光刻机

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光刻机相关的厂商

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    南通宏腾微电子技术有限公司(NTHT Semiconductor Technologies Limited)是一家专业的微纳材料、半导体和微电子材料及器件研发仪器及设备的供应商。南通宏腾微电子技术有限公司所销售的仪器设备广泛用于高校、研究所、以及半导体和微电子领域的高科技企业。南通宏腾微电子目前代理的主要产品包括: - 霍尔效应测试仪; - 快速退火炉; - 回流焊炉,共晶炉,钎焊炉,真空烧结炉; - 电子束蒸发镀膜机,热蒸发镀膜机 - 探针台,低温探针台,微探针台; - 金刚石划片机; - 球焊机,锲焊机; - 磁控溅射镀膜机; - 原子层沉积系统,等离子增强原子层沉积设备; - 电化学C-V剖面浓度分析仪(ECV Profiler); - 扫描开尔文探针系统; - 光学膜厚仪;-PECVD\CVD;-脉冲激光沉积系统-PLD-纳米压印;-等离子清洗机、去胶机;-反应离子刻蚀RIE - 光刻机、无掩膜光刻机; - 匀胶机; - 热板,烤胶板; -少子寿命、太阳能模拟器;-NMR-瞬态能谱仪-外延沉积-等离子清洗机光刻胶光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机 等等…
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  • 400-860-5168转4527
    公 司 简 介深圳市蓝星宇电子科技有限公司-蓝星宇科技(香港)有限公司,经过十多年的半导体/微电路/光电专业技术沉淀,可以根据客户特殊要求提供定制化服务,研发设计组装:紫外臭氧清洗机(UV清洗机), 晶圆清洗机,等离子清洗机/去胶机,超声/兆声清洗机等,拥有自主品牌专利及注册商标。公司自成立以来一直专注于半导体/微电路和光电/光学领域的设备集成及技术服务,拥有一支在半导体制造、微电路及光电/光学等领域经验丰富的专业技术团队。我们代理欧美日多家高科技设备厂家高性价比产品, 始终坚持创新, 技术, 服务, 诚信共创价值共赢的企业文化,为广大中国及海外客户提供最先进的仪器设备和材料的整体解决方案。 应用领域: 半导体/微纳加工,微电路,光电/光学, 材料科学等领域的研发和生产, 客户群体例如高等院校, 研究院所,科技企业等。目前蓝星宇科技已与众多国际知名半导体制造设备及检测设备企业建立了良好的长期合作关系:半导体/微纳,光电/光学 产品主要有: 德国ParcanNano(Nano analytik)针尖光刻机,电子束光刻机EBL, 激光直写光刻机,紫外光刻机,微纳3D打印机, 德国Sentech刻蚀机/镀膜机及原子沉积, 英国HHV磁控/电子束/热蒸发镀膜机, 日本爱发科ULVAC生产型磁控溅射装置/干法刻蚀机, 德国/法国微波等离子沉积机MPCVD, 芬兰Picosun原子层沉积机, 日本/德国电子显微镜/FIB-SEM, 日本理音RION液体光学颗粒度仪, 德国Bruker布鲁克原子力显微镜/微纳表征/光谱仪, 美国THERMO FISHER赛默飞光谱/色谱/质谱/波谱仪, 美国Sonix超声波显微镜, 德国KSI超声波显微镜, 德国耐驰Netzsch热分析仪, 德国Optosol吸收率发射率检测仪, 俄罗斯Optosystem准分子激光器, 日本SEN UV清洗机/UV清洗灯, 美国Jelight紫外清洗机/紫外灯管, 德国等离子清洗机/去胶机等先进技术产品。我们以高性价比的优势为客户提供优质的产品与服务,为高等院校, 科研院所,科技企业等高端客户提供仪器设备和材料。 客户参考(排名不分先后):企业客户:华为技术有限公司, 深圳市鹏芯微集成电路制造, 深圳清力技术, 安徽格恩半导体, 苏州稀晶半导体科技, 矽品半导体, 厦门海辰新能源科科, 中核同创(成都)科技, 洛玛瑞芯片技术(常州),伟创力科技, 奥普科星河北科技,广东五星太阳能,广东万和集团,西安西测股份, 普源精电科技, 普源精电科技股份, 上海蔚来汽车, 北京华脉泰科, 广医东金湾高景太阳能科技, 深圳汇佳成电子, 深圳市化讯半导体材料, 珠海珍迎机电, 合肥鼎材科技, 山东金晶节能玻璃, 江苏云意电气股份, 广东风华高新科技技股份, 浙江中能合控股集团, 四川信通电子科技等。科研院所/高等院校: 北京航空航天大学, 汕头大学, 南方医科大学, 清华大学, 北京大学, 复旦大学, 西北工业大学, 南京医科大学, 香港中文大学, 香港城市大学, 苏州大学, 深圳职业技术学院, 南京大学合肥国家试验室, 上海交通大学医学院, 华南理工大学, 深圳大学, 南方科技大学, 深圳技术大学, 中国科学院理化技术研究所, 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院, 桂林电子科技大学, 上海硅酸盐研究所, 中国航天五院,中科合肥智慧农业协同创新研究院等。我们热诚欢迎国内外客户, 先进仪器设备/材料制造商, 科技企业及医疗机构与我们联系开展各层面的合作共创价值共赢!产品:光刻机(针尖/电子束光刻机EBL,紫外光刻机,激光直写光刻机),镀膜机(磁控溅射机,电子束蒸发机,化学沉积机,微波等离子沉积机,原子层沉积机ALD),等离子刻蚀机ICP/RIE,去胶机,双光子微纳3D系统,准分子激光器,颗粒度仪, 原子力显微镜,电子显微镜/FIB-SEM,超声波扫描显微镜, 开封机,太阳能吸收率发射率检测仪,紫外臭氧清洗机,UV清洗机,晶圆清洗机,UV清洗灯,曝光灯,光刻胶/UV胶,晶圆/硅片/外延片等。联系方式: Johny 廖敬强GM:13538131258,0755-29698758 Q:583129932,johny.liao@lxyee.net Kelly 徐翠兰:15915408056,0755-81776600 Q:1053054539, kelly.xu@lxyee.net 深圳地址:深圳宝安沙井共和第四工业区昊海弘工业园A6栋7楼761-764 香港地址:Flat/RM 803 Chevalier House 45-51 Chatham Road South Tsim Sha Tsui KL HK . TEL:0852-26681868, 26681899 感谢您的关注 Thanks for your attention ^_^
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  • 雷神光电技术研究院(Raytheon Photoelectric Technology Research Institute),是中国雷神技术有限公司全资子公司(河南雷神光电技术有限公司)所投资创建的新型产业研发机构。主营产品有 红外光谱(IR、傅立叶) 气溶胶检测仪/系统、无掩模光刻机/直写光刻机、COD测定仪/COD快速测定仪、CO2分析仪、CO分析仪 辐射仪、射线检测仪、食品品质检测仪、离子迁移谱仪等雷神研究院拥有一支高素质的研发队伍,在积极倡导自主研发的同时得到清华大学、厦门大学、郑州大学、台湾大学、中船科研院所、启源研究院、继善高科等权威科研项目团队的技术支持,开展了广泛的产学研合作,强强联合,科研力量优化配置和资源共享,形成技术成果产业化,建立完善的产品研发、生产、销售、成套解决方案。
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光刻机相关的仪器

