【讨论】质量歧视的原因

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2008/06/03

私聊

同位素及其它无机质谱

为什么四极杆和离子阱存在质量歧视现象呢？

这样问是因为最初知道“质量歧视现象”后，为了弄明白，在网上搜到一些相关信息，提到这两种质谱（四极杆和离子阱）存在质量歧视现象，但是没有说原因。我呢又想弄明白到底是怎样引起这种现象的，所以就以上面的题目开始了讨论。不过过了两三天也没有人跟进，自己手边的资料和书中也没有找到相关答案：和最初了解的一样，只是说到质量歧视，没提原因。

今天仍然在网上挖，哈哈……在“电工类专业翻译”中竟看到了质量歧视效应的英文翻译，然后注意力开始转向电子类，想到检测器，开始查质谱常用检测器-电子倍增管的相关信息。最终找到一个ppt,介绍了一下电子倍增管，内容如下：

电子倍增管

类似于光电倍增管，离子束撞击到第一级阴极表面时，产生二次电子，经过15～18级不断倍增后，为阳极检测电子流，可测出10-17A微弱电流。
特点：灵敏、快速
产生二次电子的数量与离子的质量和能量有关，故存在质量歧视效应，定量分析时应加以校正。”

光电倍增管也存在质量歧视，但电子倍增管相对要明显。

现在终于有点眉目，有相关背景知识的欢迎补充！

今天和一个安装的工程师聊天，人家是学电的，我想他应该很懂，结果他说：质量歧视效应不是监测器引起的，是四极杆质量分析器造成的。

又没有眉目了