:“我们发现,一个精心设计的金壳极大地改变了硅纳米线的光学响应。在金属丝中光吸收略有下降,而由于隐形效果,散射光会下降100倍。实验同样证明,在计算机芯片中常用的其他金属如铝和铜也会具有同样效果。之所以能够产生隐蔽性,首先是金属和半导体的调整。而如果偶极子没有正确对齐,隐形效果则会减弱甚至失去。所以只有在适量材料中的纳米尺度下,才能做到最大程度的隐形。” 研究人员预测,这种可调的金属半导体设备在未来将用于许多相关领域,包括太阳能电池、传感器、固态照明、芯片级的激光器等。例如,在数码像机和先进的成像系统中,等离子体激元的隐形像素可能会减少由于相邻像素之间破坏性串扰产生图像模糊的状况,从而生成更清晰、更准确的照片和医学影像。(华凌)

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    等离子体主动热探头是耐高温的等离子探头,用于高温等离子体过程中流入到目标表面的能量,也可作为离子流探头使用。由于等离子体主动热探头的灵敏度非常高,特别适合用于工业生产过程或研究中的有效质量控制。有一个特殊的版本,该版本有一个更多可选的可调参数,可以用来解决等离子体工艺的研发。等离子体主动热探头特点在生产高品质涂层或研究材料属性过程中,对等离子体工艺的表征,控制和监测是至关重要的。最重要的一个参数是通到基底的实际能量流入和总能量流入—主动热探头是测量这个决定性的量数的唯一工具。增殖的粒子影响基底的表面工艺和反应。这种能量与其他如热辐射能或化学能合成总流入能量。主动热探头连续定向测量流入的能量,保持层和表面性质很好的相关性。等离子体主动热探头产品概述适用于真空 耐温高达450°C 能量流入可多达(2±0,001)W/cm2 可衡量 可变长度和几何图形 包括系统控制和评估的软件包 提供安装服务和流程优化咨询
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