宽带隙小型深紫外光致发光仪

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宽带隙小型深紫外光致发光仪相关的厂商

  • 400-668-7609
    哈希公司(HACH)成立于1947年,总部位于美国科罗拉多州的Loveland市,是水质分析解决方案的提供商。工厂分别位于美国、德国、瑞士、法国和英国,并也在中国建立了生产基地。 作为水质、水文监测仪器的水质仪器供应商,哈希公司产品被用户广泛应用于半导体超纯水、制药/电力及其他工业净水、饮用水、地下水、地表水、市政污水、工业污水等领域,其全线产品系列涵盖实验室定性/定量分析、现场分析、流动分析测试、在线分析测试。产品具有测量精确、运行可靠、操作简单、低维护量,结构紧凑等特点。哈希公司一直致力于使化学分析过程更方便、更迅捷、更可靠。尤其是各类包装的即开即用型化学试剂包,不仅为精确的化学分析提供了可靠的质量保障,也为用户节约了宝贵的时间和人力资源。 为了更贴近中国市场,更好的满足中国用户的需求,也为了帮助越来越多的国内用户解决他们在水质监测领域所遇到的问题,哈希公司已经开始了产品本地化的工作,在保证产品质量的同时减少了众多复杂的工作环节,从而使更多的客户可以使用到哈希公司的高质量产品。哈希公司非常注重中国用户的需求,目前专为中国市场量身定做的CODmax铬法COD分析仪、1900C便携式浊度仪和DR1010 COD测定仪等产品以其产品技术与高质量受到了广大用户的青睐。本地化的生产越来越方便客户,使得产品的交货期缩短并可以享受到便捷及时的售后服务支持。 我们的目标是继续为广大用户提供可靠的仪器、测试方法、简单的操作步骤和更好的客户服务,不断地提高产品的质量以满足客户需求不断变化的需要。目前公司已经在北京、上海、广州和重庆等地设立了办事处,以便为中国的广大客户提供方便、周到、及时的服务。
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  • 华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发,为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度,红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品,所有产品均具备自主产权,同时产品通过欧盟CE质量安全认证,完全满足严苛条件下的工业加工要求,是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作,为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 以色列Ofil紫外成像仪是光学和数字紫外线检测和成像技术的世JIE领XIAN制造商。成立于1993年,总部在以色利。Ofil紫外成像仪开发和销售创新解决方案,这些解决方案正在全球范围内用于监测电气装置和环境危害。我们的数字检测系统对于电气故障的诊断、预防和预测是不可或缺的。我们的紫外线偏振系统有助于绘制海上溢油扩散图并控制其清洁效果。Ofil紫外成像仪利用其紫外线光学专有技术,不断开发紫外线增强成像解决方案,以应对全球电网不断变化的需求。多年来,Ofil以其创新、高质量和快速响应的方法赢得了全球的认可。DayCor?系列产品提供以下解决方案:电力设施的维修操作电动列车的预测性维修操作以色列Ofil紫外成像仪介绍石油化工电网部件制造商高压实验室和研究所用于国土安全的紫外线信号检测环境组织的漏油监测
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宽带隙小型深紫外光致发光仪相关的仪器

  • 仪器简介: 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL(光致荧光)光谱仪;MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源,配合独特的光路设计,采用高灵敏度PMT作为探测器件,并通过仪器内置的门闸积分平均器(Boxcar)进行数据处理,实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等,不仅可用于科研领用,更可用在半导体LED产业中的品质检测。技术参数:主要规格特点:■ 采用5.5(224nm)或5.0 eV(248.6nm)深紫外激光器■ 室温PL光谱测量范围:190~650nm(标准),190~850nm(选配)■ 高分辨率:0.2nm(@1200g/mm光栅,标配),0.07nm(@3600g/mm光栅,选配)■ 门闸积分平均器(Boxcar)进行微弱脉冲信号的检测■ 可实现量子效率测量■ 基于LabView的界面控制■ 光谱分析软件可获得光谱带宽、峰值波长、峰值副瓣鉴别、光谱数据运算、归一化等■ 最大可测量50mm直径样品,样品可实现XYZ三维手动调整(标准)■ 可选配自动样品扫描装置,实现Mapping功能■ 可用于紫外拉曼光谱测量■ 高度集成化,体积:15 × 18 × 36cm,重量:8kg主要特点: 光致荧光光谱测量是半导体材料特性表征的一个被普遍认可的重要测量手段。MiniPL为模块化设计、计算机自动控制的高灵敏度、宽带隙小型PL(光致荧光)光谱仪;MiniPL采用Photon Systems公司自行研发的深紫外激光器224nm(5.5eV)或248.6nm(5eV)作为激发光源,配合独特的光路设计,采用高灵敏度PMT作为探测器件,并通过仪器内置的门闸积分平均器(Boxcar)进行数据处理,实现微弱脉冲信号的检测。MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成组分分析、带隙分析等,不仅可用于科研领用,更可用在半导体LED产业中的品质检测。
