半导体器件中形成金属栅的方法.pdf

一种形成金属栅的方法,它可阻止形成于该金属栅上的栅绝缘膜性能的降级。形成金属栅的方法包括提供一个具有一个或多个用于确定有效区域的沟状的器件隔离膜的硅基体;用热氧化工艺在硅基体表面上形成栅绝缘膜;继续在栅绝缘膜上形成金属阻挡膜和栅的金属膜;为栅的金属膜、金属阻挡膜和栅绝缘膜构图,其中金属阻挡膜和栅的金属膜的沉积通过原子层沉积(ALD)工艺或遥控等离子体化学汽相沉积(CVD)工艺来实施。