水平侧向溅射沉积系统

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水平侧向溅射沉积系统相关的厂商

  • 贰零壹捌科技(天津)有限公司是一家专业从事纳米颗粒与纳米薄膜制备设备以及复杂真空系统设计、开发、制造、销售的高科技公司。创始人曾在德国和美国的高水平大学学习与工作,致力于团簇束流沉积技术和质谱、能谱等复杂真空系统的研究和设备开发。因此,公司以纳米团簇束流技术见长,拥有雄厚的复杂真空系统设计、制造及研发能力。开发完成的纳米团簇束流源及质量选择和沉积系统设备达到了国际先进水平,拥有研究型和生产型两个系列。擅长纳米团簇束流沉积技术在工业应用领域的方案设计、技术服务与产品代工,尤其适合于纳米光电与传感器件、微机电器件工业制程领域提供系统解决方案。公司采用国际上先进的“设备与工艺相结合”模式进行研发、生产与销售,引领世界先进技术。公司拥有良好的售前服务平台、完善的售后服务体系、广泛的技术支持能力,致力于向广大的国内外用户提供性能高、稳定性强、安全可靠的产品。公司配备了优秀的科研人员,为用户提供售前、售后工艺服务与工艺技术支持,包括:设备选型实验、设备考察实验、项目预研与立项、合作攻关、工艺指导、工艺培训等。 广泛应用在光学、半导体、离子束、真空设备、真空机械、科研仪器及相关控制软件。镀膜、沉积设备、超高真空设备、复杂系统联动控制、低维材料制备、石墨烯传感器及系统集成:v v沉积设备:化学(催化)、材料、新材料、电极材料(新能源)(磁控溅射(单靶或多靶)、热型、电子束轰击型) v复杂真空系统:超高真空环境下,材料制备、原位表征、材料转移、集成LEED,角分辨激光光电子能谱(磁瓶和动量谱仪型)、高分辨质谱、医用质谱、各类离子与团簇源(离子源包括高电荷态ECR、中等离子态强流ECR离子源、磁控溅射强流团簇源、整发型团簇源)、不同功能光谱、质谱、电子能谱的多功能系统集成。 v抛光:荷能纳米颗粒超光滑表面抛光 v超高真空系统设计、超高真空系统相关联动系统软件、超高真空腔体与部件的加工、离子光学系统的设计 v真空部件加工
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  • 鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司主营业务微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统化合物半导体衬底材料和外延片|化合物半导体系列氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合|化学气相沉积(CVD)系列PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD|超高真空系列MBE分子束外延设备(科研型、生产型)、超高真空磁控溅射外延设备(10-8Pa)|其它ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备|团簇式设备系列太阳能薄膜电池设备:PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手OLED中试设备:热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室综合薄膜制备和器件制造实验平台:以内置真空机械手的样品传递室为中心(配4~8个进出口),配置各真空工艺室|技术服务非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训
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  • 400-860-5168转3241
    载德半导体技术有限公司是专业的半导体及微电子领域仪器设备供应商,载德所代理的仪器设备广泛用于高校、研究所、半导体高新企业。载德半导体技术有限公司目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪(Hall Effect Measurement System); - 快速退火炉(RTP); - 回流焊炉,真空烧结炉(Reflow Solder System); - 探针台(Probe Station),低温探针台(Cryogenic Probe Station); - 贴片机(Die Bonder),划片机(Scriber),球焊机/锲焊机(Wire Bonder); - 原子层沉积系统(ALD),等离子增强原子层沉积设备(PEALD); - 磁控溅射镀膜机(Sputter),电子束蒸发镀膜机(E-beam Evaporator),热蒸发镀膜机(Thermal Evaporator),脉冲激光沉积系统(PLD) - 低压化学气相沉积系统(LPCVD),等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),快速热化学气相沉积系统(RTCVD); - 反应离子刻蚀机(RIE),ICP刻蚀机,等离子体刻蚀机; - 加热台、热板、烤胶台 (Hot Chuck / Hot Plate); - 扫描开尔文探针系统(Kelvin Probe),光反射膜厚仪(Reflectometer); 等等...