  • 硅科智能BMA系列半自动光刻机,是现阶段国内市面有上较高性价比的,一款先进的掩膜光刻系统;采用集成化设计,半自动控制,可靠性高,操作简便,不仅具有掩膜曝光系统灵活性,而且还具有高刻写效率,写场范围大,操作成本低,多种光学校准补偿等特点,从成本、性能上均可以取代传统微纳加工工艺中传统光刻机的功能。BMA光刻机简介:1、光刻机组成:高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。2.半自动:指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐3.半开放系统可配合用户进行定制需求设计开发4.支持2-6寸及碎片5.CCD及显微镜对准系统6.支持文件格式:PNG,GDSII等7.采用现代光刻工艺中应用最为广泛的接近式曝光(Proximity Printing):掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙(Gap),Gap大约为0~200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤,使掩膜和光刻胶基底能耐久使用;掩模寿命长(可提高10 倍以上),图形缺陷少。8.工件台为光刻机的一个关键,由掩模样片整体运动台(XY)、掩模样片相对运动台(XY)、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。9.应用领域:微电子,微光电,微流控,传感器,新材料,器件制备等。
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  • 光刻机 400-860-5168转3241
    光刻机又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统,光刻机,紫外曝光机等;ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商,多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产,并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域;该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一,拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力;并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用;以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务,赢得了用户的青睐。 产地:韩国ECOPIA公司,唯一能做到图形化蓝宝石衬底(PSS)光刻机,高性价比型号:M-150技术规格:- 掩模尺寸:最大7英寸;- 样品尺寸:最大6英寸;- 卡盘移动:X,Y,Z,Theta轴手动,楔形补偿调平;- 紫外光源:6.25" X 6.25";- 光源功率:350瓦紫外灯;- 光源均匀性:+/-3%;- 光源365nm波长强度:最大30毫瓦;- 显微镜:双显微镜系统;- 显微镜移动:X,Y,Z轴手动调节;- 显微镜物镜空间:50-150mm;- 标配放大倍率:80X-400X;- 显示器:20" LCD;- 曝光时间:0.1-999秒;- 接触模式:真空接触,硬接触,软接触,接近接触(距离可调);- 对准精度:1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode);- 电源:220V,单相,15安培;主要特点:- 光源强度可控;- 紫外曝光,深紫外曝光(Option);- 系统控制:手动、半自动和全自动控制;- 曝光模式:真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式;- 真空吸盘范围可调;- 专利技术:可双面对准,可双面光刻,具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统,最大放大1000倍,显示屏直接调节,比传统目镜对准更方便快捷,易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做;- 具有楔形补偿功能;
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  • 详细咨询来电:双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备,可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备;既可以用作研发设备,也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升,进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时,大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS、)硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等,涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台,可选五花篮台
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光刻机相关的资讯