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  • 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点: 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询;**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长:325nm,功率:20mW,制冷机最低制冷温度:10K ZnO材料的PL谱: 激发波长:325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带,而在500 ~ 600nm 波段,有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带,可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。
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  • Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打:010-56370168-601 性能特点:● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校,确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换,适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间,可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项,请详细咨询; **需根据实际需要进行配置确定。产品简介: 光致发光(photoluminescence) 即PL,是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光,在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光(波长如325nm、532nm、785nm 等)激发材料(如GaN、ZnO、GaAs 等)产生荧光,通过对其荧光光谱(即PL 谱)的测量,分析该材料的光学特性,如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息,是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法,因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合,但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中,存在很大的局限性,比如无法灵活的选择实验所需的激光器(特别对于UV 波段的激光器,没有足够适用的配件),无法方便的与超低温制冷机配合使用,采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题,都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求,推出了“Flex One( 微光)”系列显微光致发光光谱仪,有效的解决了上述问题,是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考,以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分:紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分:优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分:影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分:xyz三维可调样品台(手动或自动)、超低温样品台参数规格表:主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm,405nm,442nm,473nm,532nm,633nm,785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*:以上为基本规格,详细规格依据不同配置的选择会有差异,详情请咨询!InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件:325nm激发,功率30mW● 光谱范围:340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下,GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带,InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极,电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射,测量其电致发光光谱曲线如下(红色),峰值在475nm 附近。
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宽带隙小型深紫外光致发光仪相关的资讯

  • 深紫外激光源研究:推倒200nm上的一堵墙
