薄膜应力仪

仪器信息网薄膜应力仪专题为您提供2024年最新薄膜应力仪价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括薄膜应力仪参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的薄膜应力仪您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合薄膜应力仪相关的耗材配件、试剂标物,还有薄膜应力仪相关的最新资讯、资料,以及薄膜应力仪相关的解决方案。
当前位置: 仪器信息网 > 行业主题 > >

薄膜应力仪相关的厂商

  • 公司实验室一批二手仪器,保养得当。
    留言咨询
  • 留言咨询
  • 400-860-5168转1431
    巨力科技有限公司专门经销欧美、日本等国家制造的先进科学仪器,为客户提供完备的售前咨询和售后服务、技术支持。目前产品涵盖材料科学、微纳米技术、表面测量及表征、半导体、光伏和生命科学等领域。 主要产品:d33测量仪,压电系数测试仪,精密压电测试仪; 电容充放电测量系统高压漏电流及热释电测量系统电滞回线及高压介电击穿强度测量系统低温宽频介电测量系统高场宽频谱介电测量系统kSA MOS US薄膜应力测量系统,kSA MOS Thermal Scan薄膜热应力测量系统,kSA MOS原位薄膜应力测试仪,kSA MOS薄膜残余应力测试仪; kSA 400 RHEED 分析系统; kSA BandiT 测温系统;石磨盘发射率测量系统;kSA RateRat沉积速率检测仪; ALD 原子层沉积系统 碳纳米管生长系统 纳米碳制备CVD炉 石墨烯制备系统SPD喷雾热解成膜系统太阳能电池量子效率测试系统/光谱响应测量系统/IPCE测量系统; AAA级太阳光模拟器,全光谱太阳光模拟器(A+A+A+);高准直太阳光模拟器;稳态太阳光模拟器; 单体测试仪,太阳能电池IV测试仪,全自动太阳能电池IV测试; 大面积组件太阳能模拟器及IV测试系统; 有机太阳能电池太阳光模拟器;光催化太阳光模拟器;有机半导体载流子特性测量系统有机/钙钛矿太阳能电池载流子测量系统钙钛矿太阳能电池/LED寿命分析系统OLED光谱分析系统有机/钙钛矿太阳能电池扩散长度测量系统有机/钙钛矿太阳能电池量子效率测量系统有机/钙钛矿太阳能电池缺陷测量系统有机/钙钛矿太阳能电池制备系统实验室涂布机等等
    留言咨询

