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MMD-220A轮廓仪可测量各种精密机械零件的素线轮廓形状参数,角度处理(坐标角度,与Z坐标的夹角,两直线夹角)、圆处理(圆弧半径,圆心到圆心距离,圆心到直线距离,交点到圆心的距离,直线到切点的距离)、点线处理(两直线交点,交点到直线距离,交点与交点距离,交点到圆心的距离)、直线度、凸度、对数曲线、槽深、槽宽、沟边距、沟心距、轮廓度、倾斜度、垂直距离、水平距离等形状参数。 该MMD-220A轮廓仪测量长度≤220mm,Z 量 程:10mm,可测零件直径:内圈≤300mm,外圈可较大,国产贵阳光栅尺:精度±3μm/220mm ,X向分辨率1μm,Z向分辨率/量程:1/65536,工作压力:0.35~0.43Mpa,气源压力:0.45~0.80Mpa。
SuperView W11200[b][color=#3366ff]光学3D表面轮廓仪[/color][/b]是一款用于对各种精密器件表面进行亚纳米级测量的检测仪器。它是以白光干涉技术为原理、结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等对器件表面进行非接触式扫描并建立表面3D图像,通过系统软件对器件表面3D图像进行数据处理与分析,并获取反映器件表面质量的2D、3D参数,从而实现器件表面形貌的3D测量的光学检测仪器。[align=center][img=,690,604]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707201529_01_3712_3.jpg[/img][/align] SuperView W11200光学3D表面轮廓仪只需操作者装好被测器件,在软件测量界面上设置好视场参数,调整镜头到接近器件表面,选择自动聚焦,仪器会对器件表面进行自动对焦并找到干涉条纹,调节好干涉条纹宽度后即可开始进行扫描测量;扫描结束后,软件分析界面自动生成器件3D图像,操作者可通过软件对生成的3D形貌进行数据处理与分析,获取表征器件表面线、面粗糙度和轮廓的2D、3D参数。 SuperViewW1 1200 光学3D表面轮廓仪采用光学非接触式测量方法,它具有测量精度高、使用方便、分析功能强大、测量参数齐全等优点,其独特的光源模式,保证了它能够适用于从光滑到粗糙等各种精密器件的表面质量检测。 系统软件为简体中文操作系统,操作方便。应用范例:[align=center][img=,690,352]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707201530_01_3712_3.jpg[/img][/align][align=center][img=,690,543]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/07/201707201530_02_3712_3.jpg[/img][/align] 性能特点:1、 高精度、高重复性、高稳定性1) 采用光学干涉技术、精密Z向扫描模块组成测量系统,保证测量精度高;2) 精密的Z向扫描模块和独特的测量模式,保证测量重复性高;3) 高性能的内部抗震设计,为测量高稳定性保驾护航。2、 自动化操作的测量分析软件1)测量初始的自动聚焦,帮助操作者省却繁琐的调节过程;2)独特测量模式,帮助操作者快速测量不同形貌的待检样品;3)可视化窗口,便于操作者实时观察扫描过程;4)直观的软件分析界面,便于操作者第一时间获悉样品参数信息;5)强大的数据处理与分析功能,帮助操作者深入了解被测样品情况;6)一键分析,便于操作者快速实现大批量测量;7)同步分析,实现对样品分析操作的所见即所得;8)可视化的报表导出(可选择导出的图像与数据结果到word、pdf等文档)。3、 测量参数齐全根据四大国内外标准(ISO/ASME/EUR/GBT)的多达300余种2D、3D参数,让操作者对被测样品的认识更加全面具体。4、 精密操纵手柄集成X、Y、Z三个方向位移调整功能的操纵手柄,可快速完成载物台平移、Z向聚焦、找条纹等测量前工作。
