沟道金属氧化物半导体器件和端子结构.pdf

公开了一种功率沟道MOS器件的端子结构。依据所准备的是何种半导体衬底,MOS器件可为肖特基二极管、IGBT或DMOS。该端子结构包括:半导体衬底,其中形成有沟道;在沟道的侧壁形成作为间隔物的MOS栅;在沟道中形成的端子结构氧化层以覆盖间隔物的一部分并覆盖沟道的底部;第一电极和第二电极,分别形成于半导体衬底的下表面和上表面。沟道形成于从有源区的边界至半导体衬底的末端的区域。沟道MOS器件形成于有源区中。另外,对IGBT和DMOS来说,由氧化层将第二电极与MOS栅隔开;但对肖特基二极管来说,第二电极直接与MOS栅相接触。