  • 晶瑞光刻机的前世今生:来之不易的光刻机
    光刻胶是半导体产业重要的耗材,而有这样一家企业从事光刻胶研发多年,近日却因采购光刻机投入了人们的视野,登上了风口浪尖。苏州晶瑞是一家微电子化学品及其它精细化工品生产商,公司的产品主要包括超净高纯试剂、光刻胶、功能性材料以及锂电池粘结剂等,可应用于半导体、光伏太阳能电池、LED等相关行业,具体应用到下游电子信息产品的清洗、光刻、制备等工艺环节。苏州晶瑞曾先后承担国家“863”、“02”等重大专项,为微电子材料国产化做出了重要贡献。近日,苏州晶瑞发布公告称购得ASML XT 1900 Gi型光刻机一台,声称取得突破性进展,意义重大。目前设备于已运抵苏州并成功搬入公司高端光刻胶研发实验室。而此次购买旨在研发出更高端的ArF光刻胶,并最终实现应用于12英寸芯片制造的战略布局。甚至,相关媒体称这台光刻机将用于28nm光刻胶研发。据了解,这是一台13年前的ASML的DUV光刻机,总价款为 1102.5 万美元(折合 7508 万人民币)。然而,小编在网上和ASML官网并未查找到该型号光刻机的信息。最近,有网友透露了这款光刻机的相关信息,让读者可以一窥这款光刻机的的前世今生。据悉,这台光刻机是中国大陆最早一台浸没式光刻机,由当年无锡海力士采购。几年后,海力士发生大火,火扑灭之后,海力士无奈之下花了大价钱,去原厂维修之后就运回韩国,做其他产品去了。13年后,SK hynix淘汰旧设备,这台机器进入中国大陆公司视野。光刻机一直是国内半导体产业采购的难点,特别是ASML的光刻机更是供不应求。面对这次来自不易的机会,去年9月底,晶瑞就发布公告说,准备向韩国芯片厂商SK海力士购买ASML光刻机。未来在对设备进行翻修后,这台光刻机将协助晶瑞进行光刻胶的研发。不仅晶瑞股份在采购光刻机,南大光电、上海新阳等光刻胶研发企业都对ASML的光刻机情有独钟,也都各自采购了相应的光刻机。该网友进一步透露,2月份后,西安三星就有一批机况非常好的光刻机要拿出来卖,大约有3-4台,价格更便宜,性能更好,维修费更低。届时这些设备花落谁家,我们将持续关注。
  • 维普半导体:光刻机配套IRIS机台交付国内某光刻机客户
    维普半导体今日官微消息,7月1日,维普光刻机配套IRIS颗粒检测产品累计第5套顺利发机,交付国内某光刻机客户。IRIS模块-即集成掩模检测系统(Integrated Reticle Inspection System),是光刻机中的一个重要组成部分。其主要作用是对掩模版(即光罩)玻璃面、保护膜面颗粒进行检测,消除因颗粒污染导致光刻后批量Wafer的失效,从而保障半导体晶圆制造的准确性和稳定性。
  • 国产光刻机如何突围?
    近日,有消息称,上海微电子正致力于研发28纳米浸没式光刻机,预计在2023年年底将国产第一台SSA/800-10W光刻机设备交付市场。此前,国家知识产权局公布了一项华为新的专利“反射镜、光刻装置及其控制方法”,在极紫外线光刻机核心技术上取得突破性进展。  半导体产业是全球主要国家的战略高地。美国、荷兰、日本先后对光刻机等半导体制造设备出口进行限制,我国将于8月1日起对镓、锗相关物项实施出口管制。想要不被“卡脖子”,在关键环节实现自主可控是必经之路。光刻机“卡脖子”问题具体体现在哪儿?我国企业已经取得了哪些进展?国产量子芯片领域能否把握发展先机?记者近日就此调研了部分上市公司,采访了学术界、产业界多位专家。  业内人士普遍表示,我国企业加快核心领域自主研发,光刻机产业链上下游正不断涌现出新进展、新成果,国产化加速向前。“中国芯”正在崛起。  光刻机领域突破不断  光刻机又名掩模对准曝光机,被称为“半导体工业皇冠上的明珠”,是半导体产业链中最精密的设备,是制造芯片的核心装备。光刻机技术有多难?业界有形象的比喻,用光在晶圆上画图,相当于两架客机齐头并进,一架机翼上挂一把刀,另一架飞机上粘一颗米粒,用刀在米粒上刻字。  目前,全球能生产光刻机的厂商寥寥无几,荷兰阿斯麦、日本尼康和佳能占据了主要市场。其中,阿斯麦技术最为领先,它是唯一能生产极紫外线光刻机的厂家,这种光刻机可实现7纳米甚至5纳米工艺。