[quote]引言:半导体产业是一个点石成金的行业,将从普通的石英砂中提取的硅原料制成拥有现代工业系统“心脏”之称的IC芯片,中间须历经数十上百道工序,从硅晶圆的制备到晶圆IC的制造,每一步都对工艺流程的质量有着严格的管控要求,由各式各样的检测仪器共同组成了产品质量监控的守门员,而在这之中,作为产品表面质量检测仪器的光学3D表面轮廓仪,以其超高的检测精度和重复性,发挥着重要的作用。[/quote] 中图仪器SuperView W1[b][color=#3333ff]光学3D表面轮廓仪[/color][/b],是一款专用于超精密加工领域的光学检测仪器,其分辨率可达0.1nm。半导体产业作为超精密加工领域一颗璀璨的明珠,在其硅晶圆的制备和晶圆IC的制造过程中,光学3D表面轮廓仪都以其强大的表面质量检测功能给这颗明珠增添一份靓丽的色彩。[align=center][img]http://www.chotest.com/Upload/2018/4/201804257216238.png[/img][/align][color=#ffffff]硅晶圆的粗糙度检测[/color]在半导体产业中,硅晶圆的制备质量直接关系着晶圆IC芯片的制造质量,而硅晶圆的制备,要经过十数道工序,才能将一根硅棒制成一片片光滑如镜面的抛光硅晶圆,如下图所示,提取表面一区域进行扫描成像。[align=center][img]http://www.chotest.com/Upload/2018/4/201804250029083.png[/img][/align]通过上图我们看到,制备好的抛光硅晶圆表面轮廓起伏已在数纳米以内,其表面粗糙度在0.5nm左右,由于其粗糙度精度已到亚纳米量级,而在此量级上,接触式轮廓仪和一般的非接触式仪器均无法满足检测要求,只有结合了光学干涉原理和精密扫描模块的光学3D表面轮廓仪才适用。[color=#ffffff]晶圆IC的轮廓检测[/color]晶圆IC的制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV蚀刻到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程,其中由于光罩中电路结构尺寸极小,任何微小的粘附异物和瑕疵均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷,因此必须对光罩和晶圆IC的表面轮廓进行检测。下图是一块蚀刻后的晶圆IC,使用光学3D表面轮廓仪对其中一个微结构扫描还原3D图像,并测量其轮廓尺寸。[align=center][img]http://www.chotest.com/Upload/2018/4/201804252060141.png[/img][/align][color=#ffffff]晶圆IC减薄后的粗糙度检测[/color]在硅晶圆的蚀刻完成后,根据不同的应用需求,需要对制备好的晶圆IC的背面进行不同程度的减薄处理,在这个过程中,需要对减薄后的晶圆IC背面的表面粗糙度进行监控以满足后续的应用要求。在减薄工序中,晶圆IC的背面要经过粗磨和细磨两道磨削工序,下图是粗磨后的晶圆IC背面,选取其中区域进行成像分析。[align=center][img]http://www.chotest.com/Upload/2018/4/201804253935356.png[/img][/align]从上图可以看出,粗磨后的表面存在明显的磨削纹路,而3D图像显示在左下部分存在一处凹坑瑕疵,沿垂直纹理方向提取剖面轮廓并经过该瑕疵,在剖面轮廓曲线里可看到该处瑕疵最大起伏在2.4um左右,而磨削纹理起伏最大在1um范围内波动,并获取该区域的面粗糙度Sa为216nm,剖面线的粗糙度Ra为241nm。而在经过细磨后,晶圆IC背面的磨削纹理已基本看不出,选取表面区域进行成像分析。[align=center][img]http://www.chotest.com/Upload/2018/4/201804257060316.png[/img][/align]从上图可知,在经过细磨之后,晶圆IC背面的磨削纹理轮廓起伏已经降到36nm附近,其表面粗糙度也已经从200多nm直降到6nm左右。以上是SuperView W1光学3D表面轮廓仪在半导体产业中的几种典型应用案例。目前我国正在大力推进半导体产业跨越式大发展,中图仪器SuperView W1光学3D表面轮廓仪必将为此贡献更多力量。