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水平侧向溅射沉积系统相关的仪器

  • 侧向溅射1. 技术规格衬底温度:100℃;在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) ±5%。2. 产品配置:2.1 主真空室:主真空室的内壁材料为电子级抛光,与溅射材料无任何反应;前开或者侧开式真空室;有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室, 10cm直径的观察窗,并带有挡板。2.2预真空室:将基片从预真空室传送到主真空室的装置;安装基片的门有O型垫圈密封。2.3泵与阀门:主真空室配备20cm(8英寸)的冷泵, CTI带自动再生功能的;预真空室用分子泵,与主真空室通过阀门连接;主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ;预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。主真空室应配有电离压力真空计,用于低压显示, 100mτ电容压力计显示压力,热偶或其它量表用于高压显示;预真空室配有电离压力真空计,热偶或其它量表用于高压显示;所有的量表能输出和显示。2.4溅射源:具有2个射频溅射源,1个射频清洗电源,2个直流溅射电源,可自动切换至任意靶位;具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装,3英寸磁控靶、进气口和挡板构成;挡板用电动控制;溅射源之间有屏蔽保护,以防止靶材之间互相污染。在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%(除了5mm的边缘)。2.5基片控制:系统适用于直径100mm(4英寸)及以下基片,含碎片和4英寸衬底托盘;系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室;基片架可以用电机控制旋转,转速在0~40rpm内可精确调节;基片水冷,在连续溅射沉积金属 300nm后,基片的温度不能超过100℃;基片可以在-80°到80°范围内倾斜,控制精度优于0.5°。2.6工艺气体控制:系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室;每路气体管线有阀门和流量计控制;系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力;在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。2.7计算机控制系统:能够控制所有的功能,具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。
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  • Kurt J. Lesker Company® NANO 36&trade 是我们优化的入门级沉积系统。我们的腔室设计特别适合手套箱集成。NANO 36 具有更高的功能和更小的占地面积,提供了实惠的价格点,同时保持了您期望从 KJLC 获得的质量。NANO 36 与以下沉积技术兼容:热蒸发(最多四个 2 英寸船组件)。Torus® 磁控溅射源(最多三个 2“ 或 3” 源)。1cc 或 10cc LTE 有机沉积源(最多四个)。两个热源和两个 LTE 源的组合。可根据要求提供定制配置。NANO 36 提供 Pfeiffer 260 L/s 涡轮分子泵和 KJLC RV206 油封粗泵作为标准组件,并可选择 Edwards nXDS6i - 3.6 cfm (6.2 m)3/hr) 涡旋粗抽泵。NANO 36 的基本压力规格为 9 x 10-7托。Nano 36 提供单一和多种技术沉积选项(仅限热 + LTE),包括热蒸发和磁控溅射 (Torus)。只有 KJLC 提供 Mag-Keeper 溅射源,该溅射源在阴极体中具有零 O 形圈和磁耦合靶材,可轻松更换靶材。(通过手套箱改变目标时的游戏规则改变者!我们的冷却井设计可在 200 瓦/.in2 ≥功率密度下运行。该阴极设计用于在 3 英寸阴极上溅射高达 0.375 英寸厚的目标,在 2 英寸阴极上溅射高达 0.250 英寸厚的目标。高强度设计能够溅射高达 0.125 英寸厚的 Fe 靶材和 3 英寸阴极,或 0.0625 英寸厚的 Fe 靶材和 2 英寸的 Mag-Keepers。如果没有压紧夹或暗空间屏蔽,这种阴极能够运行≤低至 1mTorr。圆顶百叶窗设计消除了标准翻转或摆动百叶窗所需的额外交叉污染屏蔽需求。
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  • 1.产品概述:本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等,工艺性能稳定、模块化结构,采用行业的软件控制系统。可通过直流溅射及射频溅射方式镀膜,能制备各种金属、合金薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。可溅射材料广泛,包括各种金属、合物薄膜、非金属薄膜、化合物薄膜等。溅射模式多样,例如直流溅射、反应溅射、斜靶共溅射等。采用计算机控制,具有液晶显示屏、鼠标键盘操作,windows 会话界面,操作简便,并支持自动控制和手动控制两种方式,可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。2.设备用途:用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目3.真空室真空室结构:六边形侧开门真空室尺寸:φ350x370mm 限真空度:≤6.0E-4Pa 沉积源:永磁靶1套,φ2英寸样品尺寸,温度:φ2英寸,1片,高800℃ 占地面积(长x宽x高):约1米x1米x1.9米 电控描述:手动工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%
