硅太阳电池性能测试系统

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硅太阳电池性能测试系统相关的厂商

  • CROWNTECH,INC.美国颐光科有限公司,成立于1997年(美国),是一家集产品研发、制造和销售光电设备(IPCE,IV测试),与光学系统有关的设备为一体的高新技术企业。颐光科技凭借雄厚的光电技术知识和行业经验,秉承对科研事业真实严谨的无限追求,始终把客户需求摆在首位。针对每一位客户的需求,个性化量身定制。针对不同类型太阳能电池(光电材料)提出最完善的测试方案。和对客户终身技术支持。我们的设备在多家权威测量机构、科研院所、知名高校、重点实验室都有使用,并且得到用户的广泛好评。“精准测试,带来可靠数据。为使用者提供最全面专业的太阳电池测试咨询和解决方案。”
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  • 400-860-5168转3181
    上海瞬渺光电技术有限公司(“简称”瞬渺技术”)系注册于上海市级工业开发区,国家级高新技术区,在全球设有 4 个分支机构。瞬渺科技(香港)有限公司(简称“瞬渺香港”)系注册于香港,系上海瞬渺光电技术有限公司关联子公司。公司现有员工 35 人,所有员工拥有本科、硕士、博士学历。初步形成了一支经验丰富、服务意识出众的工作团队。公司自成立以来,一直秉承“实事求是,热心服务”的宗旨,倾力于配合国内、国际招投标光电相关项目的合作,汇聚多方面优秀人才,全心全意为客户提供一流服务。面对未来,公司全体员工充满信心,并将坚定不移地为打造一个诚信务实、创新高效的过硬企业品牌而奋勇拼搏。我们的客户遍及世界 30 多个国家和地区,在国内著名研究所和高校以及企事业也有着广泛的应用。在中国光伏领域具有较高市场占有率。公司多次各院校及研究所采购招标活动中中标,中标后我公司都能信守承诺,保质保量,按时交货,做好售后服务,得到了广大客户的认可。光伏行业成功客户瞬渺科技的服务覆盖了售前、售中和售后全过程。有专门的技术应用队伍和维修部门。专注光伏研发测试,服务光伏领域,与光伏产业共创辉煌!我们致力于太阳能电池单片及组件相关测试技术与设备推广,竭力服务光伏产业。我们是中国光伏测试行业最专业、最权威的领导者之一。 我们提供的产品有台阶仪、少子寿命仪、碳氧分析仪、反射仪、椭偏仪、四探针测试仪、PN类型测试仪、单片太阳电池测试仪、太阳电池组件测试仪、太阳电池光谱响应分析仪及红外太阳能电池组件缺陷EL检测仪等。 依据IEC61215,IEC61646,IEC61730,UL1703,IEC62108,IEEE1513等法规,我们为客户提供全套的太阳能光伏产品测试解决方案,从生产线在线测试到整个光伏实验室测试,太阳能电池组件整条生产线设备,以及新建太阳能电池工厂的规划咨询、新建实验室的规划咨询、TUV认证、UL认证、欧洲市场开拓等方面服务,同时我们也是中国目前唯一一家能够有实力提供这些服务的专业公司。 我们是德国WEP、美国sinton instruments、美国CDE、美国PVM、美国MVS在中国的战略合作伙伴,中国大陆地区一级代理商。 我们的产品不仅深得苏州UL光伏实验室、上海TUV光伏实验室、上海Intertek光伏实验室、中国信息产业部、中国科学院华东光伏检测中心、天津十八所等检测机构厚爱,更被常熟阿特斯、保定天威英利、扬州晶澳、上海电气等知名光伏厂家广泛使用。
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  • 深圳市新威尔电子有限公司成立于1989年,是一家专业的电池检测设备制造商,致力于提供全方位的电池检测系统的高新 技术企业。 公司自成立伊始,始终坚持“技术创新,真诚服务”的经营方针,不断开拓进取,推陈出新,研发出了应用于各类电池检 测领域的测试产品,包括高精度电池测试仪、电池化成分容柜、大功率动力电池化成分容检测设备及高精端内阻仪等。 深圳新威尔电池检测产品遍及全国各地以及出口到欧美等多个国家和地区,广泛的应用于国内外电池生产厂家、电池应用企业及各大专院校、研究所和质检部门。服务的大客户群:深圳比克、天津比克,比亚迪、珠海银通 洛阳中行锂电 国光、哈尔滨光宇、优科能源、GP、TCL、迈科、东莞新能源(ATL). 台湾必翔(BTS-5V1000A)、雷天动力电池(BTS-5V50A)、海霸集团 长城集团 奇瑞 江苏双登集团 中强集团 合肥国轩(BTS- 5V100A)、杭州万向 宁波维科(BTS-5V20A)、杭州万马(BTS-20V5)、德赛、富士康等等;清华大学、复旦大学、北京大学、武汉大学、武汉理工大学、哈尔滨工业大学、重庆大学、天津大学、郑州轻工业学院、昆明理 工大学、西安建筑科技大学、厦门大学、华南师范大学、湖南大学等。
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硅太阳电池性能测试系统相关的仪器