    激光技术的发展让人类的视野不断拓宽。但多少年来,波长小于200nm的深紫外波段,一直是个神秘又难以逾越的坎。   200nm上的这堵“墙”把人类挡在了外面。由于深紫外激光源的缺席,许多重要的科学研究只得搁置。   但中科院的一群科学家不能接受这样的现实。30年来,他们不但找到了深紫外光学材料和激光源,还研制出8台深紫外固态激光源装备。自2008年启动以来,“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”进展顺利,多台仪器已初步用于前沿科学研究。   正如项目首席科学家、中国工程院院士许祖彦所说:“上帝没有给我们一个这么好的光源,我们就要自己去找。”   突破200nm   上世纪90年代初,非线性光学晶体接连将Nd:YAG激光波长从近红外拓展到可见光,甚至近紫外波长区。这带给人们一种隐约的希望:如果能找到一种晶体,使激光波长拓展到深紫外光谱区,人类将有望认识一个前所未有的世界。   在这样的背景下,中国科学家介入了这一课题。   “80年代我们获得了第一批国家科研基金,15万元。”项目首席科学家、中科院院士陈创天告诉《科学时报》记者,虽然现在看来这笔钱并不多,但当时已是很了不起的事了。   在这笔经费的资助下,陈创天的研究如虎添翼。1991年,他在发现硼酸盐系列非线性光学晶体后,运用分子设计工程学方法发现了KBBF晶体。5年后,他证实了此晶体可实现深紫外相干光输出,最短波长达到184.7nm。   从此,深紫外的时代开启了。在此基础上,陈创天研究组于2005年陆续发现了RBBF、CBBF等非线性光学晶体,从而拿到了完整的KBBF族非线性光学系列晶体。   许祖彦则形容自己的工作是“二传手”。深紫外非线性光学晶体问世后,如何将其研制成实用的精密化激光源,并配合后续的仪器研制,是他面临的最大难题。   但20多年前,中国大陆还没有这方面的实验装置,陈创天和许祖彦不得不跑到香港科技大学,借用了他们的实验室。两个人窝在实验室里,每天工作到深夜一两点,终于搞出了KBBF晶体棱镜耦合装置。目前,该装置仍是该晶体唯一的实用化技术。   之后两人密切配合,在国际上首次实现KBBF晶体倍频输出深紫外激光,并最终发展出实用化的深紫外固态激光源。   2009年,英国《自然》杂志发表评论文章称,KBBF晶体“真是一块完美的晶体,它确实可促使某些领域向前发展”。   “看到图像的那一刻,什么都值了”   深紫外光源的问世尽管已经震惊世界,但对许祖彦来说,他的工作才只做了一半。   “科技发展如此之快,为保证我们的仪器始终保持领先,科研人员必须不断调整技术方案。”项目工程总体部总经理、中科院理化所研究员詹文山说。为此总体部还设立了一个工程监理部,这在国内的科研项目中都很少见。   对这种经常要推翻重来的工作方式,许祖彦表示“很理解”。在3年多的时间里,他的团队满足了仪器研制人员变更技术方案的多项技术要求,解决了光源与8台仪器对接的工程问题。   中科院大连化学物理研究所研究员傅强是“深紫外激光光发射电子显微镜(PEEM)”子项目的负责人。“PEEM就像一条美人鱼,‘头’是电子发射技术,‘尾’是电子显微镜技术。这种技术可对物质表面结构、电子态、化学反应等进行原位、动态研究,在化学、物理、材料等领域有着重要应用。”   但是,现有的PEEM激发光源为气体放电光源或者同步辐射光源,这些光源亮度较低,空间分辨能力一般只能达到20~50nm,限制了PEEM的广泛应用。   2007~2009年,傅强等人利用深紫外激光高能量、高光束流强度、相干性等优点,研制出一套性能优越的深紫外激光PEEM系统。利用这台仪器,大连化物所已在石墨烯原位生长、界面限域化学反应等领域取得了一些初步成果。   “我们第一次做这种仪器,中间遇到很多困难,有半年多的时间情绪也很低落。”傅强坦陈,“不过2009年夏天,我们第一次看到了显微镜成像图,那一刻觉得什么都值了。”   与深紫外光电子发射显微镜类似,深紫外拉曼光谱仪、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪均达到国际领先水平。另一台光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪也基本研制完成,正在调试当中。   不过,对更多的中国科研工作者和社会公众来说,这个总投资1.8亿元人民币的项目,究竟有着怎样的应用前景?   以“短”见长的深紫外   目前已有的深紫外光源一类是准分子激光器,另一类是同步辐射光源。准分子激光器脉宽宽,难以满足激发态快速动力学过程的研究 而同步辐射光源虽具有较快的时间分辨,但装置体积巨大,科研人员只能把实验搬过去做,带来许多不便。   深紫外固态激光源在时间、空间和能量分辨率上,都有着绝对优势。“更重要的是,这些仪器装备将来有望小型化,甚至可以进行市场化推广。”中科院院士李灿介绍。   李灿负责研制的深紫外拉曼光谱仪就是一个例子。目前这台仪器已初步应用于催化、材料、能源、生物、环境等领域。在水污染检测中,仪器灵敏度达到了环境水污染国际最低检测限。“只要一滴水就能检测水污染。”   詹文山透露,目前2mm以下的KBBF晶体已可小批量生产,满足国内市场需求。受国家工业水平限制,8台仪器还不能全部实现商业化,但中科院已在考虑选取其中的1至2个,逐步进行产业化的尝试。   2006年,时任中科院院长路甬祥在中科院物理所考察时曾说:“如果没有仪器设备的自主创新,也很难有新的理论上的突破。一种新仪器新装备的诞生,往往是打开一个新方向新领域的关键桥梁。”   这句话,许祖彦一直记得,项目团队的每一个成员也记得:“这些年来,我们证明了‘材料—器件—装备—科研—产业’的自主创新链是可行的,也证明了中科院此类研究性和工程性均很强的科研项目是可行的。”