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水平侧向溅射沉积系统相关的资讯

  • 十种物理气相沉积(PVD)技术盘点
    薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术,其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结,以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中,晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中,薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一,占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition,PVD)技术指在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀,具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前,物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展,PVD技术也不断推陈出新,出现了很多针对某几种用途的专门技术,在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下,用蒸发器加热蒸发物质,使之升华,蒸发粒子流直接射向基片,并在基片上沉积形成固态薄膜,或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为:采用几种能源方式转换成热能,加热镀料使之蒸发或升华,成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团);离开镀料表面,具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面;到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜;组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀(Electron Beam Evaporation)是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同,电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材,使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜,SiO2、ZrO2膜,抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于:可以为待蒸发的物质提供更高的热量,因此蒸镀的速率也更快;电子束定位准确,可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷,对能量的利用率不高;而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离,也有可能带来污染。此外,大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解,这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面,把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离,其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体,击出阴极靶体原子或分子,飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统,由于常用的交流电源的频率在射频段,如13.56MHz,所以称为射频溅镀。在直流射频装置中,如果使用绝缘材料靶,轰击靶面的正离子会在靶面上累积,使其带正电,靶电位从而上升,使得电极间的电场逐渐变小,直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD(物理气相沉积)技术的一种,是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点,将离子引向被溅射的物质制成的靶电极(阴极),并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控,且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术,将各种气体放电方式引入到气相沉积领域,整个气相沉积过程都是在等离子体中进行,其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀(空心阴极蒸镀法)、多弧离子镀(阴极电弧离子镀)等。离子镀大大提高了膜层粒子能量,可以获得更优异性能的膜层,扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲,离子镀膜的特点是:镀膜时,工件(基片)带负偏压,工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高,容易进行反应沉积,可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法,在固体的阴极靶材上直接蒸发金属,蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子,从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电,而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说,多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源,通过靶与阳极壳体之间的弧光放电,使靶材蒸发,从而在空间中形成等离子体,对基体进行沉积。