灰米奇
第1楼2010/06/18
序号 标准号 标准名称
1 SEMI MS1-0306 晶片结合对准标线规范指南
2 SEMI MF 2166-0304 通过使用特殊参考晶片监控非接触式电介质评定系统的方法
3 SEMI MF 2139-1103 采用二次离子质谱法测量硅衬底上氮浓度的方法
4 SEMI MF 2074-1103 硅及其他半导体材料晶片直径的测量方法指南
5 SEMI MF 1982-1103 热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法
6 SEMI MF1811-0704 从表面轮廓数据估计功谱密度和相关加工参数的指南
7 SEMI MF 1810-0304 用于记录硅片择优腐蚀和加工表面缺陷的方法
8 SEMI MF 1809-0704 表征硅中结构缺陷的腐蚀溶液的选择和使用指南
9 SEMI MF 1771-0304 通过电压斜线上升技术评估栅极氧完整性的方法
10 SEMI MF 1763-0706 线性偏光镜测试方法
11 SEMI MF 1727-0304 硅抛光片表面氧化诱生缺陷的检测方法
12 SEMI MF 1726-1103 硅片结晶学完整性分析规程
13 SEMI MF 1725-1103 硅锭结晶学完整性的分析方法
14 SEMI MF 1724-1104 采用酸萃取-原子吸收光谱法测量多晶硅表面金属沾污
15 SEMI MF 1723-1104 通过漂移区生长和光谱法评价多晶硅棒的方法
16 SEMI MF 1708-1104 用区融和光谱分析仪评定粒状多晶硅的规程
17 SEMI MF 1630-0704 单晶硅Ⅲ-Ⅴ级杂质的低温FT-IR分析测试方法
18 SEMI MF 1619-1105 以布鲁斯特角入射P偏振辐射红外吸收光谱法测量硅片中间隙氧含量
19 SEMI MF 1618-1104 硅晶片薄膜的不均匀性判定规程
20 SEMI MF 1617-0304 二次离子质谱法测定硅和硅外延衬底表面上钠、铝和钾
序号 标准号 标准名称 所属委员会/卷号
21 SEMI MF 1569-0705 半导体技术用统一参考材料的形成指南
22 SEMI MF 1535-1106 用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅晶片载流子复合寿命的方法
23 SEMI MF 1530-1105 用非接触自动扫描法测量硅片平整度、厚度和厚度变化的试验方法
24 SEMI MF 1529-1104 用双配置程序的一列式四点探针法评定薄板阻抗不均匀性的方法
25 SEMI MF 1528-1104 用二次离子质谱法测量重搀杂N型硅衬底中的硼污染的方法
26 SEMI MF 1527-1104 用于硅电阻测量仪器校准和控制的参考材料和参考晶片的使用指南
27 SEMI MF 1451-1104 用自动无接触扫描法测量硅片峰谷差的方法
28 SEMI MF 1392-1103 用带汞探针的容量-电压测量器测定硅晶片中净载流子密度分布的测试方法
29 SEMI MF 1391-0704 红外吸收法测试硅中替位碳原子含量
30 SEMI MF 1390-1104 自动非接触式扫描法测量硅晶片翘曲度的测试方法
31 SEMI MF 1389-0704 Ⅲ-Ⅴ号混杂物中对单晶体硅的光致发光分析的测试方法
32 SEMI MF 1388-1106 用金属-氧化物-硅电容器容量-时间(C-T)法测定硅材料产生寿命 和生产速度的试验方法
33 SEMI MF 1366-0305 用二次离子质谱法测量重掺杂硅衬底中氧含量的方法
34 SEMI MF 1239-0305 用测量间隙氧减少方法测试硅晶片的氧析出特性
35 SEMI MF 1188-1105 用短基线红外吸收法测试硅中间隙原子氧含量
36 SEMI MF 1153-1106 用电容-电压测量法对硅金属氧化物结构特性的试验方法
37 SEMI MF 1152-0305 硅片刻槽尺寸的测试方法
38 SEMI MF 1049-0304 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
39 SEMI MF1048-1105 测量全反射集成分散器的方法
40 SEMI MF 978-1106 采用瞬时电容法标示深能级半导体实验方法
序号 标准号 标准名称 所属委员会/卷号
41 SEMI MF 951-0305 测量硅片间隙氧径向变化的试验方法
42 SEMI MF 950-1106 用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法
43 SEMI MF 928-0305 圆形半导体晶片及硬性磁盘基片的边缘轮廓的试验方法
44 SEMI MF 847-0705 用X射线技术测量硅单晶片上的参考面结晶取向的方法
45 SEMI MF 728-1106 尺寸测量用光学显微镜预置规范
46 SEMI MF 723-1105 掺硼、掺磷和掺砷硅片的电阻率与掺杂剂浓度的换算惯例
47 SEMI MF 674-0705 扩展电阻测量用硅的制备
48 SEMI MF 673-1105 用非接触式涡流标尺测量半导体晶片电阻率或半导体薄膜薄层电阻的方法
49 SEMI MF 672-0706 用扩展电阻探针测量硅晶片垂直于纵断面表面的电阻率的方法
50 SEMI MF 671-0705 硅晶片及其他电子材料的参考面长度测量方法
51 SEMI MF 657-0705 用非接触扫描法测量硅片的翘曲度及总厚度变化的试验方法
52 SEMI MF 576-0706 用椭圆对称法测量硅衬底上绝缘体厚度及折射指数的试验方法
53 SEMI MF 534-9796 硅片的弯曲度测试方法
54 SEMI MF 533-0706 硅片厚度及厚度变化的测试方法
55 SEMI MF 525-0705 用扩展电阻探针测量硅片电阻率的方法
56 SEMI MF 523-0706 硅抛光片的目检规程
57 SEMI MF 397-1106 用二探针法测定硅棒电阻率的标准方法
58 SEMI MF 391-1106 通过测量稳态硅表面光致电压确定硅中少数载流子扩散长度的试验方法
59 SEMI M F 374-1105 用直排四探针法测试硅外延层、扩散层、多晶硅和离子注入层的薄层电阻的试验方法
60 SEMI MF 154-1105 鉴别镜面状硅片表面观察到的结构和沾污的指南
序号 标准号 标准名称 所属委员会/卷号
61 SEMI MF 110-1105 用磨角和染色技术测定硅外延层或扩散层厚度的试验方法
62 SEMI MF 95-1105 用红外线反射法测定重掺杂硅衬底上轻掺杂硅外延层厚度的试验方法
63 SEMI MF 84-1105 用直排四探针法测量硅片电阻率的试验方法
64 SEMI MF 81-1105 硅片径向电阻率变化测量方法
65 SEMI MF 43-0705 半导体材料电阻率试验方法
66 SEMI MF 42-1105 掺杂半导体材料导电类型试验方法
67 SEMI MF 28-1106 光电导衰减测量法测定大块锗和硅中少数载流子寿命的方法
68 SEMI MF 26-0305 测定半导体单晶体取向的方法
69 SEMI ME1392-3005 在表面反射或散射的角分辨光散射测量指南