  • 太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的:光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括:单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括:单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池,在测试过程中会有细节上的差异。比如说:有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段,而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段;单晶硅电池通常需要测内量子效率,而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率;有机太阳电池测试通常不需要加偏置光,而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光……SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配,可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式,适合科研用户建立测试平台。 选型列表:型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件,150W氙灯QE-A2偏置光附件,50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池(单晶硅)QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm,含标定证书)QE-B3标准硅探测器(300-1100nm,含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm,含标定证书)QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源(±10V可调)QE-C2漫反射率测试附件(300-1700nm)QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率,但本身却不是光电测量方面的行家,卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上,进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置,方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;内外量子效率测量功能;快速导入参数功能;适用于科研级别小样品测试适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 单结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度; 可测样品面积: 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;高度自动化测量;双光源设计;红外光谱范围扩展;薄膜透过率测试功能;小面积、大面积样品测试均适用;适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度; 可测样品面积: 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围: 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围: 300~1100nm 电池结构: 单结太阳电池 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积: 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统;大面积薄膜电池测试专用;超大样品室,光纤传导;背面电极快速连接;反射率、内外量子效率同步测试;快速高效售后服务。适用范围: 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm ; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度; 可测样品面积: 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案;直流测量模式;低杂散光暗箱;电解池样品测试附件;经济型价格适用范围: 染料敏化太阳电池; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 光电化学相关的纳米晶太阳电池; 可测参数: IPCE; 可测样品面积: 50mm×50mm