分子束外延(MBE)分子束外延(MBE)是新发展起来的外延制膜方法,是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件,而且也可以制备许多新器件,包括其它方法难以实现的,如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板,在体育场看到的超大显示屏,其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积(PLD)脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition,PLD),也被称为脉冲激光烧蚀(pulsed laser ablation,PLA),是一种利用激光对物体进行轰击,然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上,得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知,它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化,将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用;并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平,加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延(L-MBE)激光分子束外延技术(L-MBE)是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术,是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合,在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率(不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等)及MBE的实时检测功能,是一种改良的MBE方法。近年来,薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进,成果显著,在原有基础上,相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前,芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜(Hard Mask )PVD设备、铜互联(CuBS)PVD 以及铝衬垫(Al PAD)PVD,主要使用溅射镀膜技术。目前,主流物理气相沉积厂商包括,北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。
  • 宁波材料所气相沉积系统研制项目通过验收
    p   5月24日,中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院宁波材料技术与工程研究所承担的“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”和“微细球状非晶粉末制备装置”两个院科研装备项目进行了技术验收和综合验收。 /p p   两个项目的技术验收会于5月24日上午举行,条件保障与财务局科技条件处高级工程师张红松首先介绍了现场测试的具体要求,并宣布了专家组名单。技术测试专家组由6位专家组成,中科院半导体所谢亮研究员和中科院沈阳金属所张海峰研究员分别担任两个项目技术验收专家组组长。项目的技术测试大纲经专家组审议通过后,专家组分别在设备现场按照测试大纲逐项进行测试,将测试结果与项目任务书比对后,专家组一致认为两套研制设备的技术指标均达到或优于实施方案的要求,同意提交综合验收专家组验收。 /p p   项目的总体验收于 5月24日下午举行,张红松介绍了总体验收要求并宣布了专家组名单。专家组由8位专家组成,包括1位装备研制项目专家、6位技术专家,1位财务专家,组长由中科院微电子所夏洋研究员担任。专家组分别听取了两个项目工作汇报、使用报告、测试报告和财务报告。 /p p   “面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”项目研制了一套中压等离子体化学气相沉积系统,实现了硅材料的超高速、低温外延生长 并且通过在线发射光谱和激光吸收光谱的实时检测分析系统,实现了对中压等离子体沉积过程的有效控制。利用该系统,项目组研究了气体组分、沉积压力、氢气浓度等工艺参数与沉积薄膜性能之间的影响规律,为碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低温、快速生长提供了一个研究开发平台。 /p p   “微细球状非晶粉末制备装置”项目研制出了一套微细球状非晶粉末制备装置,研究了熔体温度、喷嘴直径、回转圆盘转速等工艺条件对粉末粒径、非晶度和氧含量的影响规律,开发了一套新型微细金属粉末制备的新技术,实现了平均粒径在10μm左右的高质量非晶粉末的制备。基于此装备,项目组开展了微细非晶合金粉末的吸波性能研究,为采用新型非晶软磁合金材料、设计和开发具有宽频带、强屏蔽效能的轻薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了实验基础。 /p p   专家组现场查看了研制仪器设备的运行情况,审查了相关文件档案和项目经费使用情况,经讨论,专家组一致认为,两个项目均完成了实施方案中规定的研究内容,各项技术指标达到要求,项目文件档案齐全,经费使用基本合理,同意项目通过验收。 /p p   张红松对宁波材料所两个项目顺利通过验收表示祝贺,并在最后的总结中提出希望,希望项目组能够充分发挥研制装备的价值,进一步研究开发及成果转化,发挥好中科院科研装备研制项目的效能。 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854310154.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center "   技术验收会现场 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854432504.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center "   现场查看研制仪器设备的运行情况 /p center img alt=" " src=" http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854493166.jpg" height=" 375" width=" 500" / /center p style=" text-align: center "   现场查看研制仪器设备的运行情况 /p
  • 纳米薄膜材料制备技术新进展!——牛津大学也在用的薄膜沉积系统,有什么独特之处?
    一、纳米颗粒膜制备日前,由英国著名的薄膜沉积设备制造商Moorfield Nanotechnology公司生产的套纳米颗粒与磁控溅射综合系统在奥地利的莱奥本矿业大学Christian Mitterer教授课题组安装并交付使用。该设备由MiniLab125型磁控溅射系统与纳米颗粒溅射源共同组成,可以同时满足用户对普通薄膜和纳米颗粒膜制备的需求。集成了纳米颗粒源的MiniLab125磁控溅射系统 传统薄膜材料的研究专注于制备表面平整、质地致密、晶格缺陷少的薄膜,很多时候更是需要制备沿衬底外延生长的薄膜。然而随着研究的深入,不同的应用方向对薄膜的需求是截然不同。在表面催化、过滤等研究方向,需要超大比表面积的纳米薄膜。在这种情况下,纳米颗粒膜具有不可比拟的优势。而传统的磁控溅射在制备纯颗粒膜方面对于粒径尺寸,颗粒均匀性方面无法实现控制。气相沉积法、电弧放电法、水热合成法等在适用性、操作便捷性、与传统样品处理的兼容性等方面不友好。在此情况下,Moorfield Nanotechnology推出了与传统磁控溅射和真空设备兼容的纳米颗粒制备系统。不同条件制备的颗粒粒径分布(厂家测试数据)不同颗粒密度样品(厂家测试数据)纳米颗粒制备技术特点:▪ 纳米颗粒的大小1 nm-20 nm可调;▪ 多可达3重金属,可共沉积,可制备纯/合金颗粒;▪ 材料范围广泛,包括Au、Ag、Cu、Pt、Ir、Ni、Ti、Zr等▪ 拥有通过控制气氛制造复合纳米粒子的可能性(类似于反应溅射)▪ 的纳米颗粒层厚度控制,从亚单层到三维纳米孔▪ 纳米颗粒结构——结晶或非晶、形状可控纳米颗粒膜的应用方向:▪ 生命科学和纳米医学: 癌症治疗、药物传输、抗菌、抗病毒、生物膜▪ 石墨烯研究方向:电子器件、能源、复合材料、传感器▪ 光电研究:光伏研究、光子俘获、表面增强拉曼▪ 催化:燃料电池、光催化、电化学、水/空气净化▪ 传感器:生物传感器、光学传感器、电学传感器、电化学传感器 二、无机无铅光伏材料下一代太阳能电池的大部分研究都与铅-卤化物钙钛矿混合材料有关。然而,人们正不断努力寻找具有类似或更好特性的替代化合物,想要消除铅对环境的影响,而迄今为止,这种化合物一直难以获得。因此寻找具有适当带隙范围的无铅材料是很重要的,如果将它们结合起来,就可以利用太阳光谱的不同波长进行发电。这将是提高未来太阳能电池效率降低成本的关键。近期,牛津大学的光电与光伏器件研究组的HenrySnaith教授与Benjamin Putland博士研究了具有A2BB’X6双钙钛矿结构的新型无机无铅光伏材料。经过计算该材料具有2 eV的带隙,可用做光伏电池的层吸光材料与传统Si基光伏材料很好的结合,使光电转换效率达到30%。与有机钙钛矿材料相比,无机钙钛矿材料具有结构稳定使用寿命更长的优势。而这种新材料的制备存在一个问题,由于前驱体组分的不溶性和复杂的结晶过程容易导致非目标性的晶体生长,因此难以通过传统的水溶液法制备均匀的薄膜。Benjamin Putland博士采用真空蒸发使这些问题得以解决。使用Moorfield Nanotechnology的高质量金属\有机物热蒸发系统,通过真空蒸发三种不同的前驱体,研究人员成功沉积制备出了所需要的薄膜。真空蒸发具有较高的控制水平和可扩展性,使得材料的工业化制备成为可能。所制备的薄膜在150℃退火后,XRD图。所制备的薄膜在150℃退火后,表面SEM图 三、Moorfield 薄膜制备与加工系统简介Moorfield Nanotechnology是英国材料科学领域高性能仪器研发公司,成立二十多年来专注于高质量的薄膜生长与加工技术,拥有雄厚的技术实力,推出的多种高性能设备受到科研与工业领域的广泛好评。高精度薄膜制备与加工系统 – MiniLab旗舰系列和nanoPVD台式系列是英国Moorfield Nanotechnology公司经过多年技术积累与改进的结晶。产品的定位是配置灵活、模块化设计的PVD系统,可用于高质量的科学研究和中试生产。设备的功能和特点:▪ 蒸发设备:热蒸发(金属)、低温热蒸发(有机物)、电子束蒸发▪ 磁控溅射:直流&射频溅射、共溅射、反应溅射▪ 兼容性:可与手套箱集成、满足特殊样品制备▪ 其他功能设备:二维材料软刻蚀、样品热处理▪ 设备的控制:触屏编程式全自动控制

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  • 【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    【原创大赛】薄膜的物理气相沉积——溅射法