阿斯麦第一大股东是美国资本国际集团,第二大股东是美国的黑岩集团。  中国在光刻机技术方面曾站在世界“第一方阵”,1965年研制出了65型接触式光刻机,1985年研制出的分步光刻机样机,当时与国外先进水平差距不超过7年,但此后,我国开始从国外购买光刻机。自20世纪90年代起,阿斯麦等国外企业却迅速崛起。  眼下,我国光刻机产业处处被“卡脖子”。接受本报记者调研的企业称:“卡脖子”的难点主要在两处:一是光源,光刻机要求体系小、功率高而稳定的光源;二是镜片,为了让光线能够精确地照射到硅片上刻画出微小的图案,需要一系列高精度和高光滑度的镜片来聚焦和校准光线。  上海微电子副董事长贺荣明在受访时表示:“2002年,我国专家出国考察时,对方工程师说,哪怕把所有图纸都给你们,你们也未必能做出光刻机。”回国后,贺荣明带领团队夜以继日攻关,研发团队经过5年终于在曝光这个关键环节取得重大突破,之后不断闯关。目前,上海微电子已可量产90纳米分辨率的SSX600系列光刻机,28纳米分辨率的光刻机也有望取得突破。  国产化率日渐提升  贺荣明带领的上海微电子,仅仅是我国企业在光刻机走向自主可控进程中付出努力的一个缩影。近年来,多家A股上市公司已经进入到光刻机全球产业链各环节之中,包括光刻机光源系统厂商福晶科技,物镜系统厂商奥普光电,涂胶显影厂商芯源微、富创精密,光掩膜版厂商清溢光电、华润微,缺陷检测厂商精测电子,光刻胶厂商南大光电、容大感光,光刻气体厂商雅克科技、华特气体等。  其中,富创精密是阿斯麦的供应商之一,全球为数不多的能够量产应用于7纳米工艺制程半导体设备的精密零部件制造商。对于国产化问题,富创精密表示:“公司将在现有产品的基础上逐步实现半导体设备精密零部件的国产化。”  华特气体则表示:“公司产品已批量供应14纳米、7纳米等产线,部分氟碳类产品、氢化物已进入到5纳米的先进制程工艺中使用。”  中微公司将产业的快速发展归功于资本市场的助力。中微公司董秘刘晓宇表示:“资本市场不仅解决了公司资金需求,并且带来广泛的社会资源和产业链上下游资源,形成产业链协同效应。”  随着产业链上下游企业的共同努力,光刻机的国产化率日渐提升。  浙商证券研报表示,当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34%、40%、90%;在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10%至30%;在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5%。  正如工银投行研究中心信息技术行业首席分析师许可源所言,全球半导体产业碎片化趋势显现,对于我国半导体产业,国产替代成为未来发展的长期逻辑。随着国内半导体制造和封测产能的持续扩张,将为国内设备厂商提供更多验证与导入的机遇,带动国内产业在技术和市场上的突破。  有望借量子技术换道超车  除了上述各领域的创新外,被誉为新一轮科技革命的战略制高点——量子科学领域,中国位列全球“第一方阵”。量子计算机对复杂数据的计算能力大大超过传统计算机的极限,这为“中国芯”换道超车提供了技术支持。  目前,华为的超导量子芯片专利技术,大幅提升量子芯片的良率,已经超过了英特尔;本源量子已经研发出中国首个自主研发的超导量子计算机本源悟源。  中天汇富投资控股集团董事长、本源量子创业合伙人黄罡向记者表示:“公司从诞生之日开始,就把实现自主可控作为根本目标。我国有庞大的应用场景,有生机勃发的产业生态,为量子技术发展提供沃土。”  不管是科技攻关还是换道超车,都离不开国家政策的护航。国家“十四五”规划和2035年远景目标纲要提出,要加强原创性引领性科技攻关。  “近年来,在许多科技创新的关键领域,我国取得的成果可圈可点,一些企业脱颖而出进入国际市场参与全球化竞争,这与我国高度重视并出台产业政策进行资源支持密不可分。”中央财经大学数字经济融合创新发展中心主任陈端向记者表示。  中国半导体行业协会副理事长于燮康也对记者表示:“尽管我国半导体产业面临技术等各种挑战,但高速增长的国内市场规模也为产业升级优化提供了重要机遇。”

