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随着节能环保等理念的推进，功率器件在市场上越来越多见；IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT也指IGBT模块。
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随着节能环保等理念的推进，功率器件在市场上越来越多见；IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT也指IGBT模块。IGBT 模块有3个连接部分：硅片上的铝线键合点、硅片与陶瓷绝缘基板的焊接面、陶瓷绝缘基板与铜底板的焊接面。由于IGBT模块内部为多层结构集成数个电子元器件，涉及材料、微电子、焊接等多种工艺。保证IGBT内部封装质量是厂家们非常关心的问题，因为这些接点的失效都会直接影响产品工作状态。所以，IGBT在制备生产及产品失效时均需要金相切片破坏性试验用于管控生产工艺质量及确认失效原因，但因IGBT模块内部结构复杂，对其在研磨/抛光阶段存在较大的难度，需要选择合适的工艺及耗材。常见问题包括DBC层难去除、抛光后划痕严重、显微形貌浮凸严重同时影响各层尺寸测量准确性。
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