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  • 太阳能电池量子效率测试系统——SolarCellScan100系列系统功能系统可以实现测试太阳电池的:光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度、量子效率Mapping、反射率Mapping。系统适用范围1、适用于各种材料的太阳电池包括:单晶硅Si、多晶硅mc-Si、非晶硅α-Si、砷化镓GaAs、镓铟磷GaInP、磷化铟InP、锗Ge、碲化镉CdTe、铜铟硒CIS、铜铟镓硒CIGS、染料敏化DSSC、有机太阳电池Organic Solar Cell、聚合物太阳电池Polymer Solar Cell 等2、适用于多种结构的太阳电池包括:单结Single junction、多结multi junction、异质结HIT、薄膜thin film、高聚光HPV 等不同材料或不同结构的太阳电池,在测试过程中会有细节上的差异。比如说:有机太阳电池的测试范围主要集中在可见光波段,而GaAs 太阳电池的测试范围则很可能扩展到红外1.4um 甚至更长波段;单晶硅电池通常需要测内量子效率,而染料敏化太阳电池通常只需要测外量子效率;有机太阳电池测试通常不需要加偏置光,而多结非晶硅薄膜电池则需要加偏置光… … SolarCellScan100 通过主机与各种附件的搭配,可以实现几乎所有种类电池的测试。这种模块化搭配的方式,适合科研用户建立测试平台。 选型列表:型号名称和说明主机SCS1011太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯光源SCS1012太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯光源SCS1013太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,溴钨灯光源SCS1014太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,溴钨灯光源SCS1015太阳能电池量子效率测量系统,含直流、交流测量模式,氙灯溴钨灯双光源SCS1016太阳能电池量子效率测量系统,含直流测量模式,氙灯溴钨灯双光源附件QE-A1偏置光附件,150W氙灯QE-A2偏置光附件,50W溴钨灯QE-B1标准太阳电池(单晶硅)QE-B1-SP标准太阳电池QE-B2标准铟镓砷探测器(800-1700nm,含标定证书)QE-B3标准硅探测器(300-1100nm,含标定证书)QE-B4标准铟镓砷探测器(800-2500nm,含标定证书)QE-B7透过率测试附件(300-1100nm)QE-B8透过率测试附件(800-1700nm)QE-BVS偏置电压源(±10V可调)QE-C2漫反射率测试附件(300-1700nm)QE-C7标准漫反射板QE-D1二维电动调整台QE-D2手动三维调整台QE-IV-Convertor短路电流放大器专用机型介绍系统功能部分太阳能应用方向的研究人员需要测量量子效率,但本身却不是光电测量方面的行家,卓立汉光在测量平台SolarCellScan100的基础上,进一步开发出以下几套极具针对性的专用机型配置,方便客户使用。以下的专用配置也适合产业化的工业客户使用。1、通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Std系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;内外量子效率测量功能;快速导入参数功能;适用于科研级别小样品测试适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池等; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 单结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、短路电流密度; 可测样品面积: 30mm×30mm 2.通用型太阳电池QE测试系统SCS100-Exp系统特点符合IEC60904-8国际标准;测量结果高重复性;高度自动化测量;双光源设计;红外光谱范围扩展;薄膜透过率测试功能;小面积、大面积样品测试均适用;适用范围: 晶体硅电池、非晶硅薄膜电池、染料敏化电池、有机薄膜电池、CdTe薄膜电池、CIGS薄膜电池、三结砷化镓GaAs电池、非晶/微晶薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、内量子效率、反射率、透射率、短路电流密度; 可测样品面积: 156mm×156mm以下 3.晶体硅太阳电池测试专用系统 SCS100-Silicon系统特点集成一体化turnkey系统晶体硅电池测试专用内外量子效率测试快速Mapping扫描功能快速高效售后服务适用范围: 单晶硅电池、多晶硅电池 光谱范围: 300~1100nm 电池结构: 单结太阳电池 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、内量子效率、短路电流密度、*量子效率Mapping、*反射率mapping 可测样品面积: 156mm×156mm 4.