薄膜应力仪相关的仪器

  • 原位薄膜应力仪 400-860-5168转1431
    原位薄膜应力测量系统,又名原位薄膜应力计或原位薄膜应力仪!MOS美国技术(US 7,391,523 B1)!曾荣获2008 Innovation of the Year Awardee! 采用非接触激光MOS技术;不但可以准确的对样品表面应力分布进行统计分析,而且还可以进行样品表面二维应力、曲率成像分析;客户可自行定义选择使用任意一个或者一组激光点进行测量;并且这种设计可以保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描,从而有效的避免了外界振动对测试结果的影响;同时提高测试分辨率;适合各种材质和厚度薄膜应力分析; 该设备已经广泛被各个学府(如:Harvard University 2套,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University 2套,Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,西安交通大学,中国计量科学院等)、半导体制和微电子造商(如IBM.,Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC,Nissan ARC,Nichia Glass Corporation)等所采用; 相关产品: 薄膜应力仪(薄膜应力测量仪):为独立测量系统,同样采用先进的MOS技术,详细信息请与我们联系。设备名称:薄膜应力测量系统,薄膜应力测试仪,薄膜应力计,薄膜应力仪,Film Stress Tester, Film Stress Measurement System 主要特点: 1.自主专用技术:MOS 多光束传感器技术; 2.单Port(样品正上方)和双Port(对称窗口)系统设计; 3.适合MOCVD, MBE, Sputter,PLD、蒸収系统等各种真空薄膜沉积系统以及热处理设备等; 4.薄膜应力各向异性测试和分析功能; 5.生长速率和薄膜厚度测量;(选件) 6.光学常数n&k 测量;(选件) 7.多基片测量功能;(选件) 8.基片旋转追踪测量功能;(选件) 9.实时光学反馈控制技术,系统安装时可设置多个测试点; 10.专业设计免除了测量受真空系统振动影响;测试功能: 1. 实时原位薄膜应力测量 2.实时原位薄膜曲率测量 3.实时原位应力薄膜厚度曲线测量 4.实时原位薄膜生长全过程应力监控等 实时原位测量功能实例:曲率、曲率半径、薄膜应力、应力—薄膜厚度曲线、多层薄膜应力测量分析等;
    留言咨询
  • 薄膜应力测试仪 400-860-5168转1431
    kSA MOS UltraScan采用非接触MOS(多光束光学传感)激光技术;不但可以对薄膜的应力、表面曲率和翘曲进行准确的测量,而且还可二维应力 Mapping成像统计分析;同时准确测量应力、曲率随温度变化的关系。基于kSA MOS,kSA MOS Ultra Scan使用二维激光阵列扫描绘制半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等各种抛光表面的二维曲率、翘曲度和薄膜应力分布图。kSA MOS Ultra Scan适用于室温条件下测量需求,实现晶元全自动2D扫描测量,同时获得3D图。部分参考用户:中国计量科学研究院电学与量子所、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国科学院上海技术物理研究所、北京航空材料研究院、苏州大学、中国科学院成都光电技术研究所中国科学院力学所、华南理工大学材料学院、中国空间技术研究院、阿里巴巴达摩院、清华大学、天津理工大学、上海大学、中国科学院兰州空间技术物理研究所、中国航空制造技术研究院、深圳瑞华泰薄膜科技股份有限公司;Harvard University ,Stanford University,Johns Hopkins University,Brown University , Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute,IBM.,Seagate Research Center, Phillips Semiconductor, NEC,Nissan ARC, Nich ia Glass Corporation等。相关产品: *实时原位薄膜应力仪(kSA MOS Film Stress Tester):同样采用先进的MOS技术,可装在各种真空沉积设备上(如:MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects),对于薄膜生长过程中的应力变化进行实时原位测量和二维成像分析; *薄膜热应力测量系统(kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester) 技术参数:1.XY双向程序控制扫描平台扫描范围:300mm;2m(可选);二维应力分析2.扫描速度:可达20mm/s(x,y);3.XY双向扫描平台扫描步进/分辨率:1 μm;4.平均曲率分辨率:20km,5×10-5 1/m (1-sigma);5.薄膜应力测量范围:3.2×106到7.8×1010dynes/cm2(或者3.2×105Pa to7.8×109Pa)(1-sigma);6.应力测量分辨率:优于0.32MPa或1% (1-sigma) 7.应力测量重复性:0.02MPa(1-sigma);8.平均曲率重复性:5×10-5 1/m (1 sigma) (1-sigma);9.程序化控制扫描模式:选定区域、多点线性扫描、全样品扫描;10.成像功能:样品表面2D曲率成像,定量薄膜应力成像分析;11.测量功能:曲率、曲率半径、应力强度、应力和翘曲等;12.二维激光阵列测量技术:不但可以对样品表面进行二维曲率成像分析;而且这种设计能保证所有阵列的激光光点一直在同一频率运动或扫描,从而有效避免外界振动对测试结果的影响;同时提高测试分辨率;主要特点: 1.MOS多光束技术(二维激光阵列); 2.自动光学追踪技术; 3.程序化控制扫描模式:选定区域、多点线性扫描、面积扫描; 4.成像扫描功能:样品表面2D曲率成像,定量薄膜应力成像分析; 5.测量功能:曲率、曲率半径、薄膜应力、薄膜应力分布和翘曲等; 6.适用于各种薄膜应力测量,及半导体晶圆、光学镜面、玻璃、透镜等表面曲率、面型测量。测试实例:
    留言咨询
  • FSM薄膜应力与晶圆翘曲度测量仪薄膜应力测量仪广泛应用于半导体行业薄膜应力的量测。在硅晶圆或者其他材料基底上附着薄膜,由于衬底与薄膜的物理常数不同,将会产生应力而导致衬底基板形变。由均匀附着的薄膜引起的形变表现为基板翘曲,因此,可依据翘曲(曲率半径)的变化量来计算应力。薄膜应力仪用下述方法测量附着表面上的薄膜引起的基底曲率半径的变化量。由于是根据在基板上扫描的激光反射角度进行计算,因此,通过测量薄膜附着前后的曲率半径变化,计算其差值,求出曲率半径变化量,用斯托尼公式,依据基板曲率半径计算薄膜应力S。FSM薄膜应力测量仪的特点:1)自动切换双波段激光具有专利的自动激光切换扫描技术.当样品反射率不好时,系统会自动切换到不同波长的另外一只激光进行扫描。这使客户可以测量包括Nitride,Polyimides, Low K,High K,金属等几乎所有的薄膜而不会遇到无法测量的问题。FSM500加热到500℃进行应力测量,可在加热循环过程中进行薄膜的热稳定性计算2)2-D & 3-D Map配备有马达驱动的可旋转载片台,可以快速生成2-D&3D Map图帮助用户可以看到整片晶圆的曲率和应力变化分布,并准确反映出工艺和均匀性有问题的区域。3)薄膜厚度可以整合介电材料薄膜的厚度测量功能,使设备变成一台可以在研发和生产环境下灵活使用强大的设备。产品优势&bull 薄膜整体应力与晶圆翘曲测试&bull 半导体/LED/太阳能/数据存储/液晶面板产业&bull 适用于多种晶圆,基板尺寸&bull 桌上型/站立式&bull 手动/自动/半自动&bull 500℃&bull 快速&非接触激光扫描&bull 适用生产和研发使用&bull 全球销售及客户支持产品应用&bull 新工艺的测试或新生产设备的校准 。化学气相沉积镀膜工艺(CVD), 物理气相沉积镀膜工艺(PVD)&bull 工艺的质量控制&bull 故障诊断&bull 新技术的研究与开发&bull 半导体新工艺的研究与开发&bull 半导体晶圆薄膜生产: 氮化物, 氧化物, 硅化物, 金属, 低介电常数材料等&bull 晶圆碗型翘曲: 晶圆工艺检查或晶圆生产原料检查&bull 其他的集成电路工艺: 平板显示器 微机电系统
    留言咨询