  • 基于177.3nm激光的真空紫外光调制反射光谱仪
    CPB仪器与测量栏目最新发文:基于177.3nm激光的真空紫外光调制反射光谱仪,此装置将有望成为高效无损地探测宽禁带半导体材料电子能带结构高阶临界点的有效光学表征手段,并广泛用于超宽禁带半导体材料及其异质结的电子能带结构研究。光调制反射光谱是通过斩波器周期性地改变泵浦光源对样品的照射来测量半导体材料反射率相对变化的一种光谱分析技术。由于所测差分反射率作为能量的函数在材料电子能带结构的联合态密度奇点附近表现出明显的特征,光调制反射光谱已成为研究具有显著电子能带结构的半导体、金属、半金属及其微纳结构和异质结等材料联合态密度临界点的重要实验技术之一。光调制反射光谱中所使用的泵浦激光的光子能量一般要高于被研究材料的带隙,随着第三代宽禁带与超宽禁带半导体材料相关研究和应用的不断深入,需要更高能量的紫外激光作为光调制反射光谱的泵浦光源。目前国际上已报道的光调制反射光谱系统中,配备的泵浦光最大光子能量约5 eV,尚未到达真空紫外波段。因此,迫切需要发展新一代配备高光子能量和高光通量的泵浦光源的光调制反射光谱仪,使其具备探测超宽带隙材料的带隙和一般材料的超高能量临界点的能力。中科院理化所研制的深紫外固态激光源使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化深紫外全固态激光器的国家,已成功与多种尖端科研设备相结合并取得重要成果。此文详细介绍了由中科院半导体所谭平恒研究员课题组利用该深紫外固态激光源搭建的国际上首台真空紫外光调制反射光谱仪(图1)的系统设计和构造,将光谱仪器技术、真空技术、低温技术与中科院理化所研制的177.3 nm深紫外激光源相结合,同时采用双单色仪扫描技术和双调制探测技术,有效避免了光调制反射光谱采集中的荧光信号的干扰,提高了采集灵敏度。该系统将光调制反射技术的能量探测范围从常规的近红外至可见光波段扩展至深紫外波段,光谱分辨率优于0.06 nm,控温范围8 K~300 K,真空度低至10-6 hPa, 光调制反射信号强度可达10-4。通过对典型半导体材料GaAs和GaN在近红外波段至深紫外波段的光调制反射信号的测量对其探测能力进行了性能验证(图2)。此装置将有望成为高效无损地探测宽禁带半导体材料电子能带结构高阶临界点的有效光学表征手段,并广泛用于超宽禁带半导体材料及其异质结的电子能带结构研究。该系统基于中科院半导体所承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制(二期)”子项目“深紫外激光调制反射光谱仪”,目前已经初步应用于多种半导体材料在深紫外能量范围内的能带结构和物性研究,并入选《中国科学院自主研制科学仪器》产品名录,将有望在推动超宽禁带半导体材料的电子能带结构研究、优化超宽禁带光电子器件的性能方面发挥重要作用。图1. 深紫外激光调制反射光谱仪图2. 177.3 nm(7.0 eV)激光泵浦下的GaAs在1.2 eV至6 eV内的双调制反射光谱及对应能级跃迁
  • 【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器
    基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术,是对传统紫外探测技术的创新发展,具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点,对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用,在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景,成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破,以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结,是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手,重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等;并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等,展望新型结构器件的发展和技术难点;同时,介绍紫外探测器产业化应用和发展,为工程领域提供参考,促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家,曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片;张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究,成果卓著;参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结,并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队:中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示:“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势,对面临的关键科学技术问题进行了探讨,对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,本书的出版填补了这一空白,将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书,也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录:本书目录:第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展

