ICPMS　可以用来测高纯SI吗

ICPMS 已用来分析半导体中的多晶硅，单晶硅，硅表面的痕量杂质，附应用文章一篇。
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非常感谢，我想问一下，普通的不带反应池的四极杆质谱与反应池的相比是不是要差很多呢。　

碰撞反应池主要消除一定含量的Si基体对某些测定元素的干扰。普通的不带碰撞反应池的四极杆ICPMS,如果直接进样分析Si基体样品，那些受到Si基体干扰的元素测定结果必定不准确。

没有碰撞反应池，又要分析Si基体样品，怎么办？在样品前处理上想办法，把Si基体赶走。

呵呵，AGILENT在电子行业做的很厉害的，用他们的ICP-MS做电子产品制造过程的水，酸有很多现成的文章。用户也很多。
做高纯产品必然要采用以上办法，并且可以加入杂质富集，高纯SI，高纯AL，都是这么做。上海硅酸盐所可以提供更好的高纯测量服务。也可以问问。

骆驼祥子老师和弗兰克老师也都是做半导体行业的吗?

高桥的文章，找了很久了...

FRANKC 发表:ICPMS 已用来分析半导体中的多晶硅，单晶硅，硅表面的痕量杂质，附应用文章一篇。
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没想到Franc老师百忙之中还能常来论坛逛逛，难得难得！
骆驼同学，我做过很多这方面的样品，不知道你的所谓高纯是多高？
我当时做的杂质含量，纯度在3-4个9吧！

如果做的是硅片表面杂质分析

按照SEMI的标准方法

在较理想的实验室条件下，可以完成7～8个9的高纯Si分析

应视待测元素而定,若对被测元素存在多原子干拢的话,就应考虑碰撞反应池..