薄膜应力仪相关的资讯

  • 微纳加工薄膜应力检测的国产化破局
    1.为什么要检测薄膜应力?薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,直接影响着薄膜器件的稳定性和可靠性,薄膜应力过大会引起以下问题:1.膜裂;2.膜剥离;3.膜层皱褶;4.空隙。针对薄膜应力的定量化表征是半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜制备工艺流程中品检、品控和改进工艺的有效手段。(见图一)图一、薄膜拉/压内应力示意图(PIC from STI 2020: Ultraviolet to Gamma Ray, 114444N)2.薄膜应力测试方法及工作原理目前针对薄膜应力测试方法主要有两种:X射线衍射法和基片轮廓法。前者仅适用于完全结晶薄膜,对于纳米晶或非晶薄膜无法进行准确定量表征;后者几乎可以适用于所有类型的薄膜材料。关于两种测试方法使用范围及特点,请参考表一。表一、薄膜应力测试方法及特点测试方法适用范围优点局限X射线衍射法适用于结晶薄膜1.半无损检测方法;2.测量纯弹性应变;3.可测小范围表面(φ1-2mm)。1.织构材料的测量问题;2.掠射法使射线偏转角度受限;3.X射线应力常数取决于材料的杨氏模量E;4.晶粒过大、过小影响精度。基片轮廓法几乎所有类型的薄膜材料激光曲率法:1.非接触式/ 无损;2.使用基体参数,无需薄膜特性参数;3.大面积测试范围、快速、简单。1.要求试样表面平整、反射;2.变形必须在弹性范围内;3.毫米级范围内平均应力。探针曲率法(如台阶仪):1.使用基体参数,无需薄膜特性参数;2.微米级微区到毫米级范围。1.接触式/有损;2.探针微米级定位困难导致测量数据重复性不够好。速普仪器自主研发生产的FST5000薄膜应力测量仪(见图二)的测试原理属于表一中的激光曲率法,该技术源自于中国科学院金属研究所和深圳职业技术学院相关研究成果转化(专利号:CN204854624U;CN203688116U;CN100465615C)。FST5000薄膜应力测量仪利用光杠杆测量系统测定样片的曲率半径,参见图三FST5000薄膜应力测量仪技术原理图。其中l和D分别表示试片(Sample)和光学传感器(Optical Detector)的移动距离, H1和H2分别表示试片与半透镜(Pellicle Mirror),以及半透镜与光学传感器之间的光程长。 图二、速普仪器FST5000薄膜应力测量仪示意图图三、FST5000薄膜应力测量仪技术原理图3.速普仪器FST5000薄膜应力测量仪技术特点及优势a.采用双波长激光干涉法,利用Stoney公式获得薄膜残余应力。该方法是目前市面上主流测试方法,包括美、日、德等友商均采用本方法,我们也是采用该测量方法的国内唯一供应商。并且相较于进口友商更进一步,速普仪器研发出独特的光路设计和相应的算法,进一步提高了测试精度和重复性。通过一系列的改进,使我们的仪器精度在国际上处于领先地位。(参考专利:ZL201520400999.9;ZL201520704602.5;CN111060029A)b.自动测量晶圆样品轮廓形貌、弓高、曲率半径和薄膜应力分布。我们通过改进数据算法,采用与进口友商不同的软件算法方案,最终能够获得薄膜应力面分布数据和样片整体薄膜应力平均值双输出。(参考中国软件著作权:FST5000测量软件V1.0,登记号:2022SR0436306)c.薄膜应力测试范围:1 MPa-10 GPa,曲率半径测试范围:2-20000m。基于我们多年硬质涂层应力测试经验,以及独特的样品台设计和持续改进的算法,FST5000薄膜应力测量仪可以实现同一台机器测试得到不同应用场景样品薄膜应力。具体而言,不但可以获得常规的小应力薄膜结果(应力值<1GPa,曲率半径>20m),同时我们还能够测量非常规小曲率半径/大应力数值薄膜(应力值>1GPa,曲率半径<20m)。目前即使国外友商也只能做到小应力测试结果输出。d.样品最大尺寸:≤12英寸,向下兼容8、6、4、2英寸。FST5000薄膜应力测量仪能够实现12英寸以下样品测试,主要得益于我们独特的样品台设计,光路设计及独特的算法,能够实现样品精准定位和数据结果高度重复性。(参考专利:ZL201520400999.9;ZL201520704602.5;CN111060029A)e.样品台:电动旋转样品台。通过独特的样品台设计,我们利用两个维度的样品运动(Y轴及360°旋转),实现12英寸以下样品表面全部位置覆盖及精准定位。