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  • Maya2000 Pro深紫外光谱探测范围拓展至153 nm
    我们的Maya2000 Pro光谱仪具有较高的量子效率和较宽的动态范围,在深紫外波段(185-300 nm)有响应。 这一超深紫外光谱仪将光谱测量范围拓展至153 nm。用高灵敏度的超深紫外型Mayo 200 Pro可经济又便利地将光谱探测范围拓展至153 nm。 多种材料在真空紫外(VUV)波段(10 nm-220 nm)有光谱特征;VUV光谱仪的应用已遍及生物、半导体计量学和质量控制等各个领域。
  • 深紫外测量
    空气对深紫外光具有极强的吸收。暴露在空气中测得的深紫外信号通常很弱,所以我们希望通过将光谱仪放入真空或气室,或将气体(例如氩气或氮气)充入光谱仪的光学平台,从而避免空气中的紫外线吸收。Avantes 公司为其AvaSpec光谱仪(例如,StarLine AvaSpec-ULS2048L或SensLine AvaSpec-ULS2048x16)配备了气体充入接口。
  • 新型负膨胀材料ZrScMo2VO12的负热膨胀和宽带光致发光
    本文首次提出了一种新的材料,其分子式为ZrScMo2VO12。结果表明,该材料不仅在较宽的温度范围内(至少在150~823K)表现出良好的负热膨胀(NTE)性能,而且在整个可见光区域具有很强的光致发光特性。用膨胀计(高温用LINSEIS DIL L76,低温用LINSEIS DIL L75)测量相对长度变化。

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  • 我国自主研制科研装备获重大突破 实用化深紫外全固态激光器唯我独有

    2013年09月07日 来源: 科技日报 作者: 李大庆 http://www.stdaily.com/stdaily/pic/attachement/jpg/site2/20130907/011378496864671_change_hzp3951_b.jpg9月4日,中科院工作人员在检查深紫外非线性光学晶体的光透度。新华社记者 马宁摄 科技日报北京9月6日电(记者李大庆)由中国科学院承担的国家重大科研装备研制项目“深紫外固态激光源前沿装备研制项目”今天在北京通过验收。这个系列科研装备的研制成功,使我国成为世界上唯一一个能够制造实用化深紫外全固态激光器的国家。 经过10多年的努力,中科院的科研人员在深紫外激光非线性光学晶体方面实现突破,在国际上首先生长出大尺寸氟硼铍酸钾晶体,并发现该晶体是第一种可用直接倍频法产生深紫外波段激光的非线性光学晶体。在此基础上,科研人员又发明了棱镜耦合技术(已获中、美、日三国专利),率先发展出直接倍频产生深紫外激光的先进技术,并全面开展新型深紫外激光科研装备的研制和学科应用研究。 2007年,财政部设立专项,对中科院深紫外固态激光源前沿装备研制予以支持。经过5年多的持续攻关,利用大尺寸氟硼铍酸钾晶体和棱镜耦合专利技术,中科院理化技术所、物理所、大连化物所和半导体所的科研人员在世界上首次研制成功8类8台集实用化、精密化于一体的深紫外固态激光源,实现了一系列关键指标的突破。利用这8台深紫外固态激光源,科研人员成功研制出了深紫外激光拉曼光谱仪、深紫外激光光化学反应仪、深紫外激光光发射电子显微镜、深紫外激光光致发光光谱仪、深紫外激光自旋分辨角分辨光电子能谱仪、光子能量可调深紫外激光光电子能谱仪、深紫外激光原位时空分辨隧道电子谱仪、基于飞行时间能量分析器的深紫外激光角分辨光电子能谱仪等8台科学仪器。 据了解,目前这8台仪器已经在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等一系列重大研究领域中获得了重要结果:证实了Pb、O等原子可通过单层石墨烯岛的开放边界进行插层反应,实现石墨烯与衬底之间去耦合;首次发现拓扑绝缘体Bi2Se3的自旋结构和轨道结构是固定在一起;首次观测到Bi2212能量/动量谱与不同激发光子能量关系。相关研究成果已发表在国际顶级科学期刊上。 今天通过验收的包括两个平台——深紫外非线性光学晶体与器件平台和深紫外全固态激光源平台,以及深紫外激光拉曼光谱仪等8台科学仪器。验收委员会的专家认为,这些仪器设备的研制成功及在石墨烯、高温超导、拓扑绝缘体、宽禁带半导体和催化剂等研究中获得的重要成果,“使我国深紫外领域的科学研究水平处于国际领先地位,并在物理、化学、材料、信息等领域开创了一些新的多学科交叉前沿。”“该项目取得的研究成果属于原始创新工作,具有重要意义,并对继续开拓深紫外激光的应用具有十分重要的意义。” 据介绍,深紫外全固态激光源前沿装备研制项目的实施,初步打造了我国“晶体-光源-装备-科研-产业化”的自主创新链。在科技部的支持下,中科院新启动了深紫外仪器设备的产业化开发工作;在财政部的支持下,中科院也启动了深紫外固态激光源前沿装备的二期研制项目。 中科院院长白春礼在验收会上说,科研装备创新能力是衡量一个国家科技创新能力的重要标志。现代科技的进步越来越依靠科学仪器的创新和发展,科研仪器装备的突破,往往催生新的科研领域,产出重大创新成果。迄今为止,至少有1/3的诺贝尔物理和化学奖授予了那些在测试仪器和实验方法方面有重要创新的科学家。所以,我国要实现重大科学突破,不仅要有创新自信,要善于提出原创科学思想和方法,而且要发展出新的试验手段,研制出新的仪器装备。

  • 深紫外光源

    请问液相色谱里面使用深紫外光源吗?使用260多纳米的深紫外LED是否可以进行替代?