薄膜太阳电池QE测试专用系统 SCS100-Film系统特点集成一体化turnkey系统;大面积薄膜电池测试专用;超大样品室,光纤传导;背面电极快速连接;反射率、内外量子效率同步测试;快速高效售后服务。适用范围: 非晶硅薄膜电池、CIGS薄膜电池、CdTe薄膜电池、非晶/微晶双结薄膜电池、非晶/微晶/微晶锗硅三结薄膜电池等; 光谱范围: 300~1700nm ; 电池结构: 单结、多结太阳电池; 可测参数: 光谱响应度、外量子效率、反射率、透射率、内量子效率、短路电流密度; 可测样品面积: 300mm×300mm 5.光电化学太阳电池测试专用系统 SCS100-PEC系统特点光电化学类太阳电池专用配置方案;直流测量模式;低杂散光暗箱;电解池样品测试附件;经济型价格适用范围: 染料敏化太阳电池; 光谱范围: 300~1100nm; 电池结构: 光电化学相关的纳米晶太阳电池; 可测参数: IPCE; 可测样品面积: 50mm×50mm
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  • SolarIV系列太阳能电池伏安特性测试系统在太阳能光伏器件的所有特性表征手段中,I-V 特性测试无疑是最直观、最有效、最被广泛应用的一种方式。通过测量I-V 特性曲线,并进一步进行数据处理与分析,可以直接交接到光伏器件的主要物理性能,包括光电转换效率、短路电流、开路电压和填充因子等。这些数据可以为光伏器件的研究、质检以及应用提供可靠的依据。卓立汉光提供高性价比的I-V 特性测试系统,并提供最完善、最专业的技术支持。 SolarIV系列太阳能电池伏安特性测试系统主要功能: 测量太阳能电池在光照条件和暗场条件下的I-V曲线 测量太阳能电池短路电流、短路电流密度、开路电压、*大功率、*大功率电流、*大功率电压、填充因子、光电转换效率 可实现正反向调速扫描与暗电流扣除功能 标准太阳电池校准功能SolarIV系列太阳能电池伏安特性测试系统主要特点: 完整I-V特性测试和数据处理分析的解决方案 多种太阳模拟器选型,满足不同测试需求 可更换照射方向,适配多种测试环境 使用高精度数字源表,提供精确测量结果 测试方法符合IEC国际标准 最小化探针阴影,提高测量精度 温度控制功能,符合IEC标准测试条件 真空吸附功能,样品固定更为方便 图形化界面,软件操作更加方便 支持ASCII、Excel、XML等多种格式数据导出 报表打印功能,自动生成完整测试报告SolarIV系列太阳能电池伏安特性测试系统选型规格与附件1.系统选型表系统名称系统说明SolarIV-150A 150W AAA太阳能电池I-V特性测试系统150W AAA级太阳光模拟器、Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2) SolarIV-150 150W ABA太阳能电池I-V特性测试系统 150W AAA级太阳光模拟器、Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2) SolarIV-500A 500W AAA太阳能电池I-V特性测试系统500W AAA级太阳光模拟器、Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2) SolarIV-500 500W ABA太阳能电池I-V特性测试系统500W ABA级太阳光模拟器、Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2) SolarIV-1000A 1000W AAA太阳能电池I-V特性测试系统1000W AAA级太阳光模拟器、Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2) SolarIV-1000 1000W ABA太阳能电池I-V特性测试系统1000W ABA级太阳光模拟器Keithley 2400数字源表(IV-2400) 伏安特性测试专用分析软件(IV-Software) 标准太阳电池(QE-B1)、样品台(IV-F2)2.系统规格系统名称辐照面积(mm) *大辐照度(W/m2) 电流量程(A) 电压量程(V) 光谱匹配度不均匀度(%) 不稳定度(%) SolarIV-150A 40×40 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配2% A级2% A级SolarIV-150 50×50 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配5% B级2% A级SolarIV-500A 75×75 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配2% A级2% A级SolarIV-500 100×100 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配5% B级2% A级SolarIV-1000A 100×100 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配2% A级2% A级SolarIV-1000 156×156 1200 0-1A 0-20V AM 1.5G A级匹配5% B级2% A级 2.