半导体器件的制造方法.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/19 17:04:09
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简介:

提供了一种采用纳米压印方法制造半导体器件的方法,该半导体器件的成本可以降低。在本发明中,在半导体薄膜上依次形成栅绝缘膜、导电膜、和抗蚀剂,并在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂。因此,图形转移到抗蚀剂上,灰化被转移图形的抗蚀剂的表面,直到暴露导电膜的一部分,使用具有灰化的表面的抗蚀剂为掩模,并刻蚀导电膜。

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