  • 网络讲堂:9月25日 真空紫外光谱技术及其应用

    http://img3.17img.cn/bbs/upfile/images/20100518/201005181701392921.gif真空紫外光谱技术及其应用讲座时间:2014年09月25日 10:00 主讲人:毛峥乐现任光学光谱技术主管,负责OEM、光栅、光谱系统、真空紫外技术咨询和系统应用支持。http://img3.17img.cn/bbs/upfile/images/20100518/201005181701392921.gif【简介】真空紫外光谱技术专指为1-200nm光学光谱研究设计、开发的技术和光学系统。相对于200nm以上,真空紫外光谱系统对光学元件、光路设计,尤其是光谱仪核心元件——光栅,提出了极其苛刻的要求。真空紫外光谱技术作为一种经典技术,早已为同步辐射装置广泛使用。同时作为一种新兴技术,它也越来越多地应用于独立实验室,如1-200nm的荧光、光致发光、材料吸收谱反射谱、高次谐波、等离子体发射、极紫外激光表征、探测器表征等前沿科学应用领域之中。真空紫外光谱技术作为一种经典技术,早已为同步辐射装置广泛使用。同时作为一种新兴技术,它也越来越多地应用于独立实验室,如1-200nm的荧光、光致发光、材料吸收谱反射谱、高次谐波、等离子体发射、极紫外激光表征、探测器表征等前沿科学应用领域之中。-------------------------------------------------------------------------------1、报名条件:只要您是仪器网注册用户均可报名参加。2、报名并参会用户有机会获得100元手机充值卡一张哦~3、报名截止时间:2014年09月25日 9:304、报名参会:http://simg.instrument.com.cn/meeting/images/20100414/baoming.jpg

宽带隙小型深紫外光致发光仪相关的耗材

  • 紫外光老化灯管
    荧光紫外灯光源,是模拟自然阳光中的紫外光辐射。 ⒈荧光紫外灯管功率:40W ⒉荧光紫外灯管长度:1120㎜ ⒊荧光紫外灯管辐照度范围:&le 50w/m2 ⒋荧光紫外紫外波长:290nm~400nm ①UV-A 340灯管的发光光谱能量主要集中在340nm的波长处 ②UV-A313灯管的发光光谱能量主要集中在313nm的波长处 ⒌①荧光紫外灯:发射400nm以下紫外光的能量至少占总输出光能80﹪的荧光灯。 ②Ⅰ型荧光紫外灯:发射300nm以上的光能低于总输出光能2﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-A灯。(UV-A313、UV-A340、UV-A351、UV-A355、UV-A365) ③Ⅱ型荧光紫外灯:发射300nm以下的光能大于总输出光能10﹪的一种荧光紫外灯。通常称为UV-B灯。 ⒍①大多数试验场合推荐采用Ⅰ型灯,它是模拟夏天中午日光照射后的情况。这种灯在340nm处有一个发射峰。 ②另一种常用的Ⅰ型灯在351nm处有发射峰,多数用于模拟日光透过窗玻璃后的情况。 ⒎国产灯管的有效使用寿命在500小时左右(进口灯管寿命1600~1800小时) 灯管规格: (国产型)灯管长度:1120㎜ 直径:26mm (进口型)灯管长度:1120㎜ 直径:38mm
  • 高性能中阶梯紫外拉曼光谱仪——Smart RAMAN- UV
    高性能中阶梯紫外拉曼光谱仪——Smart RAMAN- UVLadder in high-performance ultraviolet Raman spectrometer特点:小体积{ 超紧凑型设计: 210 x 120 x 86 mm;4kg高性能{ 高分辨率:3~100px-1{ 无需扫描单次摄谱探测范围:18,0-1{ 可选激发频率:224~325nm { 高灵敏度:-50℃致冷电子倍增式EMCCD传统的光谱探测方式 传统的光谱探测方式虽可获得高分辨率,但获得全谱信息必须通过扫描获得;而扫描过程,无可避免的导致不同谱段激光积分时间不同,进而导致不同谱段实际光老化时间不一致;为后续定性定量分析样本特性带来无法解决的系统误差;同时因为扫描造成了全谱积分时间较长; 而光纤光谱仪虽然同时全谱积分,但却无法得到高分辨率,高灵敏度(普通光纤光谱仪的RAMAN setup分辨率在250px-1以上,实用分辨率常常到12~450px-1)德国LTB的Smart RAMAN 系列中阶梯拉曼谱仪卓越特点 德国LTB拥有国际领先的中阶梯光栅光谱技术,使光谱探测不再需要扫描,仍可获得宽谱兼顾高分辨率的丰富光谱信息;LTB的RAMAN探测能力可以达到15px-1级别,与此同时实现无需扫描宽谱摄谱; 该技术使光谱探测做到全谱同时积分,高速探测;避免了紫外光长时间灼烧样本造成的样本过快光退化;使光谱数据的可靠性得到质的飞越;引领RAMAN光谱探测仪器进入新的时代……紫外(共振)拉曼优点:{ 适合波长的紫外激光激发可以完全避免荧光本底的干扰。