【求助】看看高分辨的欠焦状态

以非晶边缘为准，稍微欠了一点。难道这个就是你看到0.14nm细节的图片？

这个显然是看不出来的
0.14 nm 那个是觉得像所以问问有没有可能
还在模拟之中

如果我要模拟这张图片样品区域的高分辨
模拟使用的欠焦量有没有可能是正的（过焦）呢？
感觉我模拟的时候要用＋35 nm 的过焦，同时样品区域厚度在10 － 40 nm （有梯度）才对的比较好。
不知道合理不？

说不准。单张照片通常是不能最为判据的，模拟结果需要跟系列欠焦像做比较。而且，我觉得你的样品好象取向不正。

带轴已经算是比较正了
不过因为纳米样品，局域可能有些应力，可能是有点不正（局域）
同时从里到外，厚度变小，高分辨的图像也有些不同。

对了
我首先模拟了一套高分辨像
分别按照df和t排列出了全部的模拟像
根据这个照片上不同位置的实验像去对了一下
发现只有在＋35 nm 过焦下才比较可能
而且厚度的分布也比较符合，外面薄，里面厚。
另外因为样品不是特别的耐辐照，所以般都没有系列欠焦，而只是把样品（含界面）拍清楚就没有再拍了

过焦是有可能的，碳膜处于略微欠焦，如果样品是在碳膜上方，考虑样品厚度，的确是处于过焦位置。
支持系列欠焦，要不然很多东西说不清

那个非晶边缘象是样品本身的，不象碳膜，不过非晶区和晶区的厚度仍然可能有差别造成欠焦状态不同。另一个造成欠焦状态不同的原因是样品倾转。

不知道材料的结构，图上也没有标尺，但是从fft上看到的这样的焦距可很象是不合格的啊。样品太厚了。

我个人觉得样品不厚
这个焦距主要是为了使界面处离位效应减弱
比较清楚
完整区域的聚焦状态可能是不一定很好

zdlkkk 发表:不知道材料的结构，图上也没有标尺，但是从fft上看到的这样的焦距可很象是不合格的啊。样品太厚了。