半导体器件.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/17 16:48:33
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简介:

一种绝缘栅场效应晶体管包括一硅沟道区,该硅用加热退火法晶化而适当的金属元素诸如镍之类协助晶化。该晶化在硅膜中横向从直接引入镍的部分发生。该TFT按这种方式设置,使TFT的源-漏方向与晶体生长的方向相一致或在所要求的方向与晶体生长方向相交叉。

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