(参考专利:ZL201520400999.9)f.样品基片校正:可数据处理校正原始表面不平影响(对减模式)。通过分别测量样品镀膜前后表面位形变化,利用原位对减方式获得薄膜残余应力面型分布情况。同样得益于我们独特的样品台设计和光路设计,保证镀膜前后数据点位置一一对应。4.深圳市速普仪器有限公司简介速普仪器(SuPro Instruments)成立于2012年,公司总部位于深圳市南山高新科技园片区,目前拥有北京和苏州两个办事处。速普仪器是国家高新技术企业和深圳市高新技术企业。公司拥有一群热爱产品设计与仪器开发的成员,核心团队来自中国科学院体系。致力于材料表面处理和真空薄膜领域提供敏捷+精益级制备、测量和控制仪器,帮助客户提高产品的研发和生产效率,以及更好的品质和使用体验。速普仪器宗旨:致力于材料表面处理和真空薄膜领域提供一流“敏捷+精益”级制备、测量和控制仪器。速普仪器核心价值观:有用有趣。
  • 速普仪器取得光电版薄膜应力仪国产化突破
    近日,深圳市速普仪器有限公司在西安交通大学创新港校区顺利交付光电版薄膜应力测量仪FST2000。该项目系速普仪器今年继安徽某OLED显示屏公司和宁波大学两套已交付后的第三套FST2000,另外还有三套待交付及若干套即将执行采购。成功实现业界主流光电版薄膜应力仪的国产化替代。 薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项,其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派:1)以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术(线扫模式),尽管是上世纪90年代技术,但由于其简单高效,适合常规Fab制程中进行快速QC,至今仍广泛应用于相关工厂。2)以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术(2000年代技术,曾获业界R&D100大奖),抗环境振动干扰,精于局部区域内应力测量,这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。做一个比喻,丘陵地貌,尽管整体平均地面是平整的,但是局部是起伏的。因此,第一种路线线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力,监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力,第二种激光点阵技术路线具有特殊优势,比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。作为国内同类产品的唯一供货商,速普仪器创造性的提出同时兼容测试效率和细节精度的方案,即激光点阵Mapping面扫模式(适合分析局部应力分布)和L-D线扫模式(适合快速QC质检)。并采用具有自主知识产权(CN201911338140.9)的新型光路设计(更简单可靠)。FST2000薄膜应力仪采用经典的激光曲率法,利用5×5激光点阵对样品表面进行扫描测量,自动获取样品表面曲率半径数值,并自动代入内置Stoney公式获取薄膜应力数值。FST2000薄膜应力测试范围:5MPa-5GPa;曲率半径/薄膜应力重复精度:<1%(曲率半径<20m),<3%(曲率半径<100m);扫描步长:Min. 0.1mm;扫描数据点:Max. 1万点;可视化2D/3D显示。另外,针对不平整表面样品,本仪器具有对减功能模式,即镀膜前后数据点阵根据坐标点逐点对减获得真实薄膜曲率半径和应力分布,通过数据处理校正样品原始表面不平整的影响。同时,本仪器还具有直观且简单的操作界面。本地化技术团队能够提供便捷的售后服务。 深圳市速普仪器有限公司简介:
  • 速普仪器发布【SuPro】薄膜应力测试仪FST2000新品
    基于经典基片弯曲法Stoney公式测量原理,采用先进的矩阵激光点阵扫描方式和探测技术,以及智能化的操作,使得FST2000薄膜应力仪特别适合于晶圆类光电薄膜样品的曲率半径和应力测量。独特的双模扫描模式方便适应不同应用场景下需求:Mapping不同区域的薄膜应力分布或快速表征样品整体平均残余应力。 创新点:1.半导体薄膜、光电薄膜专用残余应力测试仪器; 2.兼容区域性薄膜应力分布mapping结果和快速表征样品整体平均残余应力; 3.通过独特对减模式算法,可数据处理校正原始表面不平影响。 【SuPro】薄膜应力测试仪FST2000

