角度光谱仪

ES01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的高精度全自动光谱椭偏仪，系列仪器的波长范围覆盖紫外、可见到红外。ES01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。ES01系列光谱椭偏仪适合于对样品进行实时和非实时检测。特点：原子层量级的检测灵敏度 国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级的纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。秒级的快速测量 快速椭偏采样方法、高信噪比的信号探测、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，10秒内快速完成一次全光谱椭偏测量。一键式仪器操作 对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：ES01系列尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发。ES01系列多种光谱范围可满足不同应用场合。比如：ES01V适合于测量电介质材料、无定形半导体、聚合物等的实时和非实时检测。ES01U适合于很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体的临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。 ES01系列可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。典型应用如：半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。ES01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ES01V：370-1000nmES01U：245-1000nm光谱分辨率1.5nm单次测量时间典型10s,取决于测量模式准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率精度（1）1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)入射角度40° -90° 自动调节，重复性0.02° 光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）样品台尺寸可放置样品尺寸：直径170 mm样品方位调整高度调节范围：0-10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。可选配件： NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片 NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 样品池

ESS01是针对科研和工业环境中薄膜测量推出的波长扫描式、高精度自动变入射角度光谱椭偏仪，此系列仪器波长范围覆盖紫外、可见、近红外到远红外。ESS01采用宽光谱光源结合单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量。ESS01系列光谱椭偏仪用于测量单层和多层纳米薄膜的层构参数（如，厚层厚度、表面为粗糙度等）和光学参数（如，折射率n、消光系数k、复介电常数&epsilon 等），也可用于测量块状材料的光学参数。ESS01适合多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。技术特点：极宽的光谱范围 采用宽光谱光源、宽光谱扫描的系统光学设计，保证了仪器在极宽的光谱范围下都具有高准确度，非常适合于对光谱范围要求极其严格的场合。灵活的测量设置仪器的多个关键参数可根据要求而设定（包括：波长范围、扫描步距、入射角度等），极大地提高了测量的灵活性，可以胜任要求苛刻的样品。原子层量级的检测灵敏度国际先进的采样方法、高稳定的核心器件、高质量的设计和制造工艺实现并保证了能够测量原子层量级地纳米薄膜，膜厚精度达到0.05nm。非常经济的技术方案 采用较经济的宽光谱光源结合扫描单色仪的方式实现高光谱分辨的椭偏测量，仪器整体成本得到有效降低。 应用领域：ESS01系列多入射角光谱椭偏仪尤其适合科研中的新品研发。ESS01适合很大范围的材料种类，包括对介质材料、聚合物、半导体、金属等的实时和非实时检测，光谱范围覆盖半导体地临界点，这对于测量和控制合成的半导体合金成分非常有用。并且适合于较大的膜厚范围（从次纳米量级到10微米左右）。ESS01可用于测量光面基底上的单层和多层纳米薄膜的厚度、折射率n及消光系数k。应用领域包括：微电子、半导体、集成电路、显示技术、太阳电池、光学薄膜、生命科学、化学、电化学、磁介质存储、平板显示、聚合物及金属表面处理等。薄膜相关应用涉及物理、化学、信息、环保等，典型应用包括：半导体：如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）；平板显示：TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等；功能性涂料：增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等；生物和化学工程：有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等。节能环保领域：LOW-E玻璃等。ESS01系列也可用于测量块状材料的折射率n和消光系数k。应用领域包括：固体（金属、半导体、介质等），或液体（纯净物或混合物）。典型应用包括：玻璃新品研发和质量控制等。技术指标：项目技术指标光谱范围ESS01VI：370-1700nmESS01UI：245-1700nm光谱分辨率（nm）可设置入射角度40° -90° 自动调节准确度&delta (Psi): 0.02 ° ,&delta (Delta): 0.04° （透射模式测空气时）膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率n测量重复性（1）0.001(对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)单次测量时间典型0.6s / Wavelength / Point（取决于测量模式）光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）可测量样品最大尺寸直径&Phi 200 mm样品方位调整高度调节范围：10mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库选配件自动扫描样品台聚焦透镜 注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。

ES01-PV是针对光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的高性能光谱椭偏仪。ES01-PV用于测量和分析光伏领域中多层纳米薄膜的层构参数（如，厚度）和物理参数（如，折射率n、消光系数k），典型样品包括：绒面单晶和多晶太阳电池上的单层减反膜（如SiNx，SiO2，TiO2，Al2O3等）和多层减反膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx &thinsp /Al2O3&thinsp 等），以及薄膜太阳电池中的多层纳米薄膜。 特点：粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量先进的光能量增强技术、高信噪比的探测技术以及高信噪比的微弱信号处理方法，实现了对粗糙表面散射为主和极低反射率为特征的绒面太阳电池表面镀层的高灵敏检测。晶体硅多层减反膜检测 专门针对多层薄膜检测而设计，可满足晶体硅太阳能电池领域中的双层膜，如（SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx &thinsp /Al2O3等）的检测。秒级的快速测量国际先进的快速椭偏采样方法、一流的关键部件、自动化的测量软件，在保证高精度和准确度的同时，可在10秒内快速完成一次测量。一键式仪器操作对于常规操作，只需鼠标点击一个按钮即可完成复杂的测量、建模、拟合和分析过程，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高级操作需求。应用：ES01-PV可用于测量绒面单晶或多晶硅太阳电池表面上纳米薄膜的厚度、折射率n和消光系数k，包括：单层减反膜（如， SiNx， TiO2，SiO2，A12O3等）、双层纳米薄膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx &thinsp /Al2O3等），以及多层纳米薄膜。 ES01-PV的应用也覆盖了传统光谱椭偏仪所测量的光面基底上的单层和多层纳米薄膜，典型应用包括：半导体（如：介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜，激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等）、平板显示（TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等）、功能性涂料：（增透型、自清洁型、电致变色型、镜面性光学涂层，以及高分子、油类、Al2O3表面镀层和处理等)、生物和化学工程（有机薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子层、薄膜吸附、表面改性处理、液体等）等。技术指标: 项目技术指标光谱范围240nm-930nm（绒面测量时为350-850nm）单次测量时间10s,取决于测量模式膜厚测量重复性（1）0.05nm (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)折射率精度（1）1x10-3 (对于平面Si基底上100nm的SiO2膜层)入射角度40° -90° 自动调节光学结构PSCA（&Delta 在0° 或180° 附近时也具有极高的准确度）样品台尺寸一体化样品台轻松变换可测量单晶或多晶样品兼容125*125mm和156*156mm的太阳能电池样品样品方位调整Z轴高度调节：± 6.5mm二维俯仰调节：± 4° 样品对准：光学自准直显微和望远对准系统软件&bull 多语言界面切换&bull 太阳能电池样品预设项目供快捷操作使用&bull 安全的权限管理模式（管理员、操作员）&bull 方便的材料数据库以及多种色散模型库&bull 丰富的模型数据库注：(1)测量重复性：是指对标准样品上同一点、同一条件下连续测量30次所计算的标准差。