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MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) 是一种非易失性 (Non-Volatile) 的磁性随机存储器. 它拥有静态随机存储器 (SRAM) 的高速读取写入能力, 以及动态随机存储器 (DRAM) 的高集成度, 而且基本上可以无限次地重复写入. 上海伯东美国 inTEST ThermoStream 热流仪通过快速提供高低温测试环境, 成功应用于 12寸存储器芯片 MRAM 研发测试！存储器芯片高低温冲击客户案例: 某半导体公司正在合作进行 14纳米先进制程工艺技术的开发, 专注于开发和制造 12寸存储器 MRAM 技术, 目前正在建置完整的12寸芯片产能. 进过上海伯东推荐, 选用美国 inTEST ATS-545-M 热流仪对封装后的器件在 -40 °C 至 125°C 进行快速高低温冲击测试.inTEST ATS-545-M 热流仪主要技术参数ATS-545-M温度范围 °C: -75 至 + 225(50 HZ)变温速率: -55至 +125°C, 约 10 S 或更少 +125至 -55°C, 约 10 S 或更少输出气流量: 4 至 18 scfm温度精度: ±1℃ 通过美国NIST 校准温度显示分辨率: ±0.1℃温度传感器: T或K型热电偶防静电设计, 不需要 LN2 或 LCO2 冷却与传统高低温测试箱对比, inTEST 热流仪主要优势：1. 变温速率更快2. 温控精度：±1℃3. 实时监测待测元件真实温度, 可随时调整冲击气流温度4. 针对 PCB 电路板上众多元器件中的某一单个IC(模块), 可单独进行高低温冲击, 而不影响周边其它器件5. 对测试机平台 load board上的 IC进行温度循环 / 冲击; 传统高低温箱无法针对此类测试6. 对整块集成电路板提供准确且快速的环境温度作为美国 inTEST 中国总代理, 上海伯东将做好服务保障, 助力国内企业加快前沿科技进程.上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络 上海伯东: 罗女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！
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产品配置单
伯东公司德国普发真空pfeiffer为您提供《inTEST 热流仪用于12寸存储器芯片 MRAM 研发测试》，该方案主要用于传感器中无检测，参考标准《暂无》，《inTEST 热流仪用于12寸存储器芯片 MRAM 研发测试》用到的仪器有inTEST 高低温冲击热流仪 ATS-545, 芯片高低温试验。
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