【讨论】为什么用EDS打纯硅会打出AL?

EDX 有做能量校正吗,观察EDX是否发生漂移了.

你的计数率，死时间等条件相差大吗？

做过峰位校准了，还是原样。。。

计数率1k以上，死时间在20%~30%之间，奇怪的是我打样品的平面就不会出现这种现象。

EDS在做能譜時電壓是不能隨便選的﹗在做能譜時有兩個參數會影響到結果﹕
1.SEM的電壓
2.WD
所在就會出現你有不用的電壓可能得出的結果會不一樣﹐因為X射線信號產生的深度是根椐機品材質﹐SEM電壓而定的.裝機時應該有告訴你們電壓在設在多少時是最好的激發狀態﹖﹖

zhang08xun 发表:EDS来分析样品成份时,发现有异常。
异常现象为：
样品为纯Si片，不含铝元素，分析的是6英寸si片的截面。
加速电压为5kv, 谱图中没有铝峰
加速电压为10kv, 谱图中有铝峰
加速电压为15kv, 谱图中有铝峰
请大家见附件，发表下自己的看法，是能谱仪有问题吗？

能谱图

HITACHI?
S4800?

去问天美,他们应该给你一个解释.

应该是正常的，您一定理解能谱过压比的概念，还有激发深度和加速电压之间的关系。

zhang08xun 发表:EDS来分析样品成份时,发现有异常。
异常现象为：
样品为纯Si片，不含铝元素，分析的是6英寸si片的截面。
加速电压为5kv, 谱图中没有铝峰
加速电压为10kv, 谱图中有铝峰
加速电压为15kv, 谱图中有铝峰
请大家见附件，发表下自己的看法，是能谱仪有问题吗？

能谱图

這樣才是正常的啊﹗
您一定理解能谱过压比的概念，还有激发深度和加速电压之间的关系。
1.Al的Ka=1.4866﹐加速電壓HT一般要是X射線臨界激發電壓的2-4倍﹐在5KV時
沒打到鋁那是有可能的.
2.這還和打入樣品的深度有關﹐電壓值越高打入樣品的深度異會越深.

zhang08xun 发表:EDS来分析样品成份时,发现有异常。
异常现象为：
样品为纯Si片，不含铝元素，分析的是6英寸si片的截面。
加速电压为5kv, 谱图中没有铝峰
加速电压为10kv, 谱图中有铝峰
加速电压为15kv, 谱图中有铝峰
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能谱图