光刻机相关的方案

  • 氦质谱检漏仪光刻机检漏
    上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油, 满足无尘室使用要求, 为了方便进行快速检漏, 采购伯东 Pfeiffer 便携式氦质谱检漏仪 ASM 310.
  • 氦质谱检漏仪电子束光刻机检漏
    上海伯东客户某光刻机生产商, 生产的电子束光刻机 Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件, 通信设备等多个领域的研发及生产. 经过伯东推荐采购氦质谱检漏仪 ASM 310 用于电子束光刻机腔体检漏.
  • 小型台式无掩膜光刻机助力开发新型晶体管实现新冠肺炎快速筛选
    在新冠疫情大流行的背景下,从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前,新冠病毒诊断方法包括血清学和病毒核酸测试,主要是以分析逆转录聚合酶链反应作为金标准,此方法在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长,很难满足对广泛人群进行筛查的要求,因此,亟需发展一种快速的监测方法应对新冠疫情。近期,复旦大学魏大程教授课题组利用MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机制备出基于石墨烯场效应晶体管(g-FET)的生物传感器。该传感器上拥有Y形DNA双探针(Y-双探针),可灵敏且快速的实现新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计,可以同时靶向新冠病毒核酸的两个目标基因区域:ORF1ab和N基因,从而实现更高的识别率和更低的检出限(0.03份μ L− 1)。这一检出限比现有的核酸分析低1-2个数量,可避免混检过程中样本病毒载量较低而产生漏网之鱼,实现的混合测试。该传感器也具有快的检测速度,快的核酸检测速度约为1分钟。由于快速、超灵敏、易于操作等特点以及混合检测的能力,这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的应用前景。