系统型号型号说明Sirius-SS150A 150W AAA级太阳模拟器,40mm×40mm有效辐照面积,向上出光Sirius-SS150 150W ABA级太阳模拟器,50mm×50mm有效辐照面积,向上出光Sirius-SS150A-D 150W AAA级太阳模拟器,40mm×40mm有效辐照面积,向下出光Sirius-SS150-D 150W ABA级太阳模拟器,50mm×50mm有效辐照面积,向下出光Sirius-SS150A-L 150W AAA级太阳模拟器,40mm×40mm有效辐照面积,向左出光Sirius-SS150-L 150W ABA级太阳模拟器,50mm×50mm有效辐照面积,向左出光Sirius-SS500A 500W AAA级太阳模拟器,75mm×75mm有效辐照面积Sirius-SS500 500W ABA级太阳模拟器,100mm×100mm有效辐照面积Sirius-SS1000A 1000W AAA级太阳模拟器,100mm×100mm有效辐照面积Sirius-SS1000 1000W ABA级太阳模拟器,156mm×156mm有效辐照面积IV-2400 Keithley 2400数字源表,电流测量量程0-1A,电压输出范围0-20V IV-2440 Keithley 2440数字源表,电流测量量程0-5A,电压输出范围0-40V IV-Software 伏安特性测试专用分析软件QE-B1 标准太阳电池,包含中国计量科院研究院标定证书QE-G5 AM 1.5G太阳光谱校正滤光片
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硅太阳电池性能测试系统相关的资讯

  • 上海微系统所成功开发柔性单晶硅太阳电池技术
    早在上世纪五十年代,美国贝尔实验室的研究者就发明了单晶硅太阳电池,利用单晶硅晶圆实现了太阳光能转换成电能的突破,并成功用于人造卫星,当时的光电转换效率仅有5%左右。近几年,研究人员通过材料结构工程和高端设备开发的协同创新,将单晶硅太阳电池的光电转换效率提高到26.8%,接近理论极限29.4%,制造成本和综合发电成本大幅度下降,在我国大部分地区达到平价上网。同时,单晶硅太阳电池在光伏市场的占有率也上升到95%以上。除了常规太阳电池在地面光伏电站和分布式光伏的大规模应用以外,柔性太阳电池在可穿戴电子、移动通讯、车载移动能源、光伏建筑一体化、航空航天等领域也具有巨大的发展空间,然而目前尚未开发出商用的高效、轻质、大面积、低成本柔性太阳电池满足该领域的应用需求。中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究团队通过高速相机观察发现,单晶硅太阳电池在弯曲应力作用下的断裂总是从单晶硅片边缘处的“V”字型沟槽开始萌生裂痕,该区域被定义为硅片的“力学短板”。根据这一现象,研究团队创新地开发了边缘圆滑处理技术,将硅片边缘的表面和侧面尖锐的“V”字型沟槽处理成平滑的“U”字型沟槽,改变介观尺度上的结构对称性,结合有限元分析、动态应力载荷下的分子动力学模拟和球差透射电子显微镜的残余应力分析,发现单晶硅的“脆性”断裂行为转变成“弹塑性”二次剪切带断裂行为。同时,由于圆滑处理只限于硅片边缘区域,不影响硅片表面和背面对光的吸收能力,从而保持了太阳电池的光电转换效率不变。该结构设计方案可以显著提升硅片的“柔韧性”,60微米厚度的单晶硅太阳电池可以像A4纸一样进行折叠操作,最小弯曲半径达到5毫米以下;也可以进行重复弯曲,弯曲角度超过360度。相关成果于5月24日在《自然》(Nature)杂志发表,并被选为当期的封面文章。论文通讯作者、上海微系统所研究员狄增峰介绍道:“对于具有表面尖锐‘V’字型沟槽的太阳电池硅片断裂行为的认识,启发了研究团队针对硅片边缘区域进行形貌改变,将尖锐‘V’字型沟槽处理成圆滑‘U’字型沟槽,从而让弯曲应变能够有效分散,有效抑制了应变断裂行为,提升了硅片的柔韧性,最终实现了高效、轻质、柔性的单晶硅太阳电池。”论文通讯作者、上海微系统所研究员刘正新介绍道:“由于圆滑策略仅在硅片边缘实施,基本不影响太阳电池的光电转化效率,同时能够显著提升太阳电池的柔性,未来在空间应用、绿色建筑、便携式电源等方面具有广阔的应用前景。”该工作通过简单工艺处理实现了柔性单晶硅太阳电池制造,并在量产线验证了批量生产的可行性,为轻质、柔性单晶硅太阳电池的发展提供了一条可行的技术路线。研究团队开发的大面积柔性光伏组件已经成功应用于临近空间飞行器、建筑光伏一体化和车载光伏等领域。该工作的第一完成单位为中国科学院上海微系统所,第一作者为上海微系统所副研究员刘文柱、长沙理工大学副教授刘玉敬、沙特阿美石油公司博士杨自强和南京师范大学教授徐常清。理论计算与北京航空航天大学副教授丁彬和南京师范大学教授徐常清合作完成。残余应力分析与长沙理工大学教授刘小春和副教授刘玉敬合作完成。高速相机拍摄硅片瞬间断裂过程由阿美石油公司博士杨自强完成。
