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【谱图】关于碳膜峰位的标定

feiliao

2006/11/24

XPS及其它能谱仪

根据论文上碳膜的标定方法，一般采用纯碳或金刚石与碳膜一起进行xps分析，最后根据标准的纯碳或金刚石峰位来确定碳膜由于荷电效应导致的峰
位偏移值。而我在做XPS分析时，没有用纯碳或金刚石做标定，做分析的老师给出的方法是解谱后将整个结合能值进行偏移来校正峰位，我感觉这种方法过于随意，因此想采用一个相对较好的办法。通过分析我发现在全谱测量时C1s峰位在281eV，O1s峰位在529eV（所有测量结果均相同），因此考虑找个参考值直接标定，由于测量方法或装置的不同导致C1s的峰位变化很大，论文中也没有一个确切的峰位值，而O1s查资料可知在532.6eV，因此我采用O1s进行标定，将结合能偏移+3.6eV。不知这种方法是否合适？
希望大家指点。
另外分析过程中如果出现波动很大的点，与实际不太符合时一般怎么处理，删除还是修正？

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xuguocat

第1楼2006/11/24

我觉得在扫谱时都会产生峰位移，我都用已知的标准碳峰和扫出的碳峰比较求位移，用这个位移校正其它的峰

0

xuguocat

第2楼2006/11/24

对于波动较大的问题，我觉得仪器长时间操作会因过热产生偏差，可以多次测量取平均值

0

feiliao

第3楼2006/11/24

对于XPS分析一般情况下都是使用碳峰进行校准，但是对于碳膜的分析，好像采用此方法校准不太行，做分析的老师是这么说的，不知是否正确？

0

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