薄膜应力仪相关的方案

薄膜应力仪相关的资料

薄膜应力仪相关的试剂

薄膜应力仪相关的论坛

  • 求XRD测量薄膜残余应力问题

    不知道有没有用XRD测量过薄膜残余应力朋友,求指点一下,我的薄膜是TiAlN/CrN多层膜,厚度只有1um,本人采用sin2(fai)法的方法测过,但是过程由于薄膜太薄,没有薄膜的峰信息,只有基底峰,不知有没有人遇到过类似情况,求指导!!或者能告诉我北京哪里可以做这方面的测试?谢谢!!

  • 菜鸟求大神教薄膜应力的测试方法

    最近踩有磁控溅射镀铜,想分析薄膜的参与应力,采用Jade6.5测试了微观应力及晶粒尺寸,选择黄继武老师教材里面建议的用两组平行的晶面作拟合后计算,但是方差很大,显然结果不对,现在心里很没底,想请教下有没有大牛做过这方面的工作,我看到有些大牛采用其他的仪器测试的薄膜应力,甚至还有三位的图出来,都是怎么测怎么算的啊?

  • 【求助】薄膜的残余应力测定

    请问有没有哪位了解薄膜残余应力的测定?本人现在急需做这方面的测试,就是不了解全国哪里有比较完善的设备和配套数据处理软件。十分感谢您的帮助!

