题目：Reduction of the defect density in CdTe buffer layers for the growth of HgCdTe infrared photodiodes on Si(211) substrates 作者：Wei, H-Y | Salamanca-Riba, L | Dhar, N K 期刊号：MATER RES SOC SYMP PROC. 卷和起止页码：Vol. 484, pp. 329-334. 1997 全文链接：http://www.mrs.org/s_mrs/sec_subscribe.asp?CID=12290&DID=238681&action=detail
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