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半导体芯片中解剖检测方案(电镜部件)

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1.独特的三离子束系统，可获得最佳的截面处理质量，并可高效获得宽且深的切割区域，大大降低工作时间。并可实现在一次处理过程中最多处理3个样品。因此对有高通量需求的实验室，徕卡EM TIC 3X是最佳解决方案。 2.可装配系统，根据您的样品制备需要，可以有针对性地在徕卡EM TIC 3X上装配一体化设计样品台－标准样品台，多样品台或冷冻样品台。 3.冷冻样品台针对温度敏感型样品如橡胶或水溶性高分子聚合纤维等，可以使用冷冻样品台对样品进行低温下处理，获得高质量处理结果。样品托和挡板的温度都可达到-150摄氏度。

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用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片徕卡显微系统微信号 Leica-Microsystems 功能介绍徕卡显微系统是全球显微镜与科学仪器的领导者，提供德国徕卡160余年始终如一的高端制造工艺和专业的售前售后服务，为您度身定制显微解决方案。关注我们，最新科学界动向、业内研讨会和产品限时优惠等您徕发现。实验步骤：预处理：用快速胶固定包埋，EM TXP精研一体机切割定位 EM TIC 3X三离子束切割仪参数：加速电压：7kV 离子束流：2.6mA 研磨时间：3h 切割深度：50μm左右样品制备人员：徕卡纳米技术部应用专家程路半导体芯片截面，放大倍率：6,000 半导体芯片截面，放大倍率：9,000 半导体芯片截面，放大倍率：15,000 半导体芯片截面，放大倍率：40,000 使用的制样设备：徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪三束氩离子束正在对样品进行切割：辅助制样设备：徕卡EM TXP精研一体机至真图片制样为先徕卡完备方案，让结果超乎您想象！ 用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片 实验步骤：预处理：用快速胶固定包埋，EM TXP精研一体机切割定位EM TIC 3X三离子束切割仪参数：加速电压：7kV离子束流：2.6mA研磨时间：3h切割深度：50μm左右样品制备人员：徕卡纳米技术部应用专家程路半导体芯片截面，放大倍率：6,000半导体芯片截面，放大倍率：9,000半导体芯片截面，放大倍率：15,000半导体芯片截面，放大倍率：40,000使用的制样设备：徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪三束氩离子束正在对样品进行切割：

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