    溅射制膜的过程:气体辉光放电、等离子体、靶、溅射、沉积到衬底(一)与蒸发法相比,溅射沉积的主要特点:①沉积原子能量高,因此薄膜的组织更致密,附着力也可以得到明显改善;②制备合金膜时,其成分的控制性能好;③靶材可以是极难熔的材料;④可利用反应溅射技术,从金属无素靶材制备化合物薄膜;⑤由于被沉积的原子均携带有一定的能量,因而有助于改善薄膜对于复杂形状表面的覆盖能力,降低薄膜表面的粗糙度。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151100_555534_2989334_3.jpghttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(二)溅射沉积分类主要的溅射方式可以根据其特征分为四种:(1)直流溅射;(2)射频溅射;(3)磁控溅射;(4)反应溅射。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151102_555536_2989334_3.jpg图1 不同溅射方法的靶电流密度和靶电压的比较http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(1)直流溅射直流溅射又称为阴极溅射或二极溅射图2直流溅射沉积装置示意图,其典型的溅射条件为:工作气压10Pa,溅射电压3000V,靶电流密度0.5mA/cm2,薄膜的沉积速率低于0.1μm/min直流溅射过程中常用Ar作为工作气体。工作气压是一个重要参数,它对溅射速率以及薄膜的质量都有很大影响直流溅射设备的优点和缺点:优点:简单缺点:使用的气体压力高,溅射速率较低,这不利于减小气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151105_555538_2989334_3.jpg图2直流溅射沉积装置示意图http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif(2 )射频溅射直流溅射要求靶材有较好的导电性,可以很大方便地沉积各类合金膜。对于导电性很差的非金属材料的溅射,我们需要一种新的溅射方法—射频溅射。射频溅射是适于各种金属和非金属材料的一种溅射沉积方法射频场对于靶材的自偏压效应。在衬底或薄膜本身是绝缘体的情况下,采取对其施加一个射频电压的方法,也可以起到对其施加负偏压的作用。(3)磁控溅射相对于蒸发沉积来说,一般的溅射沉积方法具有两个缺点。第一,溅射方法沉积薄膜的沉积速度较低;第二,溅射所需的工作气压较高 这两个缺点的综合效果是气体分子对薄膜产生污染的可能性较高。而磁控溅射技术:沉积速度较高,工作气体压力较低。工作原理:磁场对电弧运动有一定的约束作用(绕磁场螺旋前进);(1)电子的电离效率高,有效提高了靶电流密度和溅射效率,(2)较低气压下溅射原子被气体分子散射的几率较小(三)气体放电是离子溅射过程的基础(1)首先介绍直流电场作用下的物质的溅射现象预抽真空,充入适当压力的惰性气体,如Ar气,10-1~10Pa;在正负电极间外加电压的作用下,电极间的气体原子将被大量电离;Ar—→Ar++e,Ar+被电场加速后射向靶材,撞击出靶材原子(分子),靶材原子脱离靶时仍具有一定能量,飞向衬底,电子被电场加速飞向阳极;http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151107_555542_2989334_3.jpg图3直流气体放电体系模型及伏安特性曲线http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif电压进一步增大,发生极板两端电压突然降低,电流突然增大,并同时出现带有颜色的辉光,此过程称为气体的击穿;击穿后气体的发光放电称为辉光放电;这时电子和正离子是来源于电子的碰撞和正离子的轰击,即使自然游离源不存大,放电也将继续下去。而且维持辉光放电的电压较低,且不变,此时电流的增大显然与电压无关,而只与阴极板上产生辉光的表面积有关;正常辉光放电的电流密度与阴极材料和形状、气体种类和压强有关;由于正常辉光放电时的电流密度仍比较小,所以在溅射方面均是选择在非正常辉光放电区工作。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151110_555543_2989334_3.jpg图4示意性地画出了在离子轰击条件下,固体表面可能发生的物理过程http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/07/201507151111_555544_2989334_3.jpg图5所示,不同能量离子与固体表面相互作用的过程不同当离子入射到靶材上时,对于溅射过程来说,比较重要的过程有两个:其一是物质的溅射;其二是二次电子发射:二次发射电子在电场作用下获得能量,进而参与气体分子的碰撞,并维持气体的辉光放电过程。http://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gifhttp://bbs.instrument.com.cn/xheditor/xheditor_skin/blank.gif (四)合金的溅射和沉积用溅射法沉积合金膜,比蒸发法易于保证薄膜的化学配比;溅射过程中入射离子与靶材之间有很大的能量传递。因此,溅射出的原子将从溅射过程中获得很大的动能,其数值一般可以达到5~20eV;一方面,溅射原子具有很宽的能量分布范围,其平均能量约为10eV左右;另一方面,随着入射离子能量的增加,溅射离子的平均能量也有上升的趋势;溅射过程还会产生很少的溅射离子,它们具有比溅射出来的原子更高的能量。能量较低的溅射离子不易逃脱靶表面的鞘层电位的束缚,将被靶表面所俘获而不能脱离靶材;由蒸发法获得的原子动能一般只有0.1eV,两者相差两个数量级;在溅射沉积中,高能量的原子对于衬底的撞击一方面提高了原子自身在薄膜表面的扩散能力,另一方面也会引起衬底温度的升高。

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