  • 高性能二维钙钛矿太阳电池制备成功
    近日,中科院大连化学物理研究所研究员刘生忠团队与陕西师范大学教授赵奎合作,在二维Dion—Jacobson(DJ)钙钛矿成膜控制研究中取得新进展,制备出高效率芳香族二维DJ钙钛矿太阳电池。相关研究发表在Advanced Energy Materials上。近年来,二维有机—无机杂化钙钛矿半导体材料凭借其高的环境稳定性和结构多样性,受到研究界广泛关注。该研究中,合作团队利用原位表征手段,实时追踪二维DJ钙钛矿前驱体溶液反应形成固态薄膜的结晶过程,以及其对量子阱生长、电荷传输、太阳电池性能的影响。研究发现,溶液处理过程中,快速提取溶剂可以加快钙钛矿相的成核和生长,避免从中间相到钙钛矿相的间接转变。因此,通过提升薄膜质量、优化量子阱的厚度分布,有利于提高二维钙钛矿太阳电池的电荷传输效率、载流子寿命和迁移率,最终改善电池的短路电流和开路电压,制备出效率为15.81%的器件。据了解,这是目前文献可查的芳香族二维DJ钙钛矿太阳电池的最高效率。该研究对指导DJ钙钛矿实现更加优化的光电性能和器件性能具有重要意义。相关论文信息:https://doi.org/10.1002/aenm.202002733
  • 上海光机所太阳电池阵地面光照设备通过验收
    2011年6月,上海光机所高功率激光单元技术研发中心(光源)研制的太阳电池阵地面光照设备通过了上海811所的现场验收。   验收组对设备技术指标进行了现场测试和检查,对有关技术文件资料进行了审查,并听取了该项目负责人李海兵所作的产品研制总结报告。验收组认为产品性能指标满足任务要求,技术文件资料完整有效,一致同意项目通过验收。   太阳电池阵地面光照设备主要应用于定性模拟卫星在轨运行时的空间光照环境,用来检测光照状态下太阳电池阵功率输出功能的正确性、太阳电池阵电路之间电连接的匹配性、太阳电池阵与供配电分系统连接的匹配性,以及星上负载工作状态输出的正确性。   此前,上海光机所已为航天部门研制开发了多台套同类设备,并已成功应用于卫星电池的地面检测。该套设备交付后将用于相关国际合作项目,进行卫星地面检测和演示工作。

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  • 太阳电池的基本结构与种类

    目前,单晶硅太阳电池的输出电压约为0.6V左右,其最大输出的功率和 太阳电池本身的效率与表面积有关。譬如说一个效率16%、6时的太阳电 池,最大输出功率约为2.5W。一个太阳电池输出电压和输出功率对大部分的 电器产品相对偏低,要和一般用电兼容或配合应用,就将多个太阳电池并联和串联起来形成模块(module),其中串联的功用,是为了提高输出电压,而并联的功用,是为了增加输出功率。同样的道理,若需要再提高模块的输出电压或 输出功率,多个模块并联或串联起来就形成数组(array)系统。而一般太阳能应 用系统(system),不仅只有电池、模块、或数组,还可能包括储电装置(storage devices)、功率调 器(power conditioner)、和安装固定结构(mounting structures),这些接口设备,统称为平衡系统(balance of systems)。下面,我们 就简单地介绍太阳电池的基本结构,了解太阳电池工作原理、制造程序,包括半导体材料。 在不同的材料和制造工艺程序下,会产生不同结构的太阳电池。但归纳而言,太阳电池最基本的结构可分为基板、p-n二极管、抗反射层、和金属电极 四个主要部分。基板(substrate)是太阳电池的主体,p-n二极管是光生伏特效应 的来源,抗反射层乃在减少入射光的反射来增强光电流,金属电极则是连接器件和外部负载。 所谓ingot-based的太阳电池是使用芯片(wafer) 当基板,芯片本身就是光生伏特的作用区。因为是用芯片作基板,一般就使用扩散(diffusion)工艺技 术,在p-型芯片上进行n-型扩散,或在n-型芯片上进行p-型扩散,形成p-n二极管。单晶娃和多晶硅太阳电池都是ingot-based,其芯片是由硅ingot切割而 得。工业界使用的太阳电池硅芯片,大都是p型。当然硅芯片的制造,不一定 非由ingot切割不可,也有其它特殊的方式,如ribbon或sheet制造方式。 薄膜太阳电池则可以使用玻璃、塑料、陶瓷、石墨,金属片等不同材料当基板,非晶或多晶薄膜光生伏特器件则沉积在基板上,基板本身并不参与光生 伏特作用。在薄膜太阳电池制造上,可使用各式各样的沉积技术,一层又一层 地把P-型或n-型材料沉积上去。常见的薄膜太阳电池有非晶硅、CUInSe2 (CIS)、CuInGaSe2 (CIGS)、和CdTe薄膜。随着薄膜技术的发展, microcrystalline,甚至nanocrytalline硅薄膜也被研究开发。薄膜太阳电池大优点就是生产成本较低,但其效率和稳定性较差。 