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锤子
简介：
为了实现更高可靠性TFT和高可靠性半导体器件，本发明的NTFT在半导体层中具有沟道形成区、n型第一、第二和第三杂质区。第二杂质区是与栅极的锥部交叠的低浓度杂质区且栅绝缘膜置于第二杂质区与栅极之间，并且第二杂质区的杂质浓度从沟道形成区向第一杂质区逐渐增高。而且，第三杂质区是不与栅极交叠的低浓度杂质区。另外，相同衬底上的多个NTFTs应该分别具有不同的第二杂质区长度，这取决于工作电压的差别。即，当第二TFT的工作电压高于第一TFT的工作电压时，在第二TFT上的第二杂质区的长度比在第一TFT上的长。
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