ICP-MS
多晶硅工业生产中间体
高纯三氯氢硅中痕量砷的测定方法
辛妈
第1楼2012/01/07
楼主其实可以留着参加第五届原创大赛。嘿嘿!
timstoicpms
第2楼2012/01/07
加标回收:四份高纯TCS样品的As总量,与加入的As标准物质总量,这两者的比值大约是多少?
baadavid
第3楼2012/01/07
本来想和三氯氢硅水解一文一起参加第四届原创大赛呢,可惜发了水解以后就比较忙,闲下来的时候第四届时间已经过了。我想反正是分享,索性就拿出来发了。
第4楼2012/01/07
比值嘛,还是要看情况了。一般的原则是标准物元素含量与待测物相近,加入标液量不超过样品的1%。你可以参考一下。timstoICPMS, 如果是真心问问题的话,语气可以美化一点点吗?要不感觉是领导再问员工哦!你也可以尝试一下一倍至两倍的加标量,看一下数据分析分析。
第5楼2012/01/08
我上个回帖,应该没冒犯您吧?看来以后在技术论坛回帖要走淘宝体了:“亲,请问加标回收:四份高纯TCS样品的As总量,与加入的As标准物质总量,这两者的比值大约是多少?”这两者之比 控制在0.5到2之间—— 我是知道的。因为见识过太多的freshman,100ng 待测物 加1000ng标物 做回收……所以想确认一下你的加标回收实验的可靠性。
tuxlin
第6楼2012/01/08
Plasma: Normal RF: 1600W。这个功率好象是到了7700的上限了吧,为什么要用到这么高呢。你们的样品基体并不复杂,高纯硅挥发后就基本上没什么东西了;另一方面功率高更有利于Cl的电离。所以这个人觉得没有必要用这么高的功率。
第7楼2012/01/09
Agilent RF实际上限是2400W,但开放给用户的RF上限只有1600W。Agilent 工厂推荐 Sample Depth=8mm,RF Power=1550W,Carrier gas + Makeup gas= 1.1-1.2 L/min。楼主基本上是按照工厂参数来做的。
阶前尘
第8楼2012/01/10
学习中,膜拜中!
第9楼2012/01/10
timstoICPMS(timstoICPMS) Thanks, 抱歉让你误会了。BBS确实容易让人误会对方。
第10楼2012/01/10
0、本文主要为了抛砖引玉;1、基体干扰确实存在,因为工业化生产中不容易控制样品制备过程;2、在实际使用中,证实1600W的等离子体确实很有效;3、对于部分元素采用的是冷等离子体技术(低功率等离子体);4、timstoICPMS很专业,赞一个。
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