单人背包式浅层取样钻机

一、项目基本情况1.项目编号：11000024210200096955-XM001项目名称：自然资源部浅层地热能重点实验室建设设备购置（微生物实验室设备、高功率热响应测试仪、数字测井仪、气质联用仪采购）预算金额：583.81 万元（人民币）最高限价：583.81 万元（人民币）采购需求：包号标的名称采购包预算金额(万元)简要技术需求或服务要求01自然资源部浅层地热能重点实验室建设设备购置（微生物实验室设备、高功率热响应测试仪、数字测井仪、气质联用仪采购）583.81自然资源部浅层地热能重点实验室建设本年度任务是购置先进的实验室检测设备，完善实验室科研设施建设，提升浅层地热能理论研究、现场模拟、测试实验、优化设计、监测预警等方面的科研水平，为浅层地热能地质学理论及方法研究、浅层地热能高效转化及应用研究、浅层地热能利用地质环境影响研究提供支撑。设备清单：货物名称数量单位移液器4套小型冷冻离心机2台台式高速冷冻离心机1 台高速冷冻落地离心机1台体式显微镜1台普通PCR仪1台样品核酸提取仪1台荧光定量PCR仪1台高功率热响应测试仪2台综合数字测井仪11台综合数字测井仪21台 气质联用仪1(含耗材)1台气质联用仪2(含耗材)1台合同履行期限：自合同签订之日起至2024年12月31日止本项目不接受联合体投标。2.项目编号：11000024210200096956-XM001项目名称：自然资源部浅层地热能重点实验室建设设备购置（微生物实验室设备、三重串联液质联用仪采购）预算金额：613.08 万元（人民币）最高限价：613.08 万元（人民币） 采购需求：包号标的名称采购包预算金额(万元)简要技术需求或服务要求01自然资源部浅层地热能重点实验室建设设备购置(微生物实验室设备、三重串联液质联用仪采购)613.08自然资源部浅层地热能重点实验室建设本年度任务是购置先进的实验室检测设备，完善实验室科研设施建设，提升浅层地热能理论研究、现场模拟、测试实验、优化设计、监测预警等方面的科研水平，为浅层地热能地质学理论及方法研究、浅层地热能高效转化及应用研究、浅层地热能利用地质环境影响研究提供支撑。设备清单：序号货物名称数量单位1 小型离心机2台2大容量低温离心机1台3微生物膜过滤系统1台4厌氧培养箱1台5细胞破碎仪1台6菌落计数器1台7倒置显微镜1 台8倒置荧光显微镜1台9控温培养摇床1台10旋涡混合器4台11多用途切向流过滤系统1台12小型垂直电泳系统2台13多功能生物分子成像仪1台14 高内涵分析仪1台15小型核酸电泳系统2台16梯度PCR仪1台17三重串联液质联用仪1台合同履行期限：自合同签订之日起至2024年12月31日止本项目不接受联合体投标。二、获取招标文件时间：2024-09-05 至 2024-09-12 ，每天上午09:30至11:30，下午13:30至16:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：北京市政府采购电子交易平台 http://zbcg-bjzc.zhongcy.com/bjczj-portal-site/index.html#/home方式：本项目采用电子化与线下流程结合招标方式，相关操作如下：（1）办理CA认证证书(北京一证通数字证书)，详见北京市政府采购电子交易平台(hhttp://zbcg-bjzc.zhongcy.com/bjczj-portal-site/index.html#/home)查阅“用户指南”一“操作指南”一“市场主体CA办理操作流程指引”，按照程序要求办理。（2）于北京市政府采购电子交易平台“用户指南”一“操作指南”一“市场主体注册入库操作流程指引”进行自助注册绑定。(3）招标文件获取方式:供应商按照规定办理CA数字认证证书(北京一证通数字证书)后，自招标公告发布之日起持供应商自身数字证书登录北京市政府采购电子交易平台免费获取电子版招标文件。（4）未按上述获取方式和期限下载招标文件的投标无效。证书驱动下载：(1)于北京市政府采购电子交易平台“用户指南”一“工具下载”一“招标采购系统文件驱动安装包”下载相关驱动。(2)CA认证证书服务热线010-58511086(3)电子营业执照服务热线400-699-7000(4)技术支持服务热线010-86483801售价：￥0 元，本公告包含的招标文件售价总和三、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名 称：北京市地质矿产勘查院(本级)　　　　　地址：北京市海淀区西四环北路123号　　　　　　　　联系方式：张老师,010-51560455　　　　　　2.采购代理机构信息名 称：华夏林达咨询有限公司　　　　　　　　　　　　地　址：北京市丰台区富丰路4号工商联大厦A座10层1002　　　　　　　　　　　　联系方式：关鑫、王悦、林原，010-60716601-8002、17648286786　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：关鑫、王悦、林原电　话：　　010-60716601-8002、17648286786

TOF-SIMS在半导体领域有着广泛的应用，如表面痕量金属的检测和定量、工艺过程的有机污染、超浅层深度剖析、超薄介电层分析、界面/bond pad/test pad的分析等等。TOF-SIMS技术的性能优势主要体现在高质量分辨率、高质量精度和良好的数据速率等方面。另外，低能量、小束斑、高电流的新型双束离子溅射源可以实现溅射快、精度高的深度分析，深度分辨＜1nm。且TOF-SIMS技术无需复杂的样品前处理，可以对样品进行直接测试。本文主要分享半导体器件的浅层、薄层、界面的深度分析的应用案例。（表面的痕量金属的检测和定量、表面污染检测等方面的分析测试案例请参考之前的推文。）一、包埋500nm深度处的多膜层深度分析Profiling Conditions: sputtering Cs 2 keV, 45°, analysis Bi 25 keV, 50 kHz interlacedSpeed: 2 µ m in 1200 s, 3 datapoints per s, 1.7 nm/s (102 nm/min), 0.5 nm per datapoint二、N, C, O, 和 Cl离子注入的深度分析三、浅层注入的深度分析四、SiGe Testpad中B注入的深度分析Analysis Beam：Bi1 @ 15 keV， 1 pA，35 x 35 µ m2Sputter Beam：O2 @ 500 eV， 90 nA，200 x 200 µ m2Total time for analysis including pad alignment: ≈15 min五、SiCP Testsample的深度分析Analysis Beam：Bi1 @ 15 keV， 8 pA，50 x 50 µ m2Sputter Beam：O2 @ 500 eV，80 nA，200 x 200 µ m2Total time for analysis: ≈10 min六、GaAs/InGaP多膜层深度Analysis Beam：Bi1 @ 15 keV， 7 pA，00 x 100 µ m2Sputter Beam：Cs @ 1000 eV，100 nA，300 x 300 µ m2Total time for analysis: ≈20 min关注公众号“IONTOF-CHINA”，更多TOF-SIMS案例分享和实际应用技术解读。

项目编号：11000022210200018513-XM001项目名称：自然资源部浅层地热能重点实验室建设项目量子力级激光红外光谱仪购置预算金额：320 万元（人民币）采购需求：序号设备名称数量单位是否允许进口产品投标1量子力级激光红外光谱仪1台是合同履行期限：签订合同后3个月内完成交货，仪器到达用户所在地后, 在接到用户通知后1周内执行免费安装调试直至达到验收指标。每台仪器的安装调试-验收期不长于10个工作日。本项目不接受联合体投标。