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ICP-MS双电荷离子如何控制

ICP-MS

  • 上一次做了一批基体很复杂样，这次要做水样，所以决定清洗一下锥和矩管，打磨一下透镜系统，然后吹干装上，点火，调谐，发现其他都还好，就是双电荷百分比居高不下。我尝试调了采样深度，偏转电压，还是不行啊，战友们这什么情况啊？
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  • nps

    第1楼2011/08/17

    很不幸，我最近也遇上这问题。同求解...

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  • 古道西风瘦马

    第2楼2011/08/18

    双荷百分比，主要的影响因素是在plasma部分。尝试下功率，矩管位置吧。

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  • 金水楼台先得月

    第3楼2011/08/18

    功率,怎么调试呢。

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  • timstoicpms

    第4楼2011/08/18

    RF功率太高、采样深度太小(即炬管 距离 样品锥很近)，都会导致双电荷率飙升。

    我的实践经验：RF=1300-1350W，采样深度=5.0-5.5 mm。

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  • 阶前尘

    第5楼2011/08/18

    应助达人

    不同厂家的仪器参数也不一样的

    timstoICPMS(timstoICPMS) 发表:RF功率太高、采样深度太小(即炬管 距离 样品锥很近)，都会导致双电荷率飙升。

    我的实践经验：RF=1300-1350W，采样深度=5.0-5.5 mm。

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  • timstoicpms

    第6楼2011/08/18

    我也是7700x 。安捷伦工厂默认使用屏蔽圈，如果采样深度太近，屏蔽圈悲剧的概率就越大。所以工厂推荐采样深度=8mm，并提高RF功率来补偿“因采样深度较大而带来的灵敏度下降”。

    阶前尘(jieqian1211) 发表:不同厂家的仪器参数也不一样的

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  • xue1bo

    第7楼2011/08/25

    呵呵RF功率，等离子体流速，雾化器流速可以控制双电荷与氧化物。

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