包含漏极夹的半导体管芯封装及其制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/19 11:11:09
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简介:

一种半导体管芯封装(100)包括半导体管芯(108),它包括第一表面、第二表面和垂直功率MOSFET,该垂直功率MOSFET的栅极区和源极区位于第一表面而漏极区位于第二表面。具有主表面(101(a))的漏极夹(101)电气耦合到漏极区。栅极引线(112)电气耦合到栅极区。源极引线(111)电气耦合到源极区。非导电模制材料(102)密封半导体管芯(108)。漏极夹(101)的主表面(101(a))通过非导电模制材料(102)而暴露。

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