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傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率，并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理，可方便地扫描得到红外谱图，从而得到碳氧相关信息，对硅材料质量控制起到指导作用。
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目前硅集成电路向大规模的方向发展，对材料的质量控制提出了更高的要求，要控制硅材料中氧碳的含量。用傅立叶红外光谱仪可以方便的测定了半导体材料单晶硅的透过率，根据国标可以计算出半导体材料硅中的氧碳含量，对于半导体材料硅的质量控制起到很好的作用。
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岛津企业管理（中国）有限公司为您提供《半导体材料硅片中氧碳含量检测方案(红外光谱仪)》，该方案主要用于其他中化学性质检测，参考标准《暂无》，《半导体材料硅片中氧碳含量检测方案(红外光谱仪)》用到的仪器有岛津（Shimadzu）IRXross傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）。
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