{ 由于拉曼信号强度正比于激发激光波长四次方成反比,紫外激光激发拉曼信号效率明显提升。{ 共振拉曼可以提供很高的共振增强因子,理论极限可达2个数量级,从而大幅度提升检测极限。 应用:{ 半导体材料photoluminescence(PL光致发光)现象探测与分析;{ 半导体工业过程控制及材料研究
  • 韵翔 OPTAN 深紫外LED
    用于环境监测的深紫外OPTAN UVC LED 环境监测广泛应用于空气质量、水和废水质量监测和危险物质的检测。环境监测仪器的发展产生了下列新的需求:-- 实时监控,快速响应。-- 对远程操作的维护和校准要求较低的仪器。-- 小型化传感器,低功耗要求,便于安装和现场监测。传统上,吸收和荧光光谱仪器已经利用了诸如氙、汞或氘等广谱灯,因为它们能在多个波长范围内产生足够的光。然而,为了开发满足不同行业发展需求的仪器,采用替代光源(如led)至关重要。Crystal IS的 UVC LED有几个属性,使它们成为无可争议的选择。 用于环境监测的高性能UVC LEDCrystal IS在250-280nm波长使用专有的氮化铝基板和先进的LED制造技术制造高性能的UVC LED。我们的LED比其他UVC LED提供更高的光输出和更长的寿命,使它们成为环境监测中新兴光谱应用的理想选择。-- 业内优秀的光输出。-- 随着时间的推移,保持卓越的光输出。-- 优良的光谱质量。-- 允许较高的驱动电流。 光谱学的单峰效益在任何单一的光谱应用中,离散波长的光对于测量是有用的,并且滤光片通常用于抑制来自广谱紫外灯的任何不想要的波长。这种方法可以减少所有波长的强度,包括所需波长。此外,将滤光片添加到光路中增加了设计成本。与广泛、复杂的紫外光灯的光谱不同,深紫外光(UVC)的LED有简单的光谱——一个具有窄光谱带宽的单峰。LED光源的单色光源通过滤波避免光线损失。Crystal IS的LED允许用户选择与目标分子的特定吸收峰相匹配的波长或光谱应用中荧光物质的特定激发波长。 LED驱动电子设备的简单性使操作更容易LED为传统的紫外光源提供低电压、低直流电流的选择。LED具有相对便宜的驱动器,其寿命超过几十万小时,并且能够在其整个寿命期间向LED提供所需的电流输入。相比之下,传统的紫外光源需要更高的电压来增加光输出,并且对电源和辅助电子器件有更复杂的要求。这对安全性、成本、热管理和易操作性都有影响。这种LED电子器件的简单性使产品设计更紧凑,并为特定的应用提供了产品进化或调整的选择。 光输出稳定性对测量精度和可靠性的影响光输出的稳定性对于保证低基线噪声和提高吸收测量的检测极限至关重要。LED是一种稳定的光源,不受这些机制的干扰,从而导致其他传统UVC光源的波动。LED的光输出稳定性主要受结温的影响,可以通过一系列简单的热管理技术来维持。 即时开启/关闭功能提高和支持应用与基于灯丝或弧光的UV灯不同,LED一旦开启就在一微秒内达到其完全亮度,并且在关闭时不具有延长的发光。这一即时的开关会在运行时产生能量的保护,LED光源的更换周期也会更长。 -- 峰值波长从250 nm到280 nm-- 光输出从0.5~4+ mW-- 球透镜的视角15°-- 驱动电流达到100 mA-- 密封-- 通过RoHS认证-- TO-39封装 应用:臭氧监测地面臭氧是zui常见的空气污染物之一,它是由氮氧化物和挥发性有机化合物在阳光照射下产生的化学反应产生的。考虑到它所带来的广泛的健康危害,目前的EPA臭氧标准设定为每10亿美元(ppb),这凸显了在该地区监测地面臭氧的关键需要。在255和280 nm处吸收紫外光可以量化空气中的臭氧量。Crystal IS的UVC LED为臭氧监测应用提供几个优势:-- 光输出的稳定性可以获得更精确的结果。-- 高光能比传统的紫外光灯提供更短的光程长度,提供快速的测量。-- 长寿命,低工作电压和小的形状因子,可用于移动和手持设备。 水中油监测工业设施依赖于对水和废水中的石油和其他碳氢化合物进行快速可靠的监测,用于泄漏检测、污染预防和环境排放达标。