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用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片 徕卡显微系统 微信号 Leica-Microsystems 功能介绍 徕卡显微系统是全球显微镜与科学仪器的领导者,提供德国徕卡160余年始终如一的高端制造工艺和专业的售前售后服务,为您度身定制显微解决方案。关注我们,最新科学界动向、业内研讨会和产品限时优惠等您徕发现。 实验步骤: 预处理:用快速胶固定包埋,EM TXP精研一体机切割定位 EM TIC 3X三离子束切割仪参数: 加速电压:7kV 离子束流:2.6mA 研磨时间:3h 切割深度:50μm左右 样品制备人员:徕卡纳米技术部 应用专家 程路 半导体芯片截面,放大倍率:6,000 半导体芯片截面,放大倍率:9,000 半导体芯片截面,放大倍率:15,000 半导体芯片截面,放大倍率:40,000 使用的制样设备: 徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪 三束氩离子束正在对样品进行切割: 辅助制样设备: 徕卡EM TXP精研一体机 至真图片 制样为先 徕卡完备方案,让结果超乎您想象! 用Leica EM TIC3X三离子束切割仪解剖半导体芯片 实验步骤: 预处理:用快速胶固定包埋,EM TXP精研一体机切割定位EM TIC 3X三离子束切割仪参数:加速电压:7kV离子束流:2.6mA研磨时间:3h切割深度:50μm左右样品制备人员:徕卡纳米技术部 应用专家 程路半导体芯片截面,放大倍率:6,000半导体芯片截面,放大倍率:9,000半导体芯片截面,放大倍率:15,000半导体芯片截面,放大倍率:40,000使用的制样设备:徕卡EM TIC 3X三离子束切割仪三束氩离子束正在对样品进行切割:
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天津徕科光学仪器有限公司为您提供《半导体芯片中解剖检测方案(电镜部件)》,该方案主要用于其他中解剖检测,参考标准《暂无》,《半导体芯片中解剖检测方案(电镜部件)》用到的仪器有null。
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