其他仪器综合讨论
liuzgsemi
第1楼2009/03/19
楼主的第一个问题我可以回答，在脱氧时是要打开As，因为GaAs在高于600度时就变的不稳定，As会解吸附，所以要打开As cell，保证脱氧后表面的平整。我也想请教楼主表面的（2*3），也又听说过（2*4）再构，那是什么意思。
第2楼2009/03/19
我看过楼主的很多回复，知道楼主对MBE很有研究，有机会大家可以讨论一下啊。我的E-mail：liuzgzgbq@hotmail.com。
tjzy23
第3楼2009/04/01
1.SI-GaAs脱氧温度580度，重掺杂GaAs脱氧温度600度。必须在As保护下进行脱氧2.RHEED下观察，出现明显衍射条纹，即开始脱氧脱氧时间一般为10-20分钟。3.未听过没有As保护下的脱氧4.同问再构问题
wu_yan
第4楼2009/04/01
看来楼上也是做过III-V族MBE的。请教哪个研究所的？谢谢不明白“Si-GaAs脱氧温度580C”是何意思，Si的脱氧温度一般要1250C，采用低温衬底处理技术，脱氧温度一般也要800C。GaAs的脱氧温度是582C。你说的这些我基本都明白，主要是想请教再构问题。我的Email:wu_yan@mail.sitp.ac.cn。欢迎经常联系。
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