光刻机相关的资料

光刻机相关的试剂

光刻机相关的论坛

  • 微流控芯片光刻机优势及特色

    [b]微流控芯片光刻机[/b]专业为[b]微流控芯片制作[/b]而设计,用于[b]刻画制作微结构[/b]表面,全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料。[b]微流控芯片光刻机[/b]采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。[b][url=http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html]微流控芯片光刻机[/url]特色[/b]可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/photolithography-MS10.JPG[/img]无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/microcontact-printing.JPG[/img]微流控芯片光刻机:[url]http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html[/url]

  • 光刻机工作原理和组成

    光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,不同光刻机的成像比例不同,有5:1,也有4:1。然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图(即芯片)。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面,简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是本次所说的双工作台。光束矫正器:矫正光束入射方向,让激光束尽量平行。能量控制器:控制最终照射到硅片上的能量,曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置:设置光束为圆型、环型等不同形状,不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器:在不需要曝光的时候,阻止光束照射到硅片。能量探测器:检测光束最终入射能量是否符合曝光要求,并反馈给能量控制器进行调整。掩模版:一块在内部刻着线路设计图的玻璃板,贵的要数十万美元。掩膜台:承载掩模版运动的设备,运动控制精度是nm级的。物镜:物镜由20多块镜片组成,主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小,再被激光映射的硅片上,并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大,精度的要求高。硅片:用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸,尺寸越大,产率越高。题外话,由于硅片是圆的,所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系,根据缺口的形状不同分为两种,分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外界振动干扰,并维持稳定的温度、压力。

光刻机相关的耗材

  • 无掩膜光刻机配件
    无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利,大大提高影印和新产品研发的效率,节省时间,是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸:925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源:375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度:500mm/s重复精度: 100nm晶圆写取面积:1—6英寸衬底厚度:250微米-10毫米激光点大小:1-100微米准直精度:500nm
  • 微流控芯片光刻机系统配件
    微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计,用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料,可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。编号名称MSUP基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。
  • 无掩模数字光刻机 MCML-110A
    产品特点采用数字微镜 (DMD) 的无掩模扫描式光刻机,365nm波长直接从数字图形生成光刻图案,免去制作掩模板的中间过程,支持直接读取GDSII和BMP文件全自动化的对焦和套刻,易于使用晶圆连续运动配合DMD动态曝光,无拼接问题。全幅面绝对定位精度0.1um套刻精度: 0.2um500 nm / 1 um分辨率,100mm x 100mm最大幅面(4~6寸晶圆),满幅面曝光时间5~30分钟500um最小线宽可灰度曝光(128阶)尺寸小巧,可配合专用循环装置产生内部洁净空间通用参数应用微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工带有2.5D图案的微光学元件,衍射光器件制作 教学、科研 参数MCML-110AMCML-120AWavelength 波长365nm365nmMax. frame 最大帧100mm x 100mm100mm x 100mmResolution 分辨率1.0um500nmGrayscale lithography灰度光刻64 levels128 levelsMax exposure最大曝光量500mJ/cm22000mJ/cm2Alignment accuracy对准精度200nm100nmfield curvature场曲率 1 um 1 umSpeed速度5mm2 /sec2.5mm2 /secInput file输入文件BMP, GDSIIBMP, GDSIIZ level accuracyZ级精度1 um1 umEnvironment环境20~25℃20~25℃ 样品
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