GaAs/AlGaAs样品中输运性质随磁场角度的变化研究检测方案(位移台)

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Quantum DesignCHINA 材料输运性质随磁场角度的变化研究 北京大学量子材料科学中心林熙课题组成功研制出基于 attocube 极低温 mK 位移台研制的低温强磁场下的样品旋转台，用于测量材料的输运性质随磁场角度的变化研究。 基本参数： 旋转台型号： Attocube ANR101/RES 系统环境温度：<20mK 电学测量温度：<22mK 旋转角度范围：-10°~90° 实现角度分辨率：<0.1° 该系统是基于 Leiden CF-CS81-600稀释制冷机系统的一个插杆，插杆的直径为81mm，attocube 的 mK 位移台通过一个自制的转接片连接到插杆上，如图1所示，位于磁场中心的样品台的尺寸为5mm*5mm，系统磁场强度为10T。系统的制冷功率为 340uW@120mK，得益于 attocube 极低温位移台极低的发热功率及工作时非常小的漏电流， 使得旋转台能够很好的在<200mK的温度下工作(工作参数：60V， 4Hz，300nF)). 图1.实现的旋转示意图和 ANR101装配好的实物图 ?、 Que 图2.侧视图，，t电学测量的12对双绞线从旋转台的中心孔穿过 图3中是一个 GaAs/AlGaAs 样品在不同角度下测试结果，每一个出现最小电导率的点，代表着不同的填充因子。很好的验证了其实验方案的可行性和稳定性。 图3.Shubnikov-de Haas Oscillation at T= 100 mK ◆ 参考文献： Rev.Sci. Instrum. 90， 023905 (2019)； https：//doi.org/10.1063/1.5083994. 关联产品： 极低温 mK 级纳米精度位移台： https：//qd-china.com/zh/pro/detail/3/2003031159274  材料输运性质随磁场角度的变化研究  北京大学量子材料科学中心林熙课题组成功研制出基于attocube极低温mK位移台研制的低温强磁场下的样品旋转台，用于测量材料的输运性质随磁场角度的变化研究。基本参数：旋转台型号: Attocube ANR101/RES系统环境温度: < 20 mK电学测量温度: < 22 mK旋转角度范围: -10°~90°实现角度分辨率:<0.1°该系统是基于Leiden CF-CS81-600稀释制冷机系统的一个插杆，插杆的直径为81mm，attocube的mK位移台通过一个自制的转接片连接到插杆上，如图1所示，位于磁场中心的样品台的尺寸为5mm*5mm，系统磁场强度为10T。系统的制冷功率为340μW@120mK，得益于attocube极低温位移台极低的发热功率及工作时非常小的漏电流，使得旋转台能够很好的在＜200mK的温度下工作（工作参数：60V，4Hz, 300nF）。   图1. 实现的旋转示意图和ANR101装配好的实物图图2. 侧视图，电学测量的12对双绞线从旋转台的中心孔穿过 图3中是一个GaAs/AlGaAs样品在不同角度下测试结果，每一个出现最小电导率的点，代表着不同的填充因子。很好的验证了其实验方案的可行性和稳定性。图3. Shubnikov–de Haas Oscillation at T = 100 mK 参考文献：Rev. Sci. Instrum. 90, 023905 (2019); https://doi.org/10.1063/1.5083994.