形成沟道金属氧化物半导体器件和端子结构的方法.pdf

公开了一种同时制造沟道MOS器件和端子结构的方法。根据所制备的半导体衬底,MOS器件可以是肖特基二极管、IGBT或DMOS。包括步骤:形成多个用于在有源区内形成沟道MOS器件的第一沟道,以及用于形成端子结构的第二沟道。进行热氧化工艺以在所有各区形成栅氧化层。利用第一导电材料回填第一沟道和第二沟道。深蚀刻以去除多余第一导电材料从而在所述第二沟道内形成间隔物并仅填充第一沟道。去除栅极氧化层。对于IGBT或DMOS器件,要求附加进行热氧化和蚀刻步骤,而对于肖特基二极管可以省略。此后,利用淀积、光刻工艺和蚀刻,形成端子结构氧化层。去除背面多余层后,依次进行溅射金属层淀积、光刻和蚀刻工艺以在半导体衬底的两侧形成第一电极和第二电极。