III-V族(如GaAs、InP、GaN)太阳电池,则是使用不同的外延(epitaxy) 技术,如 metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD),或 molecular beam epitaxy (MBE)方法,将p-型和n-型晶体直接长在芯片基板上,而基板本身通 常也不参与光生伏特作用。这样的epitaxy方式生长晶体的优点,使得电池结构 多样化,例如:异质结、多结、量子井、量子点、和超晶格等结构。正因如此,III-V族太阳电池通常具有较高的效率,但其生产成本也相对的偏高。 太阳电池的光照面一般都会有抗反射层或texture结构,来减少入射阳光的反射。如果没有的话,入射阳光会有约30%的反射损失,这对太阳电池而言足是相当严重的。晶硅太阳电池一般是使用氮化硅(SiN)来形成抗反射层,它不仅 能有效地减少入射光的反射,而且还有钝化(passivation)的作用,甚至能保 护太阳电池,有防刮伤、防湿气等功能。除了使用抗反射层外,一般单晶硅太 阳能电池,期光照的表面都会先经过texture处理,来更进一步地减少入射阳光 的反射。这个texture处理,会在表面形成大小不等的金字塔(pyramid)结构, 让入射光至少要经过芯片表面的二次反射,因此就大大地降低了入射光经过第 一次反射就折冋的几率。需要注意的是,因texture金字塔的大小约儿个um, 而一般n-型扩散的深度只有0.5um作用,所以二极管实际上是形成于textur金字塔的表面。[url=http://www.hyxyyq.com][color=#ffffff]手持万用表[/color][/url][url=http://www.hyxyyq.com][color=#ffffff]http://www.hyxyyq.com[/color][/url] 太阳电池需要金属电极一层来连接外部的电路。通常,光入射的表面有二条平行条状金属电极来提供外界连接的焊接处。背表面通常会全部涂上一层所谓的back surface field (BSF)金属层,在光入射的表面,会从条状金属电极,伸展出 一列很细的金属手指(finger)。BSF金属层可以增加载流子的收集,还可回收没 有被吸收的光子。金属finger的设计,除了要能有效地收集载流子,而且要尽 量减少金属线遮蔽入射光的比例,因光照面的金属线通常会遮蔽3〜 5%的入射 光。太阳电池金属电极用的材料通常是铝和其它金属的合金,但在薄膜太阳电池中,为了实现一体成型(monolithically)的要求,上层金属电极则会使用透明导电的氧化物 transparent conducting oxide (TCO)。 必须注意的是,有别于一般平板(flat plate)模块的结构,太阳电池还可以 使用额外的聚光器(concentrator)来增加入射光的强度。聚光器可以是一般透 镜,或是特殊结构的Fresne透镜,或者甚至是Fresnel zone plate。聚光器的使 用,可以大幅度地提高系统光照的有效面积。但是,聚光器要求太阳电池的正 射,因此应用上必须配合tracking系统。

  • 柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究 求助论文

    [align=center][b]柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究陈宇华中科技大学[/b][/align]摘要:[color=#666666]随着能源问题的日益突出,近年来太阳电池光伏发电技术发展迅猛。聚合物衬底柔性薄膜太阳电池凭借其耗材少、成本低、可卷曲(柔性)、重量比功率高、轻便等特点成为当前太阳电池研究领域的热点。 聚酰亚胺(PI)膜具有耐高温等优点,被本研究选作了柔性衬底材料。针对聚合物材料光透过率普遍偏低的情况,本研究设计了“柔性衬底/Al底电极/N/I/P/TCO(透明导电薄膜)”的倒结构柔性太阳电池,并制定了相应的工艺制备方案。 PI膜在高温200℃以上存在气体释放现象,本研究提出了PI膜的预烘(prebake)工艺,以解决PI膜高温释放气体问题,并通过实验确定了最佳的预烘工艺条件。在此基础上,为了保证沉积在PI膜上的Al底电极不掉膜不脱落,本研究探索了制备高电导、良好附着性的Al底电极的工艺。 本研究通过在PECVD沉积非晶硅薄膜的过程中通入CH4来制备宽带隙a-SiC:H薄膜作为电池窗口层以提高电池的性能,研究优化了其制备工艺条件。同时研究了获得高光暗电导比(δph/δd>105)的本征非晶硅层的制备工艺以及获得高暗电导的N型非晶硅膜... [/color]更多[url=https://kns.cnki.net/kcms/detail/detail.aspx?dbcode=CMFD&dbname=CMFD2010&filename=2009228005.nh]柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的研究 - 中国知网 (cnki.net)[/url]

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