薄膜应力仪相关的耗材

  • TEM/SEM用氮化硅薄膜窗口
    TEM用氮化硅薄膜窗口氮化硅薄膜窗特点 低应力的8, 15 , 50nm厚的氮化硅支撑膜:50nm厚的薄膜具有最大的视野范围;8nm和15nm厚的无孔氮化硅薄膜适用于TEM超高分辨率的应用 氮化硅支撑膜:低应力的LPCVD非化学计量比氮化硅薄膜,良好的平整度、绝缘性和疏水性良好的化学稳定性:图像分辨率和机械强度达到理想的平衡 均匀性:减少了不同区域的不均匀性 TEM断面成像应用的特殊窗口:适用于倾斜断层成像的0.5x1.5mm大窗口,倾斜度最大可达75° 多窗口系列:2窗口,0.1x1.5mm;3x3系列,0.1x0.1mm 可应用于多种显微技术:良好的机械稳定性使得同一种薄膜可应用于TEM, SEM, EDX, XPS and AFM 薄膜和基底耐酸,不会被溶解:可以在酸性条件或常规条件下研究、制备样本 可应用于高温试验环境: 1000°C 可提供更对精确的分析,如样品中的碳含量,减少污染:可用于无碳环境中的TEM成像和分析 容易清洗:机械稳定性和化学稳定性使得薄膜很容易采用辉光放电或等离子清洗,无有机物残留,改善成像质量 良好的平整度:良好的纳米沉积基底和薄膜,无背景结构适合于SEM成像 超净加工,防止支撑膜上残留微粒:100级的超净间内包装 框架厚度:200 and 50μm :200μm是标准的TEM支撑架;50μm是特殊的TEM支撑架 标准框架直径为3mm 同一批次的氮化硅薄膜窗具有相同的特性氮化硅薄膜窗规格单窗口系列窗口类型薄膜厚度窗口尺寸框架尺寸框架厚度20nm500x500μmΦ3mm100μm20/50nm500x500μmΦ3mm200μm50nm1000x1000μmΦ3mm200μm50nm100x100μmΦ3mm200μm15nm0.25x0.25mmΦ3mm200μm50nm0.25x0.25mm 0.5x0.5mm0.75x0.75mm1.0x1.0mmΦ3mm200μm200nm0.25x0.25mm 0.5x0.5mm0.75x0.75mm1.0x1.0mmΦ3mm200μm15/50/200nm0.25x0.25mmΦ3mm50μm50nm/200nm0.5x1.5mmΦ3mm50μm 多窗口系列窗口类型薄膜厚度窗口尺寸框架尺寸框架厚度50nm2x1阵列,100X1500μmΦ3mm200μm15nm/50nm/200nm2x1阵列,100X1500μmΦ3mm200μm50nm2x1阵列,100X1500μmΦ3mm50μm10nm/20nm3x3阵列,8个窗口100X100μm,1个窗口100X350μmΦ3mm100μm10nm3x3阵列,8个窗口250X250μm,1个窗口250X500μmΦ3mm100μm20nm3x3阵列,8个窗口100X100μm,1个窗口100X350μmΦ3mm200μm50nm3x3阵列,8个窗口100X100μm,1个窗口100X350μmΦ3mm100μm15nm/50nm/200nm3x3阵列,窗口100X100μm,Φ3mm200μm50nm3x3阵列,窗口100X100μm,Φ3mm50μm8nm单窗口,窗口大小:0.6×0.6mm;25个网格,氮化硅支撑膜200nm;网格上的氮化硅薄膜8nm;网格大小:75μm ,网格间距:25μm;Φ3mm200μm 应用简介: 1、适合TEM、SEM、AFM、XPS、EDX等的对同一区域的交叉配对表征。2、大窗口尺寸,适合TEM大角度转动观察。3、无碳、无杂质的清洁TEM观测平台。4、背景氮化硅无定形、无特征。5、耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,(薄膜直接沉积在窗口上)。6、生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。7、耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。8、适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 详细资料请咨询:021-35359028/ admin@instsun.com
  • 氮化硅薄膜窗-X射线用
