具有集成的半导体器件的MRAM.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/18 10:46:46
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简介:

一种磁存储单元(10)具有位于第一铁磁层(11)与第二铁磁层(13)之间的半导体层(12),形成p-n结或肖特基结。抗磁性层(34)位于第二铁磁层与数字线(35)之间,用于牵制第二铁磁层内的磁矢量。在第二个实施例中,栅接点(37)隔开半导体材料层,用于控制通过半导体层的电子流。

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