在水中发现石油碳氢化合物可以识别换热器的故障。使用光谱测量的快速检漏可以节省数千美元的操作和维护费用。紫外荧光法用于监测石油和碳氢化合物,因为这些物质中的芳香成分在紫外光下荧光。Crystal IS的UVC LED在UV荧光测量中有许多优势:-- 窄波长的选择性,有针对性的测量。-- 占地小,方便内联监测水质。-- 高亮度输出,用于跟踪检测部分-十亿级。 有色溶解有机质(CDOM)监测CDOM是在海洋(和湖泊、小溪等)中被溶解的有机物质的一个子集,它具有旋光性。高浓度的CDOM影响水生植物、珊瑚礁和水生系统的生物活性。在250和280 nm的UV荧光测量仪监测海洋和淡水系统中的CDOM,以保护这些敏感的,通常是偏远的生态系统。Crystal IS的UVC LED对你的CDOM监测需求有很多好处:-- 实时监控能够及时发现并适当响应节约成本和保护环境。-- 长寿命和简单的LED电子器件使免维护,连续,远程操作成为可能。 生物气胶检测含有有害细菌或细菌孢子的生物气溶胶(如炭疽杆菌、肉毒杆菌)对健康是极其有害的。这些细菌中的氨基酸使其在UVC波长下荧光,使UVC荧光光谱对生物制剂检测和预警系统有用。Crystal IS的UVC LED让生物气溶胶探测系统更好,更有效。-- 减小尺寸、重量和功耗,使手持设备得以实现。-- 即时开启/关闭提供快速测量。-- 低成本的所有权降低了系统成本。 水和废水监测快速检测水质变化对供水系统至关重要,以确保环境保护和消费者健康。废水处理工厂监测废水的水质,以评估处理过程的有效性,并遵守对处理水排放的监管要求。水处理厂监测有机质,因为过度积累会导致微生物生长和影响水质。紫外分光光度法对水中有机物含量进行定量分析。通过连续的光谱测量,而不是用采集样本进行间歇的化学测试,zui终用户可以收集过程信息,检测水质问题,并实时进行必要的过程变化。用于测量水的参数通常包括紫外线吸收剂(UV254)、总有机碳(TOC)、生物需氧量(BOD)和化学需氧量(COD)。地方、州和联邦法规通常要求对一个或多个参数进行监测,以满足环境、健康或安全的原因。 Crystal IS的UVC LED为水监测应用提供几个优势:-- 我们的LED高光谱质量,提供了广泛的测量线性。-- 无汞制造,提高环保设计的能源效率。-- 寿命长,紫外线光源低维护,以降低成本。 型号和规格 Part NumberPeak WavelengthOptical output at 100mAMinTypicalMaxMinMax250 SeriesOPTAN-250H-BL245 nm250 nm255 nm0.5 mW1.0 mWOPTAN-250J-BL245 nm250 nm255 nm1.0 mW3.0 mW255 SeriesOPTAN-255J-BL250 nm255 nm260 nm1.0 mW4.0 mW260 SeriesOPTAN-260H-BL255 nm260 nm265 nm0.5 mW1.0 mWOPTAN-260J-BL255 nm260 nm265 nm1.0 mW5.0 mW275 SeriesOPTAN-275H-BL270 nm275 nm285 nm0.5 mW1.0 mWOPTAN-275J-BL270 nm275 nm280 nm1.0 mW2.0 mWOPTAN-275K-BL270 nm275 nm280 nm2.0 mW3.0 mWOPTAN-275L-BL270 nm275 nm280 nm3.0 mW280 SeriesOPTAN-280J-BL275 nm280 nm285 nm1.0 mW2.0 mWOPTAN-280K-BL275 nm280 nm285 nm2.0 mW3.0 mWOPTAN-280L-BL275 nm280 nm285 nm3.0 mW 特性单位低典型高Viewing Angledegrees15Full width at half maximumnm11Forward voltage at 100 mA3V10Lifetime, L50 at 100 mA4hours9000Lifetime, L50, at 20 mA4hours10,500Thermal resistance, junction-to-caseoC/W20Power dissipation at 100 mAW1.0
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