SnSe 硒化锡晶体 (Tin Selenide)

SnSe 硒化锡晶体 (Tin Selenide)

品牌2D SEMICONDUCTOR

货号 4601610 价格 ￥ 7579

产品介绍

In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV (indirect) and 1.25 direct gaps. It has layered structure (lamellar) with weak interlayer coupling, enabling to isolate down to monolayers. Each monolayer is four atoms thick (Se-Sn-Sn-Se) that is roughly 0.9-1.0 nm. At high pressures it undergo semiconductor to superconductor transition. More recently, SnSe has been shown to display world record performance for thermoelectric material efficiency.

SnSe single crystal characteristics


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