    X射线透射显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗口 产品概述: X-射线薄膜窗能够实现软X-射线(如真空紫外线)的最大透射率。主要用于同步辐射X射线透射显微成像时承载样品。 X-射线越软(能量越低),穿透能力越差,所需氮化硅薄膜窗越薄。特别在&ldquo 离轴&rdquo 状态工作(即薄膜与光束成一定角度)时,也需要较薄的薄膜窗口,便于X射线更好地穿透。 氮化硅薄膜窗口是利用现代MEMS技术制备而成,由于此种氮化硅窗口选用低应力氮化硅(0-250MP)薄膜,因此比计量式和ST氮化硅薄膜更坚固耐用。提供的氮化硅薄膜窗口非常适合应用于透射成像和透射能谱等广泛的科学研究领域,例如,X-射线(上海光源透射成像/能谱线站)、TEM、SEM、IR、UV等。 现在提供X-射线显微成像/能谱(同步辐射)用氮化硅薄膜窗系列产品,规格如下: 外框尺寸 (4种标准规格): &bull 5 mm x 5 mm (窗口尺寸:1.0 mm 或和 1.5 mm 方形) &bull 7.5 mm x 7.5 mm (窗口尺寸:2.0 mm 或 2.5 mm) &bull 10 mm x 10 mm (窗口尺寸:3.0 mm 或 5 mm 方形) 边框厚度: 200µ m、381µ m、525µ m。 Si3N4薄膜厚度:50、100、150和200nm 我们也可以为用户定制产品(30-500nm),但要100片起订。 本产品为一次性产品,不建议用户重复使用,本产品不能进行超声清洗,适合化学清洗、辉光放电和等离子体清洗。 技术指标: 透光度: 对于X射线用窗口,500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果,对于软X射线(例如碳边吸收谱),100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用户首选。 真空适用性: 真空适用性数据如下:   薄膜厚度 窗口面积 压力差 &ge 50 nm &le 1.0 x 1.0 mm 1 atm &ge 100 nm &le 1.5 x 1.5 mm 1 atm &ge 200 nm &le 2.5 x 2.5 mm 1 atm 表面平整度: 氮化硅薄膜窗口产品的表面平整性很稳定(粗糙度小于1nm),对于X射线应用没有任何影响。 温度特性: 氮化硅薄膜窗口产品是耐高温产品,能够承受1000度高温,非常适合在其表面利用CVD方法生长各种纳米材料。 化学特性: 氮化硅薄膜窗口是惰性衬底。 应用简介和优点: 1、 同步辐射X射线(紫外或极紫外)透射成像或透射能谱应用中是不可或缺的样品承载体。 2、 耐高温、惰性衬底,适应各种聚合物、纳米材料、半导体材料、光学晶体材料和功能薄膜材料的制备环境,利于制备理想的用于X射线表征用的自组装单层薄膜或薄膜(薄膜直接沉积在窗口上)。 3、 生物和湿细胞样本的理想承载体。特别是在等离子体处理后,窗口具有很好的亲水性。 4、 耐高温、惰性衬底,也可以用于化学反应和退火效应的原位表征。 5、 适合做为胶体、气凝胶、有机材料和纳米颗粒等的表征实验承载体。 同步辐射X射线应用参考文献:PRL
  • X-ray应用薄膜窗口
    X-ray应用薄膜窗口(X-Ray Windows)有两种薄膜,低应力lpcvd氮化硅膜具很强机械强度,适合高温和差压环境;G-FLAT™ 氧化硅膜平坦无褶皱,非常适合x射线显微镜和需要无氮气背景的分析。这些薄膜窗口是X射线显微镜和x射线光谱学技术的理想衬底,经过等离子清洗,无有机污染。平坦、均匀沉积的薄膜具有低场到场可变性和高x射线透射性。G-FLAT™ 氧化硅膜窗口,适合生物成像研究,具有玻璃状亲水表面。外框硅材质,外框大小5*5mm,框厚310μm,膜厚度300nm。无褶皱,与超高真空(UHV)应用兼容。LPCVD氮化硅膜窗口,外框大小5*5mm,框厚320μm,200 MP 低应力无孔氮化硅。产品信息:货号产品描述窗口(Sq.)膜厚规格76042-10G-FLAT™ SiO X-Ray Window500μm100nm20/pk76042-11G-FLAT™ SiO X-Ray Window500μm300nm20/pk76042-12Silicon Nitride X-Ray Window500μm50nm20/pk76042-13Silicon Nitride X-Ray Window1000μm50nm20/pk76042-14Silicon Nitride X-Ray Window500μm100nm20/pk76042-15Silicon Nitride X-Ray Window1000μm100nm20/pk76042-16Silicon Nitride X-Ray Window 1500μm200nm20/pk76042-17Silicon Nitride X-Ray Window2500μm200nm20/pk
Instrument.com.cn Copyright©1999- 2023 ,All Rights Reserved版权所有,未经